水分子在不同电荷态的重离子作用下的离化作用

运用舍时密度泛函理论和局域密度近似方法，计算了水分子H2O在速度为12．5a0／fs的重离子C^＋和C^2＋作用下产生的各种电荷态的水分子离子的几率，平均逃逸电子敷和偶极矩的变化随时间的演化，计算结果表明，在重离子势最大时，电偶极矩的变化最大；重离子远离分子时，重离子的电荷态越高，产生高电荷态分子的几率反而越小。     

正丁基苝四羧酸二酰亚胺的晶型和性能研究

文章合成了N,N'-二正丁基苝四羧酸二酰亚胺,并纯化、调晶,进行了IR、元素分析、X射线等测定.分析该化合物在DMF中的紫外光谱(最大吸收波长524.80 nm)、荧光光谱(最大发射波长539.0 nm)、Stokes位移(数值15 nm)等光谱性质.在400～700 nm范围内,α晶型薄膜紫外-可见吸收出现很强的吸收峰,且由β型变为α型,最大吸收波长有明显的红移(545 nm变为580 nm).X射线粉末衍射也反映出α晶型的2θ在26.0°处衍射峰CPS为2 508,β型在25.2°为1 891.α,β晶型作为电荷产生材料制得的功能分离型有机光导体,在光源滤波波长λ=532 nm曝光下,测得含α,β感光体达到饱和电位的时间分别为46,93.98 s,光衰电位(5.3千伏电压负充电电晕,1～2 s后的表面电位)分别为727和525 V,半衰曝光量分别为4.32,4.34μJ·cm-2,残余电位分别为30和45 V等光导性能数值.     

C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度

本文对用C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度的方法进行了理论和实验分析. pn结的存在所造成的埋沟MOS结构C-V曲线的畸变为沟道载流子浓度的提取带来一些问题. SiC/SiO₂界面上界面态的存在也会使提取出的数值与实际数值产生偏差. 本文首先从理论上分别分析了沟道深度和界面态对沟道载流子浓度提取结果的影响，然后对两种沟道深度的埋沟MOS结构C-V曲线进行了测试，提取出了沟道掺杂浓度. 在测试中，采用不同的扫描速率，分析了界面态对提取结果的影响. 理论分析结果和实验测 关键词： C-V法 SiC 隐埋沟道MOSFET 沟道载流子浓度     

用VaR度量石油市场的极端风险

本文采用2001年11月到2005年6月国内原油价格的调度数据,运用基于GED分布的GARCH模型度量了国内油市的极端上涨和极端下跌时的VaR,得到如下两点结论：第一,国内油市存在ARCH in Mean 效应,表明收益与风险是正相关的,同时也意味着国内油市违背了有效市场假说,进一步的分析表明国内原油的定价机制和流通体制是造成市场非有效的主要原因;第二,上涨风险的平均水平要高于下跌风险的平均水平,这是石油市场供需双方的非对称市场地位决定的,石油生产者可以利用市场势力和上下游一体化的组织形式,将部分下跌风险转嫁给石油需求者,而石油需求者则缺少有效的措施来应对油价上涨.     

浅谈流媒体技术及几种主要的实现方式

流媒体技术产生于互联网发展的初期．即窄带时期，当时互联网的通信技术和网络建设比较落后．人们仅能以很低的连接速度在互联网上获取静态的图信息，随着互联网的发展及网络建设和通信技术的进步，人们已不满足于仅仅在互联网上获取静态的字和图像资料，而想获得更多的有声有色的多媒体信息，这就涉及了多媒体信息的传输问题。在     

碳化硅混合PiN/Schottky二极管的二维模拟

利用模拟软件MEDICI对碳化硅混合PiN/Schottky二极管(MPS)的输运机理及伏安特性进行了模拟.输运机理的模拟结果表明MPS的工作原理是正向肖特基起主要作用,而反向时PN结使漏电流大大减小.伏安特性的模拟结果表明MPS的正向压降小,电流密度大,在2V正向偏压下达10-5A/μm,反向漏电流小,击穿电压高(2000V左右),可以通过改变肖特基和PN结的面积比来调整MPS的性能,与硅MPS、碳化硅PN结以及碳化硅肖特基二极管相比具有明显的优势,是理想的功率整流器.     

氟化物玻璃光纤预制棒的制备

以AlF_3作为调节氟化物玻璃折射率的掺杂剂。用内铸法制得了具有波导结构的预制棒。     

四方相钛酸锶钡陶瓷中介电损耗频率响应的分岔现象

在空冷的四方相钛酸锶钡陶瓷中观测到介电损耗-温度关系对测量频率依赖关系的分岔现象.即高频测量时,出现单一的损耗峰,随着测量频率的降低,单一的损耗峰分裂成两个损耗峰,该现象只在升温时出现.内耗在相应温区亦在升温时出现两个相变型内耗峰.由于该温区内的畴界运动不可能引起相变,该相变分岔现象可能是温度变化时,空冷样品中氧缺位组态变化所致.     

具有性质(G'_k)的Wakamatsu倾斜模

本文引进了具有性质(G'k)的Wakamatsu倾斜模的概念,并用同调有限子范畴的性质对其进行了刻画．