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本文在求解扬声器锥形振膜低频振动的基础上,得到了计算扬声器锥壳环反谐振频率的精确公式,并借助特征频率反比于质量平方根的物理概念,推出了适于工程应用的近似公式,其偏差在3%以内。 相似文献
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(TbBi)3GaxFe5-xO12薄膜/(TbYbBi)3Fe5O12晶体复合结构的生长和在光通信波段的磁光性能 总被引:1,自引:1,他引:0
用助熔剂法生长出掺Bi复合稀土铁石榴石晶体((TbYbBi)3Fe5O12),用(TbYbBi)3Fe5O12替代传统的无磁性Gd3Ga5O12晶体作基底液相外延掺Bi稀土铁鎵石榴石薄膜((TbBi)3GaXFe5-XO12).测量了Tb0.87Yb1.62Bi0.51Fe5O12晶体和Tb2.43Bi0.57Ga0.12Fe4.88O12薄膜/Tb0.87Yb1.62Bi0.51Fe5O12晶体复合结构材料在光通信波段(波长λ=1500-1620nm)处的光透射谱(T)、饱和磁化强度(Ms,0.5×106A/m)、法拉第旋转温度系数(FTC,5×10-5/K)和法拉第旋转波长系数(FWC,0.05%/nm).所得结果表明:Tb2.43Bi0.57Ga0.1Fe4.9O12薄膜/Tb0.87Yb1.62Bi0.51Fe5O12晶体复合结构材料的综合性能适用于宽带和温度稳定的光隔离器及其他光通讯器件. 相似文献
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用且熔剂法生长出(YbTbBi)3Fe5O12块状单晶,测量了该单晶在1.0~1.7μm范围的Faraday旋转谱及透射谱,当温度为10~80℃,λ=1.55μm时,测得该单晶的Farady旋转温度系数为2.0×10^-2(°).mm^-1.K^-1,所得结果表明:(YbTbBi)3Fe5O12单晶既有较大的Faraday旋转角,又有很小的温度系数。 相似文献
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研究了当轴对称模态由驱动力共振激发,并且轴对称模态和非轴对称模态存在2:1内共振时的扬声器辐射体薄壳的分谐波和昆沌。采用多尺度法分析了非线性模态方程的稳态解及其稳定性,由此进一步确定了驱动频率和驱动力平面上的分岔集。给出了所考虑情形下扬声器分谐波的阈值电压公式,该阈值电压低于无内共振时的阈值电压。除出现非轴对称模态的1/2分谐波振动外,2个模态的振幅经Hopf分岔后作极限环运动,并经倍周期分岔进入混沌运动。混沌出现是由于2个模态间能量的强烈交换。理论结果和实验结果基本吻合,该一致性表明了所建扬声器非线性薄壳模型的正确性。 相似文献
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研究了扬声器辐射体旋转薄壳几何非线性引起的谐波失真。采用摄动法和有限元法确定了2次和3次谐波振型,计算了薄壳材料参数和几何参数对谐波失真的影响。结果表明扬声器薄壳谐波失真的机制是分割振动模态的基波共振和超谐波共振,以基波共振为主。采用高阻尼、大杨氏模量和低密度的振膜材料可以降低振膜谐波失真;厚度对谐波失真的峰值影响不大;锥壳半顶角过大,可使3次谐波明显增大。 相似文献
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以B i2O3/B2O3为主助熔剂和加速坩埚旋转技术改进的高温助熔剂法生长出掺B i复合稀土铁石榴石TbxYbyB i3-x-yFe5O12单晶.研究了该系列晶体材料在近红外通信波段(波长λ=1500~1620nm)处的磁光性能,其中Tb0.91Yb1.38B i0.71Fe5O12单晶有大的比法拉第旋转角-1671.2°/cm(λ=1550nm,25℃),小的饱和磁化强度(4πM s=0.6×106A/m),小的法拉第旋转温度系数(FTC=3.92×10-5/K,λ=1550nm),在λ=1500~1620nm波长范围的法拉第旋转波长系数FWC(25℃)为0.009%/nm,在λ=1500~1620nm波长和25~95℃温度范围内反向隔离度>40dB.综合性能表明TbxYbyB i3-x-yFe5O12适合用作光通讯系统中宽带和温度稳定的高性能光隔离器的法拉第转子材料. 相似文献
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利用化学键合的方法,将合成的以四甲基四乙烯基环四硅氧烷(D4vi)为核的聚碳硅烷类有机硅树枝状大分子涂敷到毛细管电泳柱的内壁,并用其来分离碱基及其衍生物。由于树枝状大分子球状立体,能够在毛细管内壁形成一层牢固、具有一定厚度的涂层,该涂层能有效抑制碱性物质的吸附,显著提高分离柱效,柱效达到3.80×104plates/m;树枝状大分子的骨架为硅碳键,性能稳定,耐酸碱,形成涂层牢固,迁移时间重现性能良好。实验进一步讨论了涂敷次数对分离效果的影响,结果表明,二次涂敷的分离效果最好,分离柱效达到14.79×104plates/m。 相似文献
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