氧化亚锡催化酯化反应

锡的氧化物的催化作用较少报道,较成功的有使用氧化锡与氧化铬组成的二元催化剂催化氧化,氧化亚锡催化硝基苯还原及交酯的聚合。但用于催化酯化,只有用特定方     

低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si∶Fe固溶体

利用质量分离的低能离子束方法,以离子能量为1 0 0 0 e V,剂量为3×1 0 1 7cm- 2 ,室温下往p型Si(1 1 1 )单晶衬底注入Fe离子,注入的样品在4 0 0℃真空下进行热处理.俄歇电子能谱法(AES)对原位注入样品深度分析表明Fe离子浅注入到p型Si单晶衬底,注入深度约为4 2 nm.X射线衍射法(XRD)对热处理样品结构分析发现只有Si衬底的衍射峰,没有其他新相.X射线光电子能谱法(XPS)对热处理样品表面分析发现Fe2 p束缚能对应于单质Fe的峰,没有形成Fe的硅化物.这些结果表明重掺杂Fe的Si∶Fe固溶体被制备.电化学C- V法测量了热处理后样品载流子浓度随深度的分布,发现Fe重     

四核钴羰基簇合物的合成和晶体结构

用Co₂(CO)₈与有机杂环二硫代次膦酸盐SP(C₆H₄OR)(S)N(C₆H₅)NC(Me)(R=Me,Et)反应,得到两类4个含S,P桥基配体的四核钴羰基簇合物Co₄(CO)₁₀(μ₄-S)[μ₄-P(C₆H₄OR)](1:R=Me;3:R=Et)和Co₄(CO)₁₀(μ₃-S)[μ₂-P(C₆H₄OR)N(C₆H₅)NC(Me)](2:R=Me,4:R=Et).在反应中,前配体中的PS键以及C-S,P-S,P-N键劈开,产生的分子片与金属钴原子配位,组建成新的羰基钴簇.对这4个簇合物进行了元素分析,IR,¹HNMR和MS谱学表征,并测定了簇合物4的晶体结构,该晶体属单斜晶系,P2₁/c空间群,晶胞参数a=1.9065(4)nm,b=1.0081(2)nm,c=1.6663(3)nm,β=97.36(3)°,V=3.1704(11)nm₃,Z=4,D_c=1.743g/cm³.Co1Co3Co4呈三角形分布,其中Co-Co平均键长为0.251nm,而Co₂在该三角平面的一侧,Co2-Co3键为0.269nm.该簇合物分子骨架为三角钉型结构,每个Co原子的立体几何均为变形八面体,但配位环境各不相同.     

(RXNR)_4(X=B，Al，Ga)簇合物的结构与化学键性质

用自洽场理论（HF）和密度泛函理论（DFT）的B3LYP方法,在6-311G~*水平上 ,首次从理论上研究了(RXNR)_4 (R = B,Al,Ga;R = H,CH_3,NH_2,OH)簇合 物及其先驱化合物（RXNR）_2的几何构型、电子结构和化学键性质,并与其异构体 及其等电子化合物进行了比较。结果表明,(RBNR)_4为环状骨架结构,(RAlNR)_4 和(RGaNR)_4为建立骨架结构。     

基于四元数奇异值分解的视频质量评价方法

准确的客观视频质量评价方法对于视频应用发展是至关重要的.近年来,图像质量评价方法已经比较成熟,而视频质量评价方法与图像质量评价方法在性能上的差距仍然较大.本文提出一种基于四元数奇异值分解的客观视频质量评价方法,该方法将像素的亮度、色度、边缘能量和残差能量作为四元数的四个部分,并用熵作为视觉感兴趣系数对块加权.在视频质量...     

SiC多型体几何结构与电子结构研究

采用平面波超软赝势法和范数不变赝势法对几种SiC多型体的几何结构、能带结构等进行了系统的研究.结果表明:6HSiC导带最低点在ML线上U点,用平面波超软赝势法计算时U点在(0000,0500,0176)点附近;而用范数不变赝势法计算时在导带最低点附近能带呈现不连续点,不连续点出现在(0000,0500,0178)点附近.两种赝势法计算结果相比,用平面波超软赝势法得到的导带最低点位置更靠近布里渊区M(0,05,0)点.在平面波超软赝势下,随着六角度的增加,cp,cpa增大的趋势较为明显,能隙和价带宽度变宽的趋势也较为明显.在计算极限内,绝对零度下4HSiC系统能量最低、最稳定,而Ewald能量显示3CSiC最稳定. 关键词： 密度泛函理论 电子结构 SiC     

数控机床及其伺服系统的研究

文章介绍数控机床与传统机床的区别及数控机床的发展现状,着重介绍了数控机床给进伺服系统的组成、特点、作用及其发展趋势。     

铁磁/半导体异质结材料MnSb/Si的物理气相沉积生长

采用一种新的生长铁磁/半导体异质结材料的方法--物理气相沉积方法生长了一种铁磁/半导体异质结材料MnSb/Si.对所获得的样品进行特征X射线能谱分析表明Mn和Sb在Si衬底上的沉积速率相近,它们的原子百分数之比接近1∶1.X射线衍射分析发现薄膜中形成了MnSb相,样品在室温下测出磁滞回线也从侧面验证了存在MnSb相.用原子力显微镜对样品的表面进行观察,发现MnSb呈有规则形状的小晶粒状,晶粒大小比较均匀,尺寸大多数在500nm左右.     

铁磁/半导体异质结材料MnSb/Si的物理气相沉积生长

采用一种新的生长铁磁/半导体异质结材料的方法——物理气相沉积方法生长了一种铁磁/半导体异质结材料Mn Sb/Si.对所获得的样品进行特征X射线能谱分析表明Mn和Sb在Si衬底上的沉积速率相近,它们的原子百分数之比接近1∶1.X射线衍射分析发现薄膜中形成了Mn Sb相,样品在室温下测出磁滞回线也从侧面验证了存在Mn Sb相.用原子力显微镜对样品的表面进行观察,发现Mn Sb呈有规则形状的小晶粒状,晶粒大小比较均匀,尺寸大多数在5 0 0 nm左右.     

低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si:Fe固溶体

利用质量分离的低能离子束方法,以离子能量为1000eV,剂量为3×1017cm-2,室温下往p型Si(111)单晶衬底注入Fe离子,注入的样品在400 C真空下进行热处理.俄歇电子能谱法(AES)对原位注入样品深度分析表明Fe离子浅注入到p型Si单晶衬底,注入深度约为42nm.X射线衍射法(XRD)对热处理样品结构分析发现只有Si衬底的衍射峰,没有其他新相.X射线光电子能谱法(XPS)对热处理样品表面分析发现Fe2p束缚能对应于单质Fe的峰,没有形成Fe的硅化物.这些结果表明重掺杂Fe的Si:Fe固溶体被制备.电化学C-V法测量了热处理后样品载流子浓度随深度的分布,发现Fe重掺杂Si致使Si的导电类型从p型转为n型,Si:Fe固溶体和Si衬底形成pn结,具有整流特性.