LTCC微波带通滤波器集总电路模型研究

通过引入不同的导纳变换器,提出了基于LTCC(low temperature cofired ceramics)技术的电容性耦合、电感性耦合、电容-电感混合耦合的微波带通滤波器集总电路模型,每一种模型都给出了具体的设计公式.从理论上分析了三种模型各自的优缺点,并用电路仿真软件ADS进行验证,为集总参数元件微波带通滤波器的电磁仿真和实际制作提供了理论依据.     

F-P光纤压力传感器的温度特性研究

设计并制作了Fabry-Perot(F-P)干涉型光纤传感器.根据传感器的制作工艺和原理,分析了减小温度系数的方法:设计适当的初始腔长、采用开放腔以及控制光纤与石英套管的粘接方式,都可以有效地控制温度对传感器的影响,以适应传感器在不同场合的应用.对所述方法进行了相应的实验验证,结果表明实验数据与理论分析一致.     

关于Nd∶YAG晶体R2 →Y3跃迁有效受激发射截面的讨论

文中对W. Koechner 先生所著的《Solid - State Laser Engineering》一书中关于Nd∶YAG晶体R2 →Y3 跃迁有效受激发射截面的描述进行讨论。     

头盔显示器光学检测系统

为了对头盔显示器的目视系统做出整体性的评价,提出了一种简单可行的头盔显示器检测方法,设计了用于检测的光学系统。根据头盔显示器与检测系统光瞳匹配的需求,在设计中采用目镜结构的成像镜头,通过一片树脂非球面镜片实现了镜头的无畸变成像。检测系统的视场角为50°,入瞳大小为4mm,畸变量<0.1%,在-4D～3D头盔目镜测试条件下都能保持很高的成像质量,可以满足不同屈光度下头盔显示器目视系统的测试需要。     

测量激光束横模结构的方法研究

分析了根据激光场强度相对分布计算激光束横模结构的方法,根据分析结果设计了利用光场分布测量激光束横模结构的实验方法。对所设计的方法进行了仿真验证,同时通过具体实验,对一款调Q激光二极管抽运固体激光器(DPL)的激光束横模结构进行了测量。实验中,在不知道谐振腔参数的情况下,根据设计的方法测量了激光束的各阶横模比例。以测量出的横模比例为基础,理论上重构出激光束,该光束和实际光束的空间传输过程基本吻合。     

激光二极管端面抽运Nd∶YAG的端面形变

研究了端面抽运Nd∶YAG晶体的抽运面形变场分布,采用一种新的测量端面形变场分布的实验方法———光束扫描法。让参考光沿晶体的端面小步距扫描,比较有无抽运光时各扫描点在探测面上光点位置的移动情况,通过几何分析与数值计算,可逐段得到端面的形变场分布。通过与理论上在理想模型下所求解的结果比较,发现实验值与理论值基本一致,晶体的端面形变场最大峰值处的抽运光在端面的聚焦位置处。另外发现端面的形变场分布的对称性受抽运光对称性影响,且曲线不光滑。该方法解决了端面抽运Nd∶YAG晶体的抽运面形变场分布难以测量的问题,且易于实现和操作。     

引上法生长YAIO_3晶体激光材料

本文对用作光泵浦激光基质材料的正铝酸钇进行了研究。材料用引上法生长;介绍了材料的生长特性和参数。对 YAlO_3晶体的各种结晶学、机械、热和光学性能进行了测量和鉴定。所研究的激光离子系统包括 Nd~(3+),Cr~(3+)敏化的 Nd~(3+)和 Er~(3+)与 Tm~(3+)敏化的 Ho~(3+)。对吸收,荧光和激发光谱,吸收和发射截面,受激态寿命和能量转移过程进行了测量。文内列举出 Nd~(3+):YAlO_3在1.06～1.08微米下的脉冲,Q-开关和连续运转激光性能及 Ho~(3+):YAlO_3在2.12微米下的脉冲运转激光性能。     

基于分布反馈注入锁定的连续可调光子微波倍频实验研究

提出了一种基于注入锁定分布反馈式(DFB)激光器的双波长差频微波/毫米波信号产生方案。方案利用正弦波光信号通过半导体光放大器(SOA)进行非线性展宽,产生高阶分量,然后注入到两个DFB激光器后进行锁定放大,产生频率连续可调的倍频信号。在实验中,注入的正弦波光信号频率为1.25GHz,得到20～40GHz频率范围内1.25GHz的任意自然数倍的连续可调微波信号,其最高倍频数为32。     

单级功率因数校正电路及其开关应力分析

文章给出了几种单级功率因数校正电路的拓扑结构，计算和分析了其功率开关管上的电压应力和电流应力。为设计功率因数校正电路选择适宜的电路拓扑结构提供了一种依据。     

用于制备硅LED的太阳能电池技术

集成电路工艺发展使得芯片内部的互连成为芯片延时的主要问题.制备出高光效的硅LED已经成为OEIC发展的瓶颈.硅是间接带隙半导体,而且载流子寿命较长.所以使用硅材料制备发光器件是长久以来特别引人关注而又较难解决的问题.采取降低非辐射复合速率,增加辐射复合的机会可以实现硅LED的发光.介绍了用于制备硅LED的太阳能电池技术原理和主要方法,以及采用这一原理实现PERL硅电池和区熔硅衬底非晶硅电池用于制备LED的技术.