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31.
渣油FCC改性Y沸石研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
研究了不同方法和不同程度脱铝对Y型沸石浸镧老化后的结构性质和催化裂化性能的影响。结果表明,氟硅酸铵脱铝补硅和水热处理两个步骤联合,所得样品骨架铝分布均匀,通过控制脱铝程度可更有效地抑制结焦并保持催化裂化高活性;草酸脱铝和水热处理联合,所得样品二次孔结构发达,具有更好的渣油裂化生成液态低碳烃选择性。  相似文献   
32.
The photofragmentation of CH_3I at 249 nm has been investigated by means of our crossed laser-molecular beam apparatus with rotatable supersonic beam source. The measured I~*/I yield ratio is about 4/1. The C—I bond dissociation energy obtained is 56±1 kcal mol~(-1). The vibrational energy distribution of CH_3 fragments has been roughly estimated.  相似文献   
33.
强流射频四极加速器输入耦合环的物理设计研究   总被引:1,自引:2,他引:1       下载免费PDF全文
 详细讨论了强流射频四极加速器高频输入耦合环的一些基本问题,完成了高频输入耦合环的初步物理设计. 利用二维程序Superfish 的一些结果,确定了耦合环的大小,计算了耦合环的功耗,并对构成耦合环导线的粗细进行了估算。该耦合环的物理设计可作为耦合环试验的基础,同时,也可作为三维程序HFSS 模拟计算的起点。  相似文献   
34.
本文分析了当前电子通信关键技术的运用,并就网络构架问题进行探析讨论.  相似文献   
35.
36.
通过一步法绿色合成了CdSe-聚氨酯(CdSe-PU)纳米复合发光材料.在N2保护下,将单质硒(Se)溶于蓖麻油,以蓖麻油酸作为氧化镉(CdO)的配体,合成硒化镉(CdSe)纳米晶.将聚丙二醇2000和异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI)合成的预聚体,加入含CdSe纳米晶的蓖麻油溶液,通过交联作用得到CdSe-PU纳米复合发光材料.采用紫外-可见分光光度计(UV-Vis)、荧光光谱仪(PL)、傅里叶红外光谱仪(FT-IR)、热重分析仪(TGA)、透射电子显微镜(TEM)对CdSe纳米晶和聚氨酯复合材料的结构和性能进行了表征.结果表明:此方法合成的CdSe纳米晶性能良好,能在聚氨酯纳米复合材料中均匀分散且性能稳定,CdSe-PU纳米复合材料耐热性有所提高.  相似文献   
37.
研究了湛江等鞭金藻(Isochrysis zhanjiangensis)在改性ZSM-5分子筛上催化裂解制取低碳烯烃的过程.与热裂解过程相比,湛江等鞭金藻催化裂解可以得到更高的低碳烯烃选择性和收率.同时还研究了湛江等鞭金藻中不同油脂和藻渣的催化裂解.结果表明,微藻中的油脂能有效转化为烯烃,其中中性脂的烯烃收率最高,可达36.7%.不同溶剂抽提后得到的藻渣也可转化为低碳烯烃,但收率远低于微藻中的油脂.微藻中的油脂,特别是中性脂,是烯烃的主要贡献者,提高微藻中的中性脂含量能够得到更高的低碳烯烃收率.  相似文献   
38.
 采用水热法在铁铬铝合金片载体上原位合成了MCM-22沸石膜,并采用X射线衍射和扫描电子显微镜对沸石膜进行了表征,探讨了成膜的影响因素. 结果表明,载体预处理条件对合成沸石膜的品质有较大的影响. 载体仅经碱处理后合成的沸石膜稀疏而不连续; 载体先经碱处理再经酸处理后可得到连续致密的沸石膜,且晶片取向均一; 载体预先涂覆Al2O3胶过渡层后制得的MCM-22沸石膜经超声波清洗后不会脱落,表明沸石膜与载体间的结合力增强. 此外,增大晶化母液量有利于沸石膜的生长.  相似文献   
39.
立足基础面向学科构建电路理论课程的立体化教学体系   总被引:2,自引:2,他引:0  
本文详细介绍了教育部2002年启动教学质量工程以来,我校电路理论课程的教学改革建设的成效,包括电路理论课程的立体化教学体系的建立、相关课程的立体化教材的建设、实验实践教学的强化、教学方法的改进和具体的实践效果。  相似文献   
40.
基于全耗尽技术的SOI CMOS集成电路研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
张新  刘梦新  高勇  洪德杰  王彩琳  邢昆山   《电子器件》2006,29(2):325-329
介绍了电路的工作原理,对主要的延迟和选通控制单元及整体电路进行了模拟仿真,证明电路逻辑功能达到设计要求。根据电路的性能特点,采用绝缘体上硅结构,选用薄膜全耗尽SOICMOS工艺进行试制。测试结果表明:与同类体硅电路相比,工作频率提高三倍,静态功耗仅为体硅电路的10%,且电路的101级环振总延迟时问也仅为体硅电路的20%,实现了电路对高速低功耗的要求。  相似文献   
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