产品危机过程中的企业间信任关系——记对SK-Ⅱ事件的危机过程分析

随着关系营销理论和实践的发展,企业间信任成为企业间关系发展的重要目的和特征。但大家关注的主要是常态环境下的信任关系,随着产品危机的频繁爆发,很多企业被迫进入危态环境中,本研究以常态下的信任特征为基础,分析了危态下的企业间信任特征,并提出针对性的策略和建议。     

面向对注氢硅片中微结构的影响

把不同面向的注氢硅片制成横截面样品,在高分辨率透射电子显微镜下进行观察,发现衬底面向对其中的微结构有明显的影响.首先表现为衬底中主要出现平行于正表面的氢致片状缺陷,即(100)衬底中,主要出现平行于正表面的{100}片状缺陷,而(111)衬底中出现的主要是平行于正表面的{111}片状缺陷.其原因是注入引起垂直正表面的张应变.另外,面向的影响还表现为,(100)衬底中出现的{113}缺陷在(111)衬底中不出现.在(111)衬底中出现的晶格紊乱团和空洞在(100)衬底中不出现.从而推测,{111}片状缺陷的形成不发射自间隙原子,而(100)片状缺陷的形成将发射自间隙原子.     

激光二极管泵浦微片Tm，Ho：YLF激光器的实验研究

本文对激光二极管泵浦(Tm，Ho)：YLF平-平腔微片激光器进行了实验研究．(Tm，Ho)：YLF晶体中Tm^3 为感光离子，Ho^3 为激活离子。Tm^3 在近红外区是很好的感光物质。与Tm相比，Ho激光器的激光上能级寿命与Tm相同，但是它有比Tm更大的受激发射截面。这是Ho比Tm更适合做激活离子的原因．     

零失效试验的测试时长与样本量选择分析

基于国内企业对产品质量以及可靠性要求越来越高,可靠性试验方案的选择尤为重要,GJB899A可靠性鉴定与验收规范详细列举了定时截尾试验、序贯截尾试验。阐述企业的考量是基于质量目标的前提下,要求试验方案测试成本低、时间可控,本文结合定时截尾以及序贯截尾的思路,制定了一种零失效试验,结合最小测试样本量的方案,可以定量评估出试验方案合理性,为企业制定可靠性试验方案提出相应的依据。     

一种室外无线覆盖方案的设计与实现

随着移动互联网的发展,智能手机的快速普及,无线网络迅速融入当代人的主流生活,逐渐成为人们工作、学习与生活的基本需求。为了提高用户满意度,进一步提高网络覆盖面积,实现园区室外无线覆盖,文章提出了一种园区室外无线覆盖解决方案,有效解决了用户室外无线上网的需求。     

微分求积法计算双材料反平面V形切口应力奇性指数

首次将微分求积法应用到工程断裂力学的研究领域,运用该方法计算了双材料反平面V形切口端部区域的应力奇性指数.首先基于弹性力学理论,将反平面V形切口端部应力奇性指数的计算转化为常微分方程组的特征值问题,再由微分求积法理论将常微分方程组的特征值问题转化为标准型广义代数方程组的特征值问题,由QR法可一次性计算出双材料反平面V形...     

一种三次非旋转对称的相位板的检测系统设计

作为零位干涉检测方法中非常有前途的一种方法.计算全息可以用于非旋转对称的非球面的检测.以三次相位板为例,阐述了利用计算全息图检测非旋转对称的非球面的基本原理.分析并推导了三次相位传播过程引入的高阶波像差的理论公式,给出了三次相位板的检测系统的没计结果.详细讨论了计算全息图衍射级次的分离以及计算全息图的二元化,给出了振幅型的计算全息图的图样.计算全息图的刻线最小问隔是40μm,计算全息图的制作精度对检测结果的波前误差的影响仅仅为0.005λ.对检测系统作了详细的公差分析,结果表明所有调整公差对整个检测系统的影响和方根值为83.954 nm.     

基于多宇宙并行量子遗传算法的多传感器图像融合方法

采用基于对比度视觉模型的图像融合最优分块搜索算法,对同一场景两幅严格配准的多聚焦图像的清晰恢复进行了深入研究.针对该算法在图像较大时融合的计算量大,耗时长,难以进行快速、实时融合等缺点,通过分析该算法固有的时间复杂性和并行性,提出了一种基于多宇宙并行量子遗传算法和对比度视觉模型的多传感器图像融合方法.实验表明,该方法融合计算速度快,并行性能理想.     

粗糙平面的激光散射特性研究

为了检测目标的边缘信息,采用激光扫描目标表面、通过回波信号变化来得到目标的边缘信息的方法,利用随机面元模型,分析了刚性随机粗糙平面的激光散射特点,建立了实用化的随机粗糙平面激光散射理论模型,并给出了正入射时几种情况下的激光散射图像,分析了平面目标的激光散射能量计算方法,仿真了光束在平面目标表面做正弦摆动时,光斑在不同位置的反射能量,利用激光信号的强度变化,采用峰(谷)检出法或者过零检出法就可以得到物体的边缘信息。结果表明,通过回波信号的变化,可以得到目标的边缘轮廓。     

无接触法测量多晶硅材料的少子扩散长度

用微波光电导谱仪无接触、非破坏性地测量了多晶硅的微波光电导谱,推导了由光电导谱计算多晶硅样品的少子扩散长度和表面复合速度的计算方法,并由此算得了样品的少子扩散长度和表面复合速度。测试区域是一个直径为3mm的圆斑。这是一种简便而又准确的测试方法。这样的方法还适用于GaAs薄片材料少子扩散长度的测量和计算。