质子交换LiNbO3波导调制器多模截止波长的测试技术研究

提出并实验了一种采用倒置输入的结构来测定Y分支LiNbO3波导相位调制器的多模截止波长的新方法,模式耦合分析表明,倒置输入的Y分支波导的多模传输的输出功率具有随波长变动发生振荡的特征,该特征可用于定量判定多模截止波长.方法的有效性得到了波束传播法(BPM)仿真和样品实验两方面的验证.     

线性正则变换域的复能量密度函数

线性正则变换是经典Fourier变换的广义形式,目前在非平稳信号的参数检测与估计方面取得了优异的应用效果,但线性正则变换理论体系还不完善.探讨了线性正则变换相关的复能量密度函数的基本概念,并详细推导研究了其基本的数学性质与特点,在上述理论的基础上,通过仿真实验来验证所得到结论的准确性.为其在实际应用中发挥更大的作用奠定了基础.     

二次Lagrangian有限元方程的几何多重网格法

为了构造快速求解二次Lagrangian有限元方程的几何多重网格法,在选择二次Lagrangian有限元空间和一系列线性Lagrangian有限元空间分别作为最细网格层和其余粗网格层以及构造一种新限制算子的基础上,提出了一种新的几何多重网格法,并对它的计算量进行了估计.数值实验结果,与通常的几何多重网格法和AMG01法相比,表明了新算法计算量少且稳健性强.     

网络：深度融合加速覆盖已趋完善

就网络建设而言，TD三期工程已顺利完成，已覆盖全国238个主要城市，占全国地市级城市的70％，其中东部省份100％地市实现了覆盖，已实现对2G业务的迁移，业务数量已超150项，TD用户已占全国3G用户的50％；在基站设备容量、集成度、小型化、稳定性方面亦获得了明显改进，单基站容量已由原先9载波提升至27载波，     

STUDIES ON POLYMERIC DISPERSANTS Ⅰ. DISPERSION OF γ-Fe2O3 IN NON-AQUEOUS MEDIA WITH CARBOXYLATED POLY-n-BUTYL ACRYLATES AS DISPERSANT

Carboxylated poly-n-butyl acrylates were used as model polymeric dispersant. The effect ofpolymers on the dispersion of γ-Fe_2O_3 in cyclohexanone were studied through sedimentation testand rheological measurement. The polymers with strong anchoring groups at one end of the polymerchain were the most effective polymeric dispersant, which improved magnetic properties of the preparedcoatings significantly.     

上颌窦激光根治术的临床观察

本文介绍24例上颌窦激光根治术的手术方法,并对其手术并发症和术后处置等进行了讨论。上颌窦激光根治术比常规的上颌窦根治术具有较多的优越性,术中出血减少和减轻术中疼痛。因此,这种手术可以广泛地应用于临床。     

矩阵方程AXAT=C的对称斜反对称解

设A∈Rm×n,C∈Rm×m给定,利用矩阵的广义奇异值分解和对称斜反对称矩阵的性质,得到了矩阵方程(1)AXAT=C存在对称斜反对称解的充要条件和通解表达式;证明了若方程(1)有解,则一定存在唯一极小范数解,并给出了极小范数解的具体表达式和求解步骤.     

高分子薄膜的三维显微表征

高分子薄膜通常具有结晶、相分离等微尺度结构，同时在制备和加工过程中也会形成表面缺陷、气泡等不均匀结构，这些都会严重影响其性能。然而，表征这些结构目前还没有很好的方法。本文探究了数字全息显微镜（Digital Holographic Microscopy, DHM）这一原位、无损、高精度的光学三维显微技术在高分子薄膜表面及内部结构、缺陷表征中的应用。利用自建的DHM和三维连续定位算法对100 nm聚苯乙烯纳米颗粒在液相薄层中的分布、晶圆涂覆聚氨酯后表面的形貌、聚甲基丙烯酸酯薄膜与水的相分离过程、聚乙二醇薄膜干燥过程中的边缘结晶、聚乙烯醇薄膜内的微纳气泡进行了表征，证明DHM具有很高的成像分辨率，能够对高分子薄膜的表面和内部同时实现高精度的原位三维缺陷监测与结构表征，具有独特的优势和应用前景。     

Si(111)衬底GaN薄膜的制备与特性

用溅射后退火反应法在Si(111)衬底上制备的高质量GaN薄膜. XRD, XPS, SEM和PL测量结果表明该方法制备的GaN是六角纤锌矿结构的多晶. GaN的最大晶粒尺寸约为100 nm. 在354 nm处发现强室温光致发光峰, 带隙相对于体GaN发生了轻微蓝移.