碳纳米管-TiO_2修饰电极伏安法测定维生素K_3

利用碳纳米管、二氧化钛两种纳米材料制成碳纳米管-TiO2复合膜修饰电极,进行了维生素K3电化学行为的研究。维生素K3在碳纳米管-TiO2复合膜修饰电极的电化学响应优于碳纳米管修饰电极,表明前者具有更好的催化作用。通过条件实验的优化,结果表明维生素K3在pH=9.42的氨水-NH4Cl底液中,富集时间为10s,富集电位于-0.60V,扫描速度为0.1V/s时有稳定的灵敏的氧化还原峰。峰电流与维生素K3浓度在3.0×10-6～8.0×10-5mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限为5.0×10-7 mol/L。考查了修饰电极的重现性,5次平行测量的RSD为1.78%。该方法用于片剂药品中维生素K3含量的测定,回收率在97.5%～102%之间。     

基于质谱技术识别脂质双键位置的研究进展

脂质在能量贮存和信号传递方面发挥着巨大作用,同时还是生物膜的主要组成成分。不饱和脂质双键位置不同,生理学意义和生物学功能会有很大差异,因此脂质双键位置的识别至关重要。质谱具有灵敏快速、准确度高等优势,已成为脂质结构研究的重要方法。近年来,不同原理的电离技术与选择性衍生反应迅速发展起来,与质谱相结合已广泛应用于多种脂质双键位置的识别。本文主要对这些新型质谱技术进行总结,并展望了其未来发展趋势。     

CdZnTe晶片中Te沉淀相的观察与研究

用透射电子显微镜、红外显微镜、红外光谱及差示扫描量热法观察研究了ＣｄＺｎＴｅ晶体中的Ｔｅ沉淀相．讨论了ＣｄＺｎＴｅ晶体中的Ｔｅ沉淀／夹杂的成因和区别，及其对红外透射比的影响；ＣｄＺｎＴｅ晶体的红外透射光谱和差示扫描量热法结果表明，当晶体中Ｔｅ沉淀相含量（ｗＴｅ）大于０．６ｗｔ％时，其红外透射比低于５５％，并随ｗＴｅ值的增大而下降；此结果可用Ⅱ－Ⅵ族半导体价带内光吸收机制解释．     

CMOS集成电路的抗辐射设计

随着商业微电子器件抗辐射能力的提高,使得对专用集成电路(ASIC)从设计上进行抗辐射加固成为可能.本文介绍了CMOS器件的抗电离辐射的主要加固设计方法,认为在商业工艺上可以获得低成本的中等复杂程度和耐辐射能力的专用集成电路(ASIC).     

DVB-S2技术的创新性分析简

本文阐述DVB—S2在信道编码方式、调制方式的改进与创新,展现DVB—S2的技术优势。     

氧燃烧方式下痕量元素形态转化的试验和模拟研究

结合热重试验及XRF测量,采用化学热平衡分析方法对煤中易挥发的有毒痕量元素砷、铬、锑和汞在不同燃烧方式下的化学形态及分布进行了研究。计算表明,在常规燃烧方式下,痕量元素在400-1800 K的温度范围内容易蒸发,生成气相单质或氧化物。富氧燃烧条件下,高浓度的CO2(g)以及碳颗粒温度的降低在一定程度上会抑制痕量元素的蒸发,同时CO2(g)也会抑制痕量元素向气相次氧化物及单质的转化。     

3D模型的多姿态人脸识别

多姿态人脸识别是当前人脸识别中的难点，识别率普遍不是很高。本文提出了一种利用正面、侧面照片建立起三堆虚拟人脸模型，然后对待识别照片进行角度估计，把模型库中的每一个3D模型在该角度附近进行多次投影，搜索出与待识别照片相似度最高的照片。这种方法可以有效的提高人脸识别率，增强人脸识别系统的鲁棒性．     

百度=拍卖公司＋镖局＋城管？

本人原来一直是百度公司的忠实用户,习惯享受工作和生活中因为百度带来的巨大便利。但这种忠实度却随着时间产生了动摇——曾几何时,感觉百度已经变成了一个纯粹的拍卖公司。众所周知,竞价排名一直是百度独创的盈利杀手铜,百度则通过竞价排名的盈利维持了自己的高速发展。     

蓝宝石衬底上GaN/AlxGa1-xN超晶格插入层对AlxGa1-xN外延薄膜应变及缺陷密度的影响

室温300K下,由于Al_xGa_1-xN的带隙宽度可以从GaN的3.42eV到AlN的6.2eV之间变化,所以Al_xGa_1-xN是紫外光探测器和深紫外LED所必需的外延材料.高质量高铝组分Al_xGa_1-xN材料生长的一大困难就是Al_xGa_1-xN与常用的蓝宝石衬底之间大的晶格失配和热失配.因而采用MOCVD在GaN/蓝宝石上生长的Al_xGa_1-xN薄膜由于受张应力作用非常容易发生龟裂.GaN/Al_xGa_1-xN超晶格插入层技术是释放应力和减少Al_xGa_1-xN薄膜中缺陷的有效方法.研究了GaN/Al_xGa_1-xN超晶格插入层对GaN/蓝宝石上Al_xGa_1-xN外延薄膜应变状态和缺陷密度的影响.通过拉曼散射探测声子频率从而得到材料中的残余应力是一种简便常用的方法,Al_xGa_1-xN外延薄膜的应变状态可通过拉曼光谱测量得到.Al_xGa_1-xN外延薄膜的缺陷密度通过测量X射线衍射得到.对于具有相同阱垒厚度的超晶格,例如4nm/4nm,5nm/5nm,8nm/8nm的GaN/Al_0.3Ga_0.7N超晶格,研究发现随着超晶格周期厚度的增加Al_xGa_1-xN外延薄膜缺陷密度降低,Al_xGa_1-xN外延薄膜处于张应变状态,且5nm/5nmGaN/Al_0.3Ga_0.7N超晶格插入层Al_xGa_1-xN外延薄膜的张应变最小.在保持5nm阱宽不变的情况下,将垒宽增大到8nm,即十个周期的5nm/8nmGaN/Al_0.3Ga_0.7N超晶格插入层使Al_xGa_1-xN外延层应变状态由张应变变为压应变.由X射线衍射结果计算了Al_xGa_1-xN外延薄膜的刃型位错和螺型位错密度,结果表明超晶格插入层对螺型位错和刃型位错都有一定的抑制效果.透射电镜图像表明超晶格插入层使位错发生合并、转向或是使位错终止,且5nm/8nmGaN/Al_0.3Ga_0.7N超晶格插入层导致Al_xGa_1-xN外延薄膜中的刃型位错倾斜30°左右,释放一部分压应变.     

剖析智能变电站断路器在线监测装置设计

对于电力系统来说,断路器是最为重要的控制和保护设备之一,断路器的运行情况直接决定着电力系统是否能够安全可靠的运行.随着需求和技术的发展,我国电力系统正在向着智能化、大容量和高电压的趋势发展,这就对断路器的可靠性提出了更高的要求.随着要求的提升,现阶段主要采用的定期检修方式已经跟不上时代发展步伐,也与现代化的智能变电站建设不相符,采用断路器在线监测技术已经成为了智能变电站发展的必然趋势.本文主要介绍智能变电站断路器在线监测装置设计,然后针对断路器在线监测装置的应用重点阐述,希望能够给相关人士一定的参考.