浅析县级供电企业内部管理存在的薄弱环节

本文从县级供电企业内部的实际情况出发,对目前县级供电企业内部控制建设中的一些问题进行了分析,并且提出了一些可借鉴性的处理措施。     

模具表面的PVD改性

<正> 前言 提高模具的耐热、耐磨以及耐腐蚀性能通常指个两方面的工作。其一是对模具基体的热处理;其二是对模具表面的改性处理。模具表面改性的方法较多,有氮化、碳化以及氧化等化学处理方法,有化学气相沉积(CVD)法和物理气相沉积(PVD)法等镀膜的方法。PVD法是能够在工具钢(高速钢、模具钢)的回火温度下,在金属表面上沉积一层硬质膜的方法。特别是近几年发展起来的多弧离子镀沉积法,克服了以前离子镀的缺点和不足,使膜与基体的附着力显著提高。本文想介绍一些用PVD法得到的膜层的基本特性和在切削工具以及模具中的应用例子。     

基于灰色关联模型的作战效能影响因素分析

复杂电磁环境下,准确分析各种影响因素对电子装备作战效能的影响程度具有重要意义。针对统计方法不适用于数据样本少的的情况,利用灰色关联分析的方法,建立数据的灰色关联模型,结合实例对多种因素依据其与作战效能评估指标的关联程度进行排序,从中查找制约作战效能发挥的主要因素以指导装备实际的运用,分析结果与专家组评定基本符合。该方法在实践中已得到应用。     

UFPA探测单元的热学分析

用有限元方法对非致冷红外焦平面阵列(UFPA)的探测单元进行了有限元热分析,分析结果表明,微桥的结构可以显著地影响探测单元的热学性能,而且还得到了钛酸锶钡(BST)薄膜与红外辐射强度之间的线性关系、热饱和时间以及降温过程。利用得到的结果对探测单元尺寸进行了优化,制备出介电量热型UFPA探测单元,并分析了输出信号比期望值小的原因。     

4H-SiC MESFET的新型经验电容模型

基于器件工作机理,提出了一种新型的4H-SiC MESFET经验大信号电容模型。模型参数提取采用Lev-enberg-Marquardt优化算法,提取的模型主要参数具有一定物理意义。C-V特性的模型模拟结果与实验数据的比较表明两者符合良好。该模型还与CAD工具的通用电容模型进行了比较,结果表明新模型具有更高的精度。     

计算机系统的TEMPEST技术研究

针对计算机的电磁泄漏问题,利用经典的麦克斯韦方程组对计算机电磁信息辐射原理进行了分析,并引入偶极子计算电磁信息辐射场的频谱与场强,在对计算机电磁信息辐射接收机接收性能进行研究的基础上,详细计算了辐射场强与接收机带宽、噪声系数、接收天线定向性及增益之间的数值关系,阐述了计算机电磁信息泄露的方式和途径,概括了基于实际的计算机应用中电磁信息安全与防护的主要手段,为军事信息的反窃取研究工作奠定了基础。     

808nm高效率激光二极管

目前808nm高效率激光二极管产品的转换效率只有50%左右,还有很大的提升空间。通过提高欧姆接触层浓度、界面渐变和波导层掺杂等方面的外延材料结构优化,减小附加电压和电阻值,设计制作了808nm大光腔应变量子阱外延材料;并制作了200μm发光区标准单管,提取了材料内部参数,材料内损耗iα为0.67cm-1,内量子效率iη为0.88;将圆片解理成2mm腔长的巴条进行腔面镀膜,并烧结成标准单管,25℃下单管电光效率达到61.1%;将巴条烧结到微通道载体上,制作成标准微通道水冷单条阵列,水温15℃110A下输出光功率126.6W,电光转换效率62.77%。     

改进YOLOv5的航拍图像识别算法

航拍图像识别广泛应用于各类军用、民用领域,因其距离远、成像模糊、目标相互遮挡等特点使得目标检测准确度一直不高,针对这一问题,提出了一种基于YOLOv5模型的改进方法。通过引入数据增强和标签平滑方法、改进损失函数为DIoU和增加针对小目标的网络处理层来提高目标检测效果。实验结果表明,在相同训练条件下,改进后的YOLOv5算法对大多数种类的目标检测准确率都有所提升,平均精确率提高了17%,平均召回率提高了2%,mAP@0.5达到了70.4%,比原始模型提升了6.1%。     

Cr∶LiSAF再生放大系统

设计了灯抽运Cr∶LiSAF(Cr∶LiSrAlF6)飞秒再生放大系统 ,对 80fs光脉冲 (展宽后约 10 3ps)进行了再生放大研究 ,获得了再生放大的输出能量与输入能量和放大倍率与放大往返次数间的关系 ,得到了 8× 10 5的放大倍率和 0 4mJ的单脉冲再生放大输出     

注BF^＋2MOS电容的电离辐射效应

着重研究了γ辐照后,不同偏置情况下,N—Sub MOS电容的高频C—V曲线随B_2~+注入剂量的变化,并对实验结果进行了分析讨论。