SiC和GaN系列蓝色发光二极管的研制

本文简述了Sic和GaN材料的制备过程及以该材料为基础所制造的蓝色发光二极管的制作方法和发光特性。     

射频磁控溅射ZnO薄膜的光致发光

用射频磁控溅射法在硅衬底上沉积出具有良好的择优取向的多晶ZnO薄膜.在室温下进行光致发光测量,观察到明显的紫光发射(波长为402nm)和弱的紫外光发射 (波长为384nm).紫光发射源于氧空位浅施主能级到价带顶的电子跃迁;紫外光发射则源于导带与价带之间的电子跃迁.随着光激发强度的增加,紫光发射强度超线性增强,且稍有蓝移,而紫外光发光强度则近似线性增加.在氧气中高温退火后,薄膜结晶质量明显提高,紫光发射强度变弱,紫外光发射相对增强.     

射频磁控溅射法制备ZnO薄膜的绿光发射

用射频磁控溅射法,在硅衬底上制备出具有良好的(002)择优取向的多晶ZnO薄膜。研究了室温下薄膜的光致发光特性,观察到显著的单绿光发射(波长为514nm)峰。在氧气中830℃高温退火后,薄膜结晶质量明显提高,绿光发射峰强度变弱;在真空中830℃高温退火后,绿光发射峰强度增加。绿光发射源于氧空位深施主能级到价带顶的电子跃近。     

DLC/Ag/DLC复合多层薄膜光学性能

采用等离子体增强化学气相沉积类金刚石(DLC)薄膜、高真空磁控溅射镀膜设备溅射Ag靶的方法制备了不同厚度Ag、DLC层的DLC/Ag/DLC多层膜,分别用紫外可见分光光度计、四探针测试仪对样品的光学性能、电学性能进行了测试.结果表明,随着Ag层厚度的增加,DLC/Ag/DLC多层膜透射率先增后减,外层DLC薄膜和内层DLC薄膜对透射率影响基本一致,随着厚度增加透射率先增后减,在内外层厚度为40 nm,Ag夹层厚度为16 nm时,DLC(30 nm)/Ag(16 nm)/DLC(40 nm)膜在550 nm处的透射率高达94.4%,电气指数高达112.4 ×10-3Ω-1,远远超过现有透明导电膜的电气指数(FTC≈20×10-3Ω-1).     

用MOCVD方法制备的n型GaN薄膜紫外光电导

报道了用MOCVD方法制备的非掺杂的和Mg弱掺杂的n型GaN薄膜的紫外光电导特性.结果表明这些n型样品具有显著的紫外光响应,而且光响应弛豫时间也较短.在弱光范围,光响应随光强的变小呈线性减弱,且光响应的弛豫时间变长.     

ZnO-SnO_2透明导电膜的低温制备及性质

在室温下,采用射频磁控溅射法在70 5 9玻璃衬底上制备出Zn O- Sn O2 透明导电薄膜.制备的薄膜为非晶结构,并且薄膜的电阻率强烈地依赖于溅射气体中的氧分压.薄膜的最小电阻率为7.2 7×10 - 3Ω·cm,载流子浓度为4 .3e1 9cm- 3、霍尔迁移率为2 0 .5 cm2 / (V·s) ,在可见光范围内的平均透过率达到了90 % .     

用常压CVD方法制备的氟掺杂的绒面SnO_2膜的电导特性

在１６～４００Ｋ的温度范围内，测量了用常压ＣＶＤ方法制备的氟掺杂绒面ＳｎＯ２薄膜的霍耳效应，研究了膜的电导率，载流子浓度和迁移率等电导参数对制备条件的依赖关系．电导对温度的依赖关系表明：简并的，晶粒较大的多品ＳｎＯ２∶Ｆ膜，在低于１００Ｋ的温度范围内，以电离杂质散射为主，在高于１００Ｋ的温度范围内，主要的散射机构是晶格散射．     

有机衬底SnO2:Sb透明导电膜的制备与特性研究

常温下,采用射频磁控溅射法在有机的柔性衬底上制备出了SnO2:Sb透明导电膜,并对薄膜的结构和光电性质进行了研究.制备的样品为多晶薄膜,并且保持了二氧化锡的金红石结构.性能良好的薄膜电阻率为6.5×10-3Ω·cm,载流子浓度为1.2×1020cm-3,霍耳迁移率是9.7cm2·V-1·s-1.薄膜在可见光区的平均透过率达到了85%. 关键词： 柔性衬底 SnO2:Sb透明导电膜 射频磁控溅射法