基于EPON系统ONU端RS层的设计方案

提出了EPON调和子层(RS)在光网络单元端的设计思想.首先介绍了调和子层要实现的功能,然后对设计方案进行了系统的描述,对各个模块进行了介绍,最后给出了工作流程.     

基于改进模拟退火的遗传算法求解0-1背包问题

引入改进的模拟退火思想来改进遗传算法.本算法结合了遗传算法和模拟退火算法的优点,并有效地克服了各自的弱点,使其在优化性能、优化效率和可靠性方面具有明显的优越性.运用本算法求解不同种群规模的0-1背包问题,数值试验结果表明,算法既具有较快的收敛速度,又能够收敛到最优解,优于遗传算法和模拟退火算法.     

自适应动态延时调整的SERDES技术在宽带数据传输中的应用

针对宽带高速数传需求,提出了一种基于SERDES技术实现高速传输的解决方法。通过对串行器/解串器(SERDES)原理进行研究,提出了一种利用Idelay原语实现SERDES延时的自适应动态调整方法,可动态调整延时2.496 ns,解决了SERDES传输时固有的相位漂移问题。实验结果表明,基于SERDES技术,可实现60个通路、每路850 Mb/s的传输速度,满足了项目需求,且易于移植,对于高速、多路数传系统设计有参考意义。     

基于设备状态检测实现OTT BOX声音的智能输出

随着电视机起来越薄,其声音较难达到使人满意的效果。因此看电视时使用功放及音箱提高声音的质量已成为很多家庭的选择,但使用时手动选择声音输出到电视或功放是一件较烦琐的事。本文介绍基于设备的状态检测,实现OTT盒子的声音智能输出到电视或功放的软硬件相关设计。     

基于VXI总线技术的短波多通道调谐器设计

主要介绍基于VXI总线技术的短波多通道调谐器的组成及基本原理，对主要技术指标和关键技术实现进行详尽的分析论证，并针对VXI设备的特点对电路进行了小型化、一体化、及电磁兼容性优化设计。     

超薄体MOSFET的结构优化

对UTB器件的各结构参数进行了优化,给出了UTB器件设计的指导方向.在UTB器件的设计中,有三个重要参数,即器件的源漏提升高度、锗硅栅(GexSi1-x)中Ge含量的摩尔百分比和硅膜的厚度,并对这三个结构参数对器件性能的影响进行了模拟分析,给出了器件各结构参数的优化方向,找出了可行Ge含量的摩尔百分比和可行硅膜厚度之间的设计容区.通过模拟分析发现,只要合理选择器件的结构参数,就能得到性能优良的UTB器件.     

“合约制造”在国内悄然兴起

不知道你有没有注意到,联想在这几年里推出的高档掌上电脑并不是由自己的工厂制造的,而是委托台湾公司制造的。这是我国电子行业在更新中出现的新现象。用国际行话来说,是说联想启用了“合约制造”(Contract Manufacturing),为联想提供制造服务的台湾制造商是“电子制造服务商” (Electronics Manufacturing Service Provider-EMS)。     

退火时间对溶液法制备 Tips-Pentacene 电流传输特性的影响

通过测量p+Si/PEDOT∶PSS/Tips-PEN/Ag器件的J-V特性,研究了退火时间对溶液法制备Tips-PEN薄膜电流传输特性的影响。实验结果表明,在退火时间为2h和5h的条件下,随偏置电压的增加,双对数J-V曲线存在斜率依次为2,大于3以及2的不同区域,而在退火时间达到10h后,低电压下斜率为2的区域消失。根据空间电荷限制电流模型,分析了不同区域的电流传输机理,并提取了陷阱密度和空穴的迁移率。在退火时间为10h时,材料有最低的陷阱密度5.70×1018/cm3和最大的空穴迁移率1.68×10-4 cm2/(V·s),其在低偏置下传输特征的改变表明与溶剂残留有关的单一能级陷阱极大减小。