策略的慎重选择

全球半导体工业出人意料地在2003年达到了1633亿美元，增长15．8％，远远超过2002年1．6％的增长水平。中国半导体工业也由於全球计算机、手机、消费类电子产品的制造加工继续向中国的转移，从而带动芯片市场的需求增加。2003年半导体销售额达2074．1亿元，合251．4亿美元，同比增长41％。     

氮气退火对锑掺杂氧化锡薄膜近红外阻隔性能的影响

采用射频磁控溅射的方法,用96at％SnO2/4at％Sb2O3陶瓷靶在玻璃表面制备了锑掺杂氧化锡(ATO)薄膜.研究了溅射功率、压强和后退火对薄膜近红外阻隔性能的影响,并采用Uv-Vis-NIR透射光谱、霍尔效应测试仪、XRD和SEM等设备对薄膜的性能和结构进行了测试和分析.结果表明,室温沉积的ATO薄膜近红外透光率较高,但在氮气中退火后,不同溅射压强和溅射功率下沉积的ATO薄膜的近红外透光率均显著降低.在氧含量为10％、压强为1.4Pa、溅射功率为200W时,室温下沉积的ATO薄膜在氮气中500℃下退火1h后,550nm处透光率由80.9％升高至85.8％,2 000 nm处透光率由84.6％下降至23.0％.     

用化学热解沉积法制备硫化镉薄膜的微结构

在载玻片或ITO涂覆的玻璃上采用化学热解法沉积CdS固体薄膜,沉积温度在350-540℃之间,部分制备的CdS薄膜进行200-600℃的退火热处理,由SEM,AFMT和XRD分析测量退火热处理前后的CdS薄膜的微观结构,结果表明,沉积温度低于540℃以下制备的CdS薄膜具有类六方结构相当于540℃沉积的CdS薄膜的晶料尺寸依赖于沉积温度及不同基体的情况也在本文中进行了讨论。     

如何帮助青少年解决网瘾问题?

10月27日,提请十届全国人大常委会的未成年人保护法草案增加新规定,建议国家采取措施,组织研究开发新技术,阻止未成年人沉迷网络游戏。听闻此则消息后,网康科技CEO袁沈钢自豪地告诉记者:“网康科技一直专注于互联网控制管理领域的研究和开发,青少年网瘾问题是我们很早就开始关注的重点。此次未成年保护法草案出台新规定,网康科技将随之加大对互联网控制管理领域的研发力量,希望继续为国家、为社会、为我们的青少年朋友做出更多的贡献。”据最新报告显示,在当前已突破1.23亿的中国网民当中,游戏玩家目前已经超过二千万,预计到2007年将超过…     

针对典型凹腔结构的三维柱面精准成像算法

主动式微波成像技术是以电磁波为媒介观察被测目标散射场并形成图像的手段.传统微波成像算法忽略了电磁波在目标内部结构中的耦合,导致包含多次散射的凹腔结构成像结果中往往伴随着十分严重的成像伪影.本文基于射线追踪原理,推导了圆柱扫描下二面角目标电磁波的传播规律.依据弹跳射线(shooting and bouncing rays, SBR)法中的相关思想,建立了典型凹腔结构的正向和逆向三维散射模型,并设计了完整的数据处理流程.仿真和实验结果表明了所提算法的有效性,为解决更复杂腔体的精准成像问题提供了基础.     

一种基于图注意力网络的异质信息网络表示学习框架

常用的异质信息网络有知识图谱和具有简单模式层的异质信息网络,它们的表示学习通常遵循不同的方法。该文总结了知识图谱和具有简单模式层的异质信息网络之间的异同,提出了一个通用的异质信息网络表示学习框架。该文提出的框架可以分为3个部分：基础向量模型,基于图注意力网络的传播模型以及任务模型。基础向量模型用于学习基础的网络向量;传播模型通过堆叠注意力层学习网络的高阶邻居特征;可更换的任务模型适用于不同的应用场景。与基准模型相比,该文所提框架在知识图谱的链接预测任务和异质信息网络的节点分类任务中都取得了相对不错的效果。     

一种MODIS遥感图像大气校正的快速算法

本文设计了基于大气辐射传输模型对MODIS遥感图像进行大气校正的一种新的快速算法。根据Kaufman气溶胶光学厚度反演方法的基本原理,建立了简化的气溶胶光学厚度反演模型,通过6S模型获取气溶胶光学厚度参数,利用经验公式计算大气反射率及大气透过率等参数,实现了MODIS遥感图像的快速大气校正。     

液体-压电晶片界面兰姆波激发的理论研究

对液体 -压电晶片结构中叉指换能器所激发的兰姆波进行了理论研究和数值分析 ,给出了兰姆波的相速度、叉指换能器激发兰姆波的机电耦合系数与压电晶片的归一化厚度、晶体切向之间的关系曲线 ,为液体密度兰姆波声传感器的研究提供了理论基础。     

一种有效处理冲突证据的组合方法

为了有效融合高度冲突的证据,提出一种新的基于证据距离的组合方法,首先引入了一个证据体距离函数,之后求出系统中各证据被其它证据所支持的程度,对支持度归一化后获得各个证据的可信度,并将可信度作为证据的权重,对系统中的证据加权平均后再利用Dempster组合规则实现信息融合,与其它方法比较,该方法在系统存在伪证据(干扰)时仍然能够有效快速地识别出目标。     

用于POF的高性能共振腔发光二极管

提出用AlGaAs材料为n型下DBR,AlGaInP材料为p型上DBR,GaInP/AlGaInP多量子阱为有源区来制备650nm波长的共振腔发光二极管（RCLED）.用传输矩阵法对器件的结构进行了理论设计,并制备了RCLED和普通LED两种结构.测试结果表明,RCLED有更高的发光效率,是普通LED的近1.3倍,当注入电流从3mA增加到30mA时,RCLED的峰值波长只变化了1nm,而普通LED的波长则变化了7nm,且RCLED的光谱半宽窄,远场发散角小. 关键词： 发光二极管 共振腔 金属有机物化学气相淀积