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91.
基于AVR单片机的流量检测系统设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍以AVR Atmega16单片机为核心,建立基于Flomec OM004的流量检测系统。通过单片机与计算机通讯,实现自动采集流量及控制流量系统。油路液体流量由传感器采集输出脉冲信号,经单片机处理数据并通过串口传输到上位机实时显示。文章给出了系统设计原理、硬件电路、单片机程序流程图和上位机(组态王)工作界面。实验证明,该系统运行稳定、实时性好、硬件设计成本低、数据传输稳定;适合应用于工业检测中。  相似文献   
92.
针对氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件自热效应以及电流崩塌效应导致器件性能退化和失效的问题,研究了通过合理改变器件参数尺寸优化GaN基HEMT器件的设计,提高器件性能。通过仿真软件模拟了器件各参数对于GaN器件电学性能的影响,分析了不同衬底构成对GaN HEMT器件自热效应的影响,系统研究了GaN HEMT器件相关参数改变对自热效应及器件电学性能的影响。结果表明:Si及金刚石组成的衬底中减小Si层的厚度有利于减小器件的自热效应,降低有源区最高温度。为提高器件性能以及进一步优化GaN基HEMT器件设计提供了一定的理论参考。  相似文献   
93.
高速调制响应垂直腔面发射激光器中的微腔效应   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
应用微腔物理和量子阱物理,计算了量子阱垂直腔面发射激光器的自发发射谱和自发发射寿命,通过对半导体激光器传输函数的研究,发现缩短自发发射寿命是垂直腔面发射激光器实现高速调制响应的主要原因.  相似文献   
94.
垂直腔面发射激光器热场特性分析   总被引:2,自引:0,他引:2  
应用格林函数方法计算了增益波导垂直腔面发射激光器的热传导方程,分析了电流扩展、材料参数和工作条件对温度分布的影响。计算结果表明,电流扩展是影响这种激光器热场特性的主要因素,降低阈值电流是减小温升的有效方法。  相似文献   
95.
垂直腔面发射激光器的特性分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
垂直腔面发射激光器作为近凰年来光电子学领域研究的热点课题之一,要想很好的研究其应用价值,就必须了解它的各种特性。本文分析总结了垂直腔面发射激光器的阈值特性、光输出特性、模式特性、调制特性、偏振特性、远场特性以及热阻效应。  相似文献   
96.
微腔激光器数码调制及其光纤传输的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
从微腔半导体激光器速率方程出发,分析讨论了微腔激光器的脉码调制特性,发现微腔具有较规则的脉冲响应,可以减少误码率;自发发射因子为0.1的微腔,具有脉码率高达50Gbit/s良好的调制眼图,微腔激光器在光互联中将有广泛的应用前景。模拟了以微腔激光器为光源的光纤通信系统,给出脉码率为10Gbit/s传输不同距离的接收眼图,证明能够实现60km的传输。  相似文献   
97.
垂直腔面发射激光器电、光特性分析   总被引:1,自引:1,他引:0  
根据增益波导垂直腔面发射激光器(VCSELs)直接耦合的准三维理论模型,通过有限差分法对泊松方程、注入电流密度、载流子浓度和光场分布方程求自洽解,研究了垂直腔面发射激光器的电特性和光波导特性.计算结果表明,氧化限制层位置是影响激光器特性的主要因素之一,如果忽略N型DBR层的影响,将与实际的垂直腔面发射激光器有较大偏差.  相似文献   
98.
针对雾霾天气条件下大气散射和悬浮颗粒物引起的图像对比度、清晰度降低问题,提出通过采用独立分量分析( ICA)算法分解图像中具有相互独立分量的混合像元,估计图像有用信息分量。因乘性噪声信息的存在,会导致估计的图像有用信息有一定的偏差;采用基于噪声检测的局部自适应中值滤波对估计的图像有用信息进行了进一步校正。实验结果证明:新算法能有效去除雾霾,提高图像的清晰度和对比度。  相似文献   
99.
传统GNSS前端接收机系统中,可变增益放大器(VGA)不具备滤波功能,大多数选用片外滤波,这样系统增益和集成度降低,而系统集成的波器选频性能有限。为此,设计一种具有滤波功能的可变增益放大器,采用0.5μmSiGe HBT工艺,可控增益单元与Gm-C滤波单元集成一体,并运用4晶体管回转器结构实现滤波。电路驱动电压为3.3V,电流为11.7mA。线性增益控制范围为-26~62dB,且电压控制范围为0.1.8V,最小增益下输入1dB压缩点为-4dBm。可变增益放大器电路不仅具备大的增益控制范围,而且中频46MHz处滤波性能良好,提高芯片的集成度.降低系统功耗。  相似文献   
100.
传统GNSS前端接收机系统中,可变增益放大器(VGA)不具备滤波功能,大多数选用片外滤波,这样系统增益和集成度降低,而系统集成的波器选频性能有限.为此,设计一种具有滤波功能的可变增益放大器,采用0.5 μm SiGe HBT工艺,可控增益单元与Gm-C滤波单元集成一体,并运用4晶体管回转器结构实现滤波.电路驱动电压为3.3 V,电流为11.7 mA,线性增益控制范围为-26~62 dB,且电压控制范围为0~1.8 V,最小增益下输入1 dB压缩点为-4 dBm.可变增益放大器电路不仅具备大的增益控制范围,而且中频46 MHz处滤波性能良好,提高芯片的集成度,降低系统功耗.  相似文献   
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