基于压缩感知的脉冲体制雷达

本文提出一种基于压缩感知的脉冲体制雷达信号处理方案。在目标场景稀疏的前提下,对回波信号进行稀疏采样。构建一组时一频基,通过求解带约束的优化方程实现场景恢复,得到目标的距离和速度信息。该方法有别于传统雷达的处理方式,能够在低采样率条件下获得更高的时一频分辨率。仿真表明了该方法的有效性。     

Ca2CuO3的高压结构性质研究

 采用金刚石压砧高压装置（DAC）,对具有Cu—O链结构的Ca₂CuO₃的多晶粉末样品进行了高压同步辐射能散X射线衍射实验。实验结果表明,在0～34 GPa压力范围内,Ca₂CuO₃晶体没有发生结构相变,用Birch-Murnaghan状态方程拟合,得到在压力导数B′₀=4时,零压体弹模量B₀=165.4±1.8 GPa。     

基于Shearlet变换的SAR图像自适应去噪算法

针对SAR图像相干斑噪声的特点,提出了一种基于Shearlet变换的自适应去噪算法。首先对图像进行Shearlet变换,在考虑噪声度量和各尺度空间相关性的基础上,对Shearlet系数进行自适应收缩,将修正后的系数通过Shearlet逆变换重构图像。实验结果表明,文中算法在SAR图像处理相干斑得到有效抑制的同时,具有较强的边缘保持能力。     

n-GaN基Ti/Al/Ni/Au的欧姆接触高温特性

研究了在高温工作环境下Ti/Al/Ni/Au(15nm/220nm/40nm/50nm)四层复合金属层与n-GaN的欧姆接触的高温工作特性.退火后样品在500℃高温下工作仍能显示出良好的欧姆接触特性;接触电阻率随测量温度的增加而增大,且增加幅度与掺杂浓度有密切关系.掺杂浓度越高,其接触电阻率随测量温度的升高而增加越缓慢;重掺杂样品的Ti/Al/Ni/Au-n-GaN欧姆接触具有更佳的高温可靠性;当样品被施加500℃,1h的热应力后,其接触电阻率表现出不可恢复性增加.     

浅谈印度空海军预警机之发展

印度近十几年来大力发展预警机，文中通过分析印度上世纪末自研预警机、空军租用俄国“A-50”和引进以色列“费尔康”、海军引进“卡-31”再购“鹰眼”、恢复自研预警机以及印预警机的发展带来的问题及面临的挑战，对印度预警机的发展做了初步的研究。     

n-GaN/Ti/Al/Ni/Au欧姆接触温度特性及微结构研究

主要对n-GaN/Ti/Al/Ni/Au欧姆接触在高温下（500℃）的特性进行了研究，发现在所测温度范围内，接触电阻率随测量温度的升高呈现出增加的趋势，接触开始退化。同时分析研究了在不同高温、不同时间范围内（24h）欧姆接触高温存储前后的变化，分析发现对于温度不高于500℃、在24h内存储温度升高，接触电阻率增加。当样品被施加500℃，24h的热应力后，其接触电阻率表现出不可恢复性增加。通过X射线衍射能谱分析了高温前后欧姆接触内部结构的变化机理，经过500℃的高温后，Ti层原子穿过Al层与Ni层原子发生固相反应。     

解决RS－232长距离串行通信的一种实用方法

针对目前广泛使用的RS－232串行通信在实际应用中所存在的缺点,提出了利用电流环同RS－232进行接口来提高串行通信距离及抗干扰能力的一种简单实用方法。该方法已在许多场合应用,效果很好。     

基于SHARC处理器的数字脉冲压缩实现

用ADSP21060浮点数字信号处理器实现高性能、高精度的数字压缩,采用频域快速卷积法实现脉冲压缩,有效期讨论了实现中的几个问题,最后,对实测Et-na火山星载合成孔径雷达（SAR）数据进行二次压缩成像,并对结果进行了分析。     

高响应度InGaAs PIN光电探测器的研制

分析了影响探测器响应度的各因素，在此基础上设计了InGaAs/InP PIN探测器的外延材料结构并优化了增透膜厚度和p-InP区欧姆接触电极图形的设计，以达到提高响应度的目的。采用MOCVD技术和闭管扩散等工艺制备了器件并测量了其响应度。结果显示，器件的光谱响应范围为1000-1600nm，在1500nm激光的辐照下，5V反向偏压时器件的响应度可达0.95A/W以上。     

n-GaN 基 Ti／AI／Ni／Au的欧姆接触高温特性

研究了在高温工作环境下Ti／A1／Ni／Au（15nm／220nm／40nm／50nm）四层复合金属层与n-GaN的欧姆接触的高温工作特性，退火后样品在500℃高温下工作仍能显示出良好的欧姆接触特性；接触电阻率随测量温度的增加而增大，且增加幅度与掺杂浓度有密切关系，掺杂浓度越高，其接触电阻率随测量温度的升高而增加越缓慢；重掺杂样品的Ti／A1／Ni／Au-n-GaN欧姆接触具有更佳的高温可靠性；当样品被施加500℃，1h的热应力后，其接触电阻率表现出不可恢复性增加。