ZnO-SnO2透明导电膜的低温制备及性质

在室温下,采用射频磁控溅射法在7059玻璃衬底上制备出ZnO-SnO2透明导电薄膜.制备的薄膜为非晶结构,并且薄膜的电阻率强烈地依赖于溅射气体中的氧分压.薄膜的最小电阻率为7.27×10-3Ω*cm,载流子浓度为4.3×1019cm-3、霍尔迁移率为20.5cm2/(V*s),在可见光范围内的平均透过率达到了90%.     

FDLC薄膜的化学结构对光学性能的影响

研究氟化类金刚石（FDLC）薄膜化学结构对光学性能的影响，用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）法在玻璃基底上沉积氟化类金刚石（FDLC）薄膜，用俄歇能谱、傅里叶红外光谱(FTIR)、紫外 可见光分光光度计 (UV-VIS)对薄膜进行分析。分析结果表明：沉积薄膜是典型的类金刚石结构，薄膜中氟主要以C-F2键存在；随着沉积温度的提高，C-F2含量先增后减；随着F含量的增加，FDLC薄膜的sp3含量减少，sp2含量增加；光学带隙与sp2键含量密切相关，sp2含量越大，薄膜的光学带隙越小。     

射频磁控溅射ZnO薄膜的光致发光

用射频磁控溅射法在硅衬底上沉积出具有良好的择优取向的多晶 Zn O薄膜 .在室温下进行光致发光测量 ,观察到明显的紫光发射 (波长为 4 0 2 nm )和弱的紫外光发射 (波长为 384 nm ) .紫光发射源于氧空位浅施主能级到价带顶的电子跃迁 ;紫外光发射则源于导带与价带之间的电子跃迁 .随着光激发强度的增加 ,紫光发射强度超线性增强 ,且稍有蓝移 ,而紫外光发光强度则近似线性增加 .在氧气中高温退火后 ,薄膜结晶质量明显提高 ,紫光发射强度变弱 ,紫外光发射相对增强 .     

F-DLC疏水性能的研究

用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法沉积氟化类金刚石(F-DLC)薄膜。俄歇电子能谱分析表明,制备的碳膜为典型的类金刚石结构。接触角测量仪测量了沉积在玻璃基底上的F-DLC薄膜的接触角,采用傅里叶红外分析了薄膜价键结构,原子力显微镜分析了薄膜表面粗糙度;结果表明,氟的掺入稳定了弱极化基团CF2的含量,同时使得薄膜表面平整,薄膜与水的浸润性变差,改善了薄膜疏水性能。研究表明,流量比、沉积温度、退火温度、沉积功率对接触角的影响是先增后减,这主要是由于CF2含量和薄膜表面粗糙度的变化造成的。     

不同衬底上的ZnO薄膜紫外光致发光

用射频磁控溅射法在蓝宝石、硅和石英衬底上沉积出具有好的择优取向的多晶ZnO薄膜. 在270 nm波长的光激发下室温下可观察到显著的紫外光发射（波长为356 nm）和较弱的蓝光发射（波长为446 nm）. 经高温退火后薄膜的结晶质量显著提高, 在蓝宝石、石英衬底上沉积的薄膜，其积分发光强度分别增加了7倍和14倍.而硅衬底上的膜发光强度增强不太显著.紫外光发射源于电子的带间跃迁，而蓝光发射是由电子从氧空位浅施主能级到价带顶的跃迁引起的. 关键词： ZnO薄膜 射频磁控溅射 紫外发光 退火     

不同有机衬底上沉积的ZnO ∶Al透明导电膜的研究

用射频磁控溅射法在不同的有机衬底上制备出附着性好、电阻率低、透射率高的 Ｚｎ Ｏ∶ Ａｌ的透明导电膜,并研究了薄膜的结构、电学和光学特性。     

SiC和GaN系列蓝色发光二极管的研制

本文简述了ＳｉＣ和ＧａＮ材料的制备过程及以该材料为基础所制造的蓝色发光二极管的制作方法和发光特性。     

为什么可用l（l＋1）代替l~2

为什么可用ｌ（ｌ＋１）代替ｌ￣２Ｐ．Ｗ．Ｍｉｌｏｎｎｉ在量子力学中为什么可以用ι（ι１）代替ι￣２？这里ι是角动量量子数．在一些导论性的教科书中这个特别的结果是作为一种特殊的量子力学效应提出的，即空间量子化（问题的确如此）．但似乎没有很容易的方法理解...     

退火对射频溅射法制备a—Si：H：Y合金薄膜结构和性质的影响

对射频溅射法制备的ａ－Ｓｉ：Ｈ：Ｙ薄膜进行电子衍射、红上吸收和卢瑟福级散射测试，结果表明，退火可从以下几方面摹结构和性质，使合金膜晶化，从非晶态向多晶或单晶态转化，改变原子间的键合状态，将某些Ｓｉ－Ｈ键断裂，形成更多的Ｓｉ－Ｙ键；Ｙ原子向Ｓｉ衬底方向扩散，使膜表面Ｙ的浓度降低，Ｓｉ：Ｙ的合金层厚度增大。     

GaN紫外光探测器

评述了近年来在ＧａＮ紫外光探测器方面的研究进展。介绍了ＧａＮ光电导探测器、ｐ－ｎ结二极管探测器、肖特基势垒探测器以及ＭＳＭ结构探测器的制备方法、光电参数及研究现状。