高负偏光照稳定性的溶液法像素级IZTO TFT

采用溶液法制备了铟锌锡氧化物(indium-zinc-tin-oxide, IZTO)有源层薄膜和铪铝氧化物(hafnium-aluminum oxide, HAO)绝缘层薄膜,并成功应用于背沟道刻蚀结构(back-channel etched, BCE)IZTO薄膜晶体管(thinfilm transistor, TFT)像素阵列.利用N2O等离子体表面处理钝化IZTO缺陷态,提升溶液法像素级IZTO TFT器件性能,特别是光照负偏压稳定性.结果表明,经N2O等离子体处理后,器件饱和迁移率提升了接近80%,达到51.52 cm~2·V^–1·s^–1.特别是3600 s光照负偏压稳定性从–0.3 V提升到–0.1 V,满足显示驱动的要求.这进一步说明经N₂O等离子体处理后能够得到良好的溶液法像素级IZTO TFT阵列.     

低压电力线载波通讯技术在中国智能电网中的应用现状及发展方向

随着低压电力线载波通讯技术在中国智能电网建设中的逐步应用,载波抄表已成为低压集抄系统采用的主要方案。本文在介绍各主要载波厂商技术方案的基础上审视了各厂家低压电力载波技术的发展历程,并根据目前掌握的最新情况,探讨低压电力线载波通讯技术的未来发展方向。     

溶胶凝胶法制备透明IZO薄膜晶体管

采用溶胶凝胶法制备了非晶铟锌氧化物(a-IZO)薄膜,并作为薄膜晶体管(TFT)的有源层制备了a-IZO TFT。研究了IZO薄膜中铟锌比对薄膜性质及a-IZO TFT器件性能的影响。结果表明:溶胶凝胶法制备的IZO薄膜经低温(300℃)退火后为非晶结构,薄膜表面均匀平整、致密,颗粒大小为20 nm左右,并具有高透过率(>85%)。IZO薄膜中的铟锌比对薄膜的电学性能和TFT器件特性影响显著,增加In含量有利于提高薄膜和器件的迁移率。当铟锌比为3∶2时,所获得的薄膜适合于作为薄膜晶体管的有源层,制备的IZO-TFT经过相对低温(300℃)退火处理具有较好的器件性能,阈值电压为1.3 V,载流子饱和迁移率为0.24 cm2·V-1·s-1,开关比(Ion∶Ioff)为105。     

IVIFS环境下基于模糊熵和得分函数的多准则决策方法

在区间直觉模糊环境和各准则的信息完全未知的条件下,本文提出了一个基于模糊熵和得分函数的多准则决策方法.基于区间直觉模糊集的准则形式,本文给出了模糊熵模型,从而可以确定各准则的权重.在决策方法方面,作者提出了区间直觉模糊集的加权记分函数和加权精确函数,解决了记分函数无法解决的加权问题的难题,同时给出了一种新的决策方法.最后,文章通过实例说明了该方法的可行性和有效性.     

浅议印制电路板蚀刻废液实用再生技术

目前印制电路板蚀刻废液的再生及循环利用,已受到工业界的广泛关注。简要介绍、分析了两种蚀刻废液实用的再生技术。酸性蚀刻废液膜电解技术可同时实现酸性蚀刻废液再生和铜回收,节约大量的氧化剂和盐酸;碱性蚀刻废液萃取-电积技术再生的同时,也可以回收铜。蚀刻废液再生可实现资源最高效的循环利用,预计具有较广阔的应用前景。     

AgO_x界面插入层对GZO电极LED器件性能的影响

采用磁控溅射的方法在p-GaN上制备了GZO透明导电薄膜,通过在p-GaN和GZO界面之间插入AgOx薄层来改善LED器件的接触性能。研究结果表明:氮气退火后,采用界面插入层的AgOx/GZO薄膜电阻率为5.8×10-4Ω.cm,在可见光的透过率超过80%。AgOx界面插入层有效地降低了GZO与p-GaN之间的接触势垒,表现出良好的欧姆接触特性,同时使LED器件的光电性能获得了显著的提高。在50 mA的注入电流下,相比于常规的GZO电极LED器件,AgOx/GZO电极LED器件的正向电压由9.68 V降至6.92 V,而发光强度提高了13.5%。     

成像板伽马图像测量研究

研究了成像板辐射图像测量的基本原理及其物理机制,并将其应用于伽马图像测量。建立了MS,SR和TR三种类型成像板数值模拟模型,分别使用MCNPX程序和基于Geant4开发的NPE程序计算了三种成像板对不同能量伽马射线的能量沉积,计算结果表明:SR和MS成像板比TR成像板能量沉积在低能部分大3~5倍,高能部分大7~9倍。实验测量了MS成像板灵敏度随铜膜厚度的变化关系,测量结果与理论计算结果有较好的一致性。理论与实验结果表明:成像板伽马图像测量的空间分辨力优于50 m。     

聚乙烯醇的制备及其分子链键合方式的测定

对物理化学综合性实验“聚乙烯醇的制备及其分子链键合方式的测定”进行了研究,得出了最优制备聚乙酸乙烯酯（PVAc）的实验方案。对PVAc醇解得到聚乙烯醇（PVA）,采用黏度法测定了聚乙烯醇被高碘酸盐降解前后的相对分子质量,从而计算出PVA分子链中“头尾相接”和“头碰头”2种键合方式的比例。     

Reshock Response of 2A12 Aluminum Alloy at High Pressures

By means of mounting the specimen on a low-impedance buffer, reshock experiments were carried out on a 2A12 almninum alloy up to shock stresses＇ of 67.6 GPa. Reshock wave profiles from the initial shock stresses of 60.9-67.6 GPa were measured with a velocity interferometer, and it shows that the 2A12 aluminum alloy characterizes as quasi-elastic response during recompression process. The Lagrange longitudinal velocities along the reloading path from initial shock state were obtained from two shots of experiments, while the bulk velocities at corresponding shock stresses were determined via extrapolating from the public reported unloading plastic sound velocities. Combining the reshock and the release experimental results, the yield strength of 2A12 aluminum alloy at shock stress of 60.9 GPa was estimated to be about 1.7GPa.     

斜入射情况下基于SHS的手征平板反射特性研究

从手征材料的本构方程出发,利用斜入射情况下基于SHS(softandhardsurfaces)的手征平板反射系数,对其特性进行了分析。然后推导计算了线性极化平面波斜入射到手征平板上的极化螺旋度向量,并对反射波的极化方式进行了分析。结果显示反射波的极化方式会发生改变,且反射波中含有交叉极化项。