Effects of electrical stress on the characteristics and defect behaviors in GaN-based near-ultraviolet light emitting diodes

The degradation mechanism of GaN-based near-ultraviolet (NUV, 320-400 nm) light emitting diodes (LEDs) with low-indium content under electrical stress is studied from the aspect of defects. A decrease in the optical power and an increase in the leakage current are observed after electrical stress. The defect behaviors are characterized using deep level transient spectroscopy (DLTS) measurement under different filling pulse widths. After stress, the concentration of defects with the energy level of 0.47-0.56 eV increases, accompanied by decrease in the concentration of 0.72-0.84 eV defects. Combing the defect energy level with the increased yellow luminescence in photoluminescence spectra, the device degradation can be attributed to the activation of the gallium vacancy and oxygen related complex defect along dislocation, which was previously passivated with hydrogen. This study reveals the evolution process of defects under electrical stress and their spatial location, laying a foundation for manufacture of GaN-based NUV LEDs with high reliability.     

Theoretical Study on Destruction Mechanism of 2,3,7,8-TCDD by O3 and NO3

采用B3LYP/6-31G(d)方法优化获得O₃及NO₃降解2,3,7,8-TCDD反应通道上驻点的几何构型, 得到微观反应进程,并采用MP2/6-311G(d,p)//B3LYP/6-31G(d)方法计算得到相关反应的活化能. 研究表明,O₃和NO₃采用不同的方式对2,3,7,8-TCDD进行降解. O₃通过臭氧加成及碳碳双键断裂使2,3,7,8-TCDD降解,而NO₃通过氯取代反应使得2,3,7,8-TCDD上2,3,7,8取代位置上的氯原子被取代为氧原子,从而达到有效降解的目的. O₃降解2,3,7,8-TCDD的反应能垒显著小于NO₃降解2,3,7,8-TCDD的反应能垒,表明O₃降解2,3,7,8-TCDD的能力显著高于NO₃.     

Time-varying formation for general linear multi-agent systems via distributed event-triggered control under switching topologies

This paper investigates the time-varying formation problem for general linear multi-agent systems using distributed event-triggered control strategy.Different from the previous works,to achieve the desired time-varying formation,a distributed control scheme is designed in an event-triggered way,in which for each agent the controller is triggered only at its own event times.The interaction topology among agents is assumed to be switching.The common Lyapunov function as well as Riccati inequality is applied to solve the time-varying formation problem.Moreover,the Zeno behavior of triggering time sequences can be excluded for each agent.Finally,a simulation example is presented to illustrate the effectiveness of the theoretical results.     

QuEChERS-液相色谱-串联质谱法测定蔬菜中105种农药残留

通过优化QuEChERS前处理方法并结合液相色谱-串联质谱（LC-MS/MS）技术建立了蔬菜中105种典型杀虫剂、杀菌剂、除草剂、植物生长调节剂的多残留测定方法。目标化合物使用乙腈提取,以150 mg乙二胺-N-丙基硅烷（PSA）、150 mg封端十八烷基键合硅胶吸附剂（EC-C₁₈）、30 mg石墨化炭黑（GCB）作为基质提取液净化剂。实验结果表明,在0.010~0.200 mg/L范围内,105种目标化合物的线性相关系数（r）>0.99,方法定量限为0.010 mg/kg;3个添加水平的回收率范围为68.2%~108%,相对标准偏差（RSD）为1.02%~11.8%。该方法快速简便,净化效果好,可用于蔬菜中日常农药残留的测定。     

基于运动学非完整约束的里程计参数在线辨识

针对里程计标度因数误差以及安装误差对捷联惯导/里程计组合导航精度存在较大影响的问题,提出一种基于运动学非完整约束的里程计参数在线辨识方法。通过建立航位推算误差模型,利用里程计输出,计算车辆的向心加速度,并与捷联惯导的加速度计输出计算的向心加速度做差作为量测之一;将里程计与捷联惯导输出的速度做差作为量测之二;通过卡尔曼滤波实现里程计标度因数误差以及安装误差的在线辨识。仿真结果表明,该方法组合导航相比速度组合导航,当车辆行驶960s,其东向定位精度提高19.6 m,北向定位精度提高14.2 m。仿真和车载试验结果均表明该方法能实现里程计参数的有效辨识以及航向安装偏差角的估计,有助于提高组合导航精度。     

地下矿山通信技术分析及其应用

为解决国家地下矿山工作的顺利开展,地下矿山生产发展过程中应用到通信技术,本文就针对在地下矿山的发展趋势进行分析,提出对地下矿山通信技术分析与应用情况,包括无线地面公共通信系统、地下小灵通系统、Wi-Fi综合通信系统、泄漏电缆通信系统以及有线无线通信技术等,通过对这些技术的分析能够促进地下矿业技术的改进和完善,促进无线信...     

基于虚拟刻度原理对放射性体源效率刻度方法的发展

采用蒙特卡罗模拟计算的方法,标定能够适用于不同HPGe探测器上的体源虚拟点源位置,需要对点源、体源的探测效率进行模拟计算。通过²⁴¹Am、¹³⁷Cs、⁶⁰Co点源和体源研究了HPGe晶体尺寸、类型对它们的虚拟点源位置的影响,模拟结果表明²⁴¹Am虚拟点源位置随着探测器尺寸、类型的不同呈现明显的差异性,说明虚拟刻度原理对于探测器表面的小体积样品测量在低能区间是不可取的,最后采用¹³⁷Cs、⁶⁰Co源得出体源高度与虚拟点源位置的半经验公式。通过实验室两台HPGe探测系统对尺寸Φ70 mm×65 mm标准土壤体源的探测效率进行计算,与模拟探测效率值、虚拟点源效率表征结果对比分析,验证了拟合一组表征虚拟点源位置的半经验公式是可行的。实验结果表明,对γ能量区间在300～2 000 keV进行体源的虚拟刻度时,选择可靠的定标源即可建立体源和虚拟点源位置的关系。这为解决监测工作中样品与探测器之间重复进行探测效率校准的问题提供了新的途径。     

土壤样品中微塑料的分析方法研究进展

微塑料作为一种新型污染物,因其粒径小、难以降解、本身含有多种污染物、且易吸附疏水性有机污染物和重金属等产生复合污染,已成为国内外学者研究的热点问题.微塑料广泛存在于土壤环境中,进入土壤中的微塑料会影响土壤理化性质,同时影响土壤动物生长、植物生长和微生物活动等,并且,微塑料会在土壤中发生迁移或沿食物链传递从而对人类健康构...     

LTCC基板BGA焊接剪切强度影响因素分析

通过横向对比的方法,分析了阻焊结构、通孔、焊球直径、阻焊开口尺寸对LTCC基板BGA焊接剪切强度的影响分析.结果 表明,阻焊结构的引入能够大幅提升BGA焊盘的剪切强度,且通孔的引入不会降低Ni/Pd/Au焊盘的剪切强度.剪切强度会随着焊球直径显著变化,且可通过增加阻焊开口尺寸获得提升.