GaP:N和GaAs1-xPx:中的束缚激子依赖于激子声子耦合的辐射复合的热猝灭

我们从实验中发现,在N掺杂的GaP和Ga(As,P)中,零声子辐射带与相应的声子伴带的热猝灭过程是不同的。声子伴带的热猝灭强烈地依赖于激子声子的耦合,呈现出一种相干的特性。     

场致发光磷光体

综述了硫化锌一类场致发光磷光体的性质。过去,这些磷光体由于材料的限制而带来的亮度低、寿命短以及驱动的问题,仅有少数可以应用的器件。对交流激发的ZnS:Mn蒸发薄膜和直流激发的ZnS:Mn、Cu粉末层这两种特殊的结构形式的性质进行了仔细的讨论。它们表现出高效率、可在低占空因数下使用、具有高反差度、高对比度和可供使用的寿命这样一些特性。此外,基本工艺能够提供廉价而结实的器件,这些器件可以作成各式各样的符号组合以及各种大小。可以得出结论,这一技术对显示系统提供了潜在的优越性,为了满足今后对显示的要求,特别是在成本和坚固性受到苛刻限制的那些场合,它应被看作是一种很有生命力的候选方案。     

螺旋藻藻胆蛋白的荧光寿命、量子产率及其光谱学特性

具有不同聚集态的藻胆蛋白有着不同的摩尔消光系数。这些聚集态决定了引起各藻胆蛋白之间光谱特性差别的藻蓝胆素发色团的构象。研究结果表明,在高聚态的C-藻蓝蛋白和变藻蓝蛋白中,由蛋白质——发色团之间相互作用调制的发色团的构象,对太阳能的吸收和激发能转移到光合反应中心的过程可能有重要作用。     

A NEW METHOD TO ENHANCE THE MAGNETISM OF Fe OVERLAYER ON GaAs(100): SULFUR PASSIVATION USING CH3CSNH2

Ferromagnetic resonance (FMR) has been used to investigat the magnetism of Fe overlayer on S-passivated GaAs(lO0) pretreated by CH₃CSNH₂. Comparing with the magnetism of Fe overlayer on clean GaAs(100), we find that sulfur passivation can prevent Aa diffusion into Fe overlayer and weaken the interaction of As and Fe. It results in enhancing the magnetism of Fe overlayer on GaAs(100). We also investigate the effects of the pre-annealing of S- pasaivated GaAs(100) substrate on the magnetism of Fe overlayers. The results show that the maximum effective magnetization can be obtained at annealing temperature of 400℃. According to the experimental results of synchrotron radiation photoemission, it can be explained by the change of chemical composition and surface structure of the passivation layer on GaAs(100) surface after the annealing.     

A NEW METHOD TO ENHANCE THE MAGNETISM OF Fe OVERLAYER ON GaAs(100): SULFUR PASSIVATION USING CH3CSNH2

Ferromagnetic resonance (FMR) has been used to investigat the magnetism of Fe overlayer on S-passivated GaAs(lO0) pretreated by CH₃CSNH₂. Comparing with the magnetism of Fe overlayer on clean GaAs(100), we find that sulfur passivation can prevent Aa diffusion into Fe overlayer and weaken the interaction of As and Fe. It results in enhancing the magnetism of Fe overlayer on GaAs(100). We also investigate the effects of the pre-annealing of S- pasaivated GaAs(100) substrate on the magnetism of Fe overlayers. The results show that the maximum effective magnetization can be obtained at annealing temperature of 400℃. According to the experimental results of synchrotron radiation photoemission, it can be explained by the change of chemical composition and surface structure of the passivation layer on GaAs(100) surface after the annealing.     

磁二向色性光电发射

磁二向色性光电发射（ Ｍ Ｄ Ｐ Ｅ） 技术是结合光电子能谱和磁二向色性技术的磁学测量方法,近年来已成为研究表面、界面和薄膜等低维体系磁性的重要手段。本文概述了其基本原理和实验方法,着重探讨几种 Ｍ Ｄ Ｐ Ｅ 效应的产生及其理论解释,并介绍了 Ｍ Ｄ Ｐ Ｅ 在磁性过渡金属、稀土金属低维体系中的应用。     

ZnO薄膜的分子束外延生长及性能

利用分子束外延(MBE)和氧等离子体源辅助MBE方法分别在Si(100)、GaAs(100)和蓝宝石Al2O3(0001)衬底上用Zn、ZnS或以一定Zn-O化学计量比作缓冲层,改变衬底生长温度和氧压,并在氧气氛下,进行原位退火处理,得到ZnO薄膜。依据X射线衍射(XRD)图,表明样品的结晶性能尚好,且呈c轴择优取向;实验结果表明在不同衬底上生长的ZnO薄膜,由于晶格失配度不同,其衍射峰也有区别。用原子力显微镜(AFM)观测薄膜的表面形貌,为晶粒尺寸约几十纳米的ZnO纳米晶,且ZnO晶粒呈六边形柱状垂直于衬底的表面。采用掠入射X射线反射率法测膜厚。在360nm激发下,样品的发光光谱是峰值为410,510nm的双峰谱,是与样品表面氧缺陷有关的深能级发光。     

同步辐射X射线三维显微成像

本介绍了利用同步辐射进行X射线三维成像的工作原理及进展状况,详细论述了X射线三维成像的两种方法,X射线全息及CT技术,以及通过两的结合（HCT）进行高分辨率三维成像的有关理论与实验技术;介绍了同轴全息中消除“双生像”噪声的数字方法,讨论了影响分辨率的各种因素;本还介绍了在国家同步辐射实验室软X射线实验站进行的生物样品X射线三维成像的实验及其结果。     

蓝色发光GaN纳米晶和晶体的XAFS研究

利用XSAFS（X－射线吸收精细结构）方法研究六方的纳为晶和晶体GaN在78K和300K温度下Ga原子的局域配位环境结构,对于第一近邻Ga－N配位,纳米晶GaN的平均增长R、配位数N、热无序度σT和结构无序度σs与晶体GaN的相近,分别为0．194nm、4．0、0．0052nm、0．0007nm;当温度从78K增加到300K,GaN样品中Ga－N配位的σT增加不多,小于0．0005nm,表明第一近邻Ga－N配位的共价键作用力较强,几乎不受温度和晶体状态的影响。对于第二近邻Ga-Ga配位,R为0．318nm,纳米晶GaN的σs（0．0057NM）比晶体GaN的（0．001nm )大0．0047nm;在78K和300K时,纳米晶GsA样品的Ga-Ga位位的σT分别为0．0053nm和0.0085nm,这一结果表明Ga-Ga配位的σT受温度变化产生很大影响,纳米晶GaN中Ga原子的局域配位环境与晶体GaN的差别主要表现在第二近邻Ga-Ga配位的σs相对较大,可能是由于纳米晶GaN内部缺陷及存在较多的表面不饱和配位原子所致。     

合肥国家同步辐射实验室的现状与发展

简要介绍了中国科学技术大学合肥同步辐射实验室的运行情况、开展同步辐射应用研究的现状和今后的发展计划，同时还介绍了同步辐射研究的发展趋势，对有可能取得重大突破的几个方面作了估计。