倒装焊芯片封装微通孔的一种失效机理及其优化方法

随着晶圆工艺节点的发展,封装集成度越来越高,封装有机基板的线宽和线距逐步减少,微通孔的数量增加,微通孔的孔径减少。球栅阵列(BGA)封装有机基板的微通孔失效一直是影响高性能和高密度芯片封装可靠性的主要问题。针对有机基板微通孔失效的问题,通过温度循环可靠性试验、有限元分析方法、聚焦离子束、扫描电子显微镜以及能谱仪等表征手段,系统研究了-65℃～150℃与-55℃～125℃500次温度循环加载条件下倒装焊的失效模式。结果表明,在-65℃～150℃温度循环条件下,有机基板微通孔由温度循环疲劳应力而产生微通孔分层,仿真表明-65℃～150℃下基板平均等效应力增加约8 MPa;通过改善散热盖结构,等效应力降低了21.4%,且能通过-65℃～150℃500次温度循环的可靠性验证,满足高可靠性的要求。     

广义相对论与连续介质力学在几何学中基于张量的统一及其应用

以张量作为工具,广义相对论与连续介质力学可以实现几何意义上的统一。二者的差别在于前者统一的是时空与物质,后者针对的是连续介质模型并需要考虑物性。这种统一具有数学上的形式,但其本质是物理的。这种统一可应用于引力理论和工程力学中的非协调变形等问题,对相关的教学和科研工作有参考价值。     

新经济对经济学理论的挑战

信息化生产力是一种与传统农业生产力和工业化生产力不同的新型生产力,必然产生与之相适应的生产关系,从而可能形成一种以“使用而非拥有”为中心,以异质性为特征的新经济形态。据此,本文转变理论分析切入的视角,集中讨论了这种新经济形态对经济学理论提出的挑战,揭示了在经济行为假定、价值理论、产权理论和合约理论、利润理论和租值理论等基本理论问题上发生的重大变化和赋予的新鲜内容。     

类钙钛矿甲酸盐的线性和非线性光学响应

采用原位溶剂热法合成了2种混合有机阳离子杂化甲酸盐(CH (NH₂)₂)[RE (HCOO)₄](RE=Y、Er)。这2种材料是同构的(手性空间群C222₁),并具有有趣的类钙钛矿结构。进行了包括线性和非线性光学特性在内的光物理研究。(CH (NH₂)₂)[Y (HCOO)4]和(CH (NH₂)₂)[Er (HCOO)₄]分别表现出5.59和5.61 eV的宽光学带隙,对应于222和221 nm的紫外吸收边缘。粉末倍频测量表明,(CH (NH₂)₂)[Y (HCOO)₄]和(CH (NH₂)₂)[Er (HCOO)₄]的倍频效应分别是基准KH₂PO₄(KDP)的0.32和0.37倍。测量得到(CH (NH₂)₂)[Y (HCOO)₄]和(CH (NH₂)₂)[Er (HCOO)₄]的双折射率分别为0.013和0.015。第一性原理研究表明,2个π共轭的(CH (NH₂)₂)⁺和HCOO^-基团是光学性质的主要贡献者。     

基于PSO-RF的GNSS-IR土壤湿度反演方法研究

基于全球导航卫星系统干涉测量(Global Navigation Satellite System Interferometry and Reflectometry,GNSS-IR)的土壤湿度监测弥补了传统测量方法的不足,是近年来遥感领域研究的热点.针对以往研究多采用全球定位系统(Global Positioning ...     

自动化中数字通信技术的应用探究

现阶段工业技术得到快速发展,数字通信技术的运用具有显著优势,能够实现远距离、大容量以及高质量的数字通信,是现代通信发展的主要方向.通过分析数字通信技术的优缺点及在现阶段的发展运用,并阐述其在配电自动化技术中的运用.配电自动化通信系统具备数据传输、收集、远程控制、现场传输以及全程监控报警自动化等新模式,还能够根据系统需要...     

水中电爆炸的实验研究

利用冲击大电流通过水中的一段金属丝进行水中电爆炸实验 ,通过对水中电爆炸的放电电压、电流波形测量以及高速阴影摄影和扫描摄影 ,记录了冲击波的传播、汽泡增长和等离子体半径的时间特性 ;由不同充电参数的实验 ,得到了一些基本规律。比较了水中电爆炸和空中电爆炸的异同 ,揭示了水中电爆炸存在的放电模式。     

TD标准的意义

当年作为通信专业的学生，我曾长期困惑一个问题，为什么同一项通信技术总会有美国和欧洲2种国际标准？全球执行一个统一标准该多好，为什么要人为制造国际间的通联障碍？而且，很多国际电信标准明明是以企业为主导提出来的，为什么不叫摩托罗拉标准、爱立信标准？而是被叫为美标和欧标？     

每门延迟时间为19.6ps的GaAs IC

<正> 日本电电公社武藏野电气通信研究所试制成功了15级的E/D结构的GaAsFET环形振荡器,每门延迟时间为19.6ps,功耗为8.6mW/门,这是室温工作的GaAs IC的最高值。该FET使用三层抗蚀层(抗蚀剂-SiO_2-抗蚀剂)和剥离方法,并利用抗蚀剂的钻蚀,将有效栅长缩短到0.5μm,同时降低源电阻。用离子注入方法,形成n~+漏区和源区。n~+层和肖特基栅金属的间距很短,小于0.3μm,这个距离可用最下层的抗蚀剂的钻蚀量来控制,如果该间距大于0.3μm,则源电阻就要增加,如果为零,栅耐压就要下降。器件采用了直拉法生长的掺铬     

在宇宙中制造砷化镓

<正> 美国的 Grumman 公司为在九十年代取得在宇宙中制造 GaAs 的主导权,在未来的三年内,将投资600万美元来进行研究。他们已经与美宇航局达成协议,共同开发。开始阶段是在航天飞机上实验,最终目标是到卫星上去制造 GaAs 晶体,再卖给其他厂家。他们计划最初的