玻璃衬底上p型ZnO薄膜的制备

本文主要采用超声喷镀法在玻璃衬底上制备了N-Al共掺的p型ZnO薄膜.研究了前驱溶液的不同配比对薄膜电学、结构特性的影响.X射线衍射的结果显示:共掺与本征ZnO具有很相似的结晶特性.霍耳测试结果表明:随着Al原子掺入量的逐渐增加,制备ZnO的类型逐渐由n型转换成p型,进一步提高后又转换成n型,文中对其中的原因进行了讨论.在普通玻璃衬底上制备出了空穴浓度达到4.6×1018cm-3,同时迁移率和电阻率分别为0.4cm2·V-1·s -1、3.3Ω·cm的p型ZnO薄膜.     

氧氩混合气氛下脉冲激光沉积法制备YBa2Cu3O7-δ薄膜的研究

利用脉冲激光沉积法(PLD),在质量流量比为1∶3的氧气和氩气的混合气氛下,在STO(001) 基片上制备了外延的YBa2Cu3O7-δ(YBCO)超导薄膜.尽管薄膜表面分布有亚微米到微米量级颗粒,但与传统PLD制备YBCO的方法相比,大颗粒的密度要小得多.直流电阻和磁化率测量法同时证明了YBCO薄膜的超导转变温度(Tc)大于90 K. 在40 K时,零场临界电流密度(Jc)为63.8 MA/cm2,在5.2 T时达到最大钉扎力密度(Fpmax)387.9 GN/m3;在65 K时,零场Jc为28.3 MA/cm2,在2.6 T时Fpmax达到71.3 GN/m3;在77 K时,零场Jc为8.7 MA/cm2,在0.91 T时Fpmax达到12.1 GN/m3.研究结果为氧气和氩气混合气氛下PLD方法制备YBCO薄膜提供了重要实验数据.     

非均匀采样的频谱研究

非均匀采样的一个很大的优点就是它具有抗频率混叠的性能[],首先从均匀采样讨论由采样而引起的频谱混叠现象,在均匀采样和非均匀采样的频谱图对比中讨论两种采样方式引起的不同的频谱混叠现象,从对比中分析非均匀采样方式的优势。从最简单的非均匀采样方法逐步深入到完全随机的非均匀采样方法,研究由于采样方法的改变对数字信号频谱的影响。最后可以看到非均匀采样的方法可以将混叠信号的频谱降低到完全不影响对真实信号的检测。     

N-DBR和双氧化限制层对VCSEL电、光、热特性的影响

根据增益波导垂直腔面发射激光器直接耦合的准三维理论模型,通过有限差分法对注入电流密度、载流子浓度、光场和热场分布方程求自洽解.研究了垂直腔面发射激光器的电、热和光波导特性,同时提出了一种具有双氧化限制层的增益波导垂直腔面发射激光器结构,并通过对比研究了N-型分布布喇格反射镜和双氧化限制层对增益波导垂直腔面发射激光器特性的影响.计算结果表明,如果忽略N-型分布布喇格反射镜的影响将与实际的垂直腔面发射激光器有较大偏差;双氧化限制层结构对激光器特性有较大的改善,它为增益波导垂直腔面发射激光器提供了一种降低阈值,抑制高阶横模的方法.     

基于单片机的Flash存储器坏块自动检测

在深入了解Flash存储器的基础上,采用单片机自动检测存储器无效块。主要通过读取每一块的第l、第2页内容,判断该块的好坏,并给出具体的实现过程,以及部分关键的电路原理图和C语言程序代码。该设计最终实现单片机自动检测Flash坏块的功能,并通过读取ID号检测Flash的性能,同时该设计能够存储和读取lGB数据。     

AlGaN/GaN HEMT电容及充电时间的研究

通过计算AlGaN/GaN HEMT二维电子气中的电势、载流子以及调制掺杂载流子寿命,得到AlGaN/GaN HEMT电容和充电时间,研究了AlGaN掺杂层浓度和厚度对器件的时间响应分析了AlGaN/GaN HEMT器件的高频特性。结果表明,栅电容随着AlGaN掺杂层浓度和厚度的增加逐渐减小。随着AlGaN层掺杂浓度的增大,电容充电时间先减后增,当掺杂浓度达到 时,电容充电时间达到极小值,在AlGaN掺杂层厚度等于7nm时电容充电时间最短。     

GaN基HEMT器件的优化设计

针对氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件自热效应以及电流崩塌效应导致器件性能退化和失效的问题,研究了通过合理改变器件参数尺寸优化GaN基HEMT器件的设计,提高器件性能。通过仿真软件模拟了器件各参数对于GaN器件电学性能的影响,分析了不同衬底构成对GaN HEMT器件自热效应的影响,系统研究了GaN HEMT器件相关参数改变对自热效应及器件电学性能的影响。结果表明:Si及金刚石组成的衬底中减小Si层的厚度有利于减小器件的自热效应,降低有源区最高温度。为提高器件性能以及进一步优化GaN基HEMT器件设计提供了一定的理论参考。     

基于SIFT-SVM的嵌入式印鉴识别系统设计

为了克服PC印鉴识别系统体积大、成本高并且识别精度低、适应性差的缺点,设计了基于SIFT-SVM的嵌入式印鉴识别系统。系统计算印鉴图像的SIFT特征并进一步构造基于SIFT匹配的印鉴特征向量,将构造的印鉴特征向量输入支持向量机进行训练,并采用遗传算法优化SVM的惩罚因子和核参数,使识别性能最优。系统以ARM11处理器作为印鉴特征提取和识别的核心单元,采用ZC301摄像头进行图像采集,并以蜂鸣器、LED、LCD作为报警显示设备。实验表明,该系统对印鉴在模糊、旋转等多种情形下取得了93.5%的良好识别率,且当笔划加粗仅5%时仍具有很好的适用性。系统具有识别精度好、适用性强,体积小、设计灵活的优点。     

基于AVR单片机的流量检测系统设计

介绍以AVR Atmega16单片机为核心,建立基于Flomec OM004的流量检测系统。通过单片机与计算机通讯,实现自动采集流量及控制流量系统。油路液体流量由传感器采集输出脉冲信号,经单片机处理数据并通过串口传输到上位机实时显示。文章给出了系统设计原理、硬件电路、单片机程序流程图和上位机(组态王)工作界面。实验证明,该系统运行稳定、实时性好、硬件设计成本低、数据传输稳定;适合应用于工业检测中。