N-DBR和双氧化限制层对VCSEL电、光、热特性的影响

根据增益波导垂直腔面发射激光器直接耦合的准三维理论模型,通过有限差分法对注入电流密度、载流子浓度、光场和热场分布方程求自洽解.研究了垂直腔面发射激光器的电、热和光波导特性,同时提出了一种具有双氧化限制层的增益波导垂直腔面发射激光器结构,并通过对比研究了N-型分布布喇格反射镜和双氧化限制层对增益波导垂直腔面发射激光器特性的影响.计算结果表明,如果忽略N-型分布布喇格反射镜的影响将与实际的垂直腔面发射激光器有较大偏差;双氧化限制层结构对激光器特性有较大的改善,它为增益波导垂直腔面发射激光器提供了一种降低阈值,抑制高阶横模的方法.     

基于AVR单片机的流量检测系统设计

介绍以AVR Atmega16单片机为核心,建立基于Flomec OM004的流量检测系统。通过单片机与计算机通讯,实现自动采集流量及控制流量系统。油路液体流量由传感器采集输出脉冲信号,经单片机处理数据并通过串口传输到上位机实时显示。文章给出了系统设计原理、硬件电路、单片机程序流程图和上位机(组态王)工作界面。实验证明,该系统运行稳定、实时性好、硬件设计成本低、数据传输稳定;适合应用于工业检测中。     

基于SIFT-SVM的嵌入式印鉴识别系统设计

为了克服PC印鉴识别系统体积大、成本高并且识别精度低、适应性差的缺点,设计了基于SIFT-SVM的嵌入式印鉴识别系统。系统计算印鉴图像的SIFT特征并进一步构造基于SIFT匹配的印鉴特征向量,将构造的印鉴特征向量输入支持向量机进行训练,并采用遗传算法优化SVM的惩罚因子和核参数,使识别性能最优。系统以ARM11处理器作为印鉴特征提取和识别的核心单元,采用ZC301摄像头进行图像采集,并以蜂鸣器、LED、LCD作为报警显示设备。实验表明,该系统对印鉴在模糊、旋转等多种情形下取得了93.5%的良好识别率,且当笔划加粗仅5%时仍具有很好的适用性。系统具有识别精度好、适用性强,体积小、设计灵活的优点。     

基于单片机的Flash存储器坏块自动检测

在深入了解Flash存储器的基础上,采用单片机自动检测存储器无效块。主要通过读取每一块的第l、第2页内容,判断该块的好坏,并给出具体的实现过程,以及部分关键的电路原理图和C语言程序代码。该设计最终实现单片机自动检测Flash坏块的功能,并通过读取ID号检测Flash的性能,同时该设计能够存储和读取lGB数据。     

GaN基HEMT器件的优化设计

针对氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件自热效应以及电流崩塌效应导致器件性能退化和失效的问题,研究了通过合理改变器件参数尺寸优化GaN基HEMT器件的设计,提高器件性能。通过仿真软件模拟了器件各参数对于GaN器件电学性能的影响,分析了不同衬底构成对GaN HEMT器件自热效应的影响,系统研究了GaN HEMT器件相关参数改变对自热效应及器件电学性能的影响。结果表明:Si及金刚石组成的衬底中减小Si层的厚度有利于减小器件的自热效应,降低有源区最高温度。为提高器件性能以及进一步优化GaN基HEMT器件设计提供了一定的理论参考。     

AlGaN/GaN HEMT电容及充电时间的研究

通过计算AlGaN/GaN HEMT二维电子气中的电势、载流子以及调制掺杂载流子寿命,得到AlGaN/GaN HEMT电容和充电时间,研究了AlGaN掺杂层浓度和厚度对器件的时间响应分析了AlGaN/GaN HEMT器件的高频特性。结果表明,栅电容随着AlGaN掺杂层浓度和厚度的增加逐渐减小。随着AlGaN层掺杂浓度的增大,电容充电时间先减后增,当掺杂浓度达到 时,电容充电时间达到极小值,在AlGaN掺杂层厚度等于7nm时电容充电时间最短。     

光互连中两微腔激光器耦合机制研究

首先用等效F-P腔的方法计算了多层DBR的反射率,然后在对VCSEL远场分布曲线进行插值拟合得到其远场光强分布的基础上,对光互连中的最小作用单元(两个VCSEL)的相互耦合机制进行了研究.(OD11)     

基于单片机的篮球比赛计时记分系统的设计

在比赛中,计时记分系统是必不可少的.随着比赛规则的进一步完善,相应的计时记分系统也必须随之改进.用89C51单片机实现了最新的篮球比赛计时记分系统的软硬件设计,此计时记分系统不仅具有软件设定比赛总时间并实现总时间的倒计时以压按照最新的比赛规则,进攻方在24 s内必须有1次投篮动作,否则视为违例所要求的一个24 s倒计时功能,而且实现了比赛双方的记分功能.该系统采用按键操作、LED显示,分别对软件和硬件进行调试,最终达到了软件和硬件的良好结合.该设计采用模块化的设计,程序结构简单,任务明确,易于编写,调试和修改.     

激光烧蚀硅靶下荷电粒子和纳米晶粒的电流响应研究

采用波长为308 nm的XeCl脉冲准分子激光器,在5～50 Pa的Ar气压下烧蚀高阻抗单晶硅(Si)靶.在烧蚀点正前方、距靶1.5 cm处放置一个中心开孔直径为2 mm的挡板,挡板后面上下对称放置两个极板,然后串联一个标准电阻接地,电阻大小为10 Ω,利用高分辨数字存储示波器记录并测量回路中产生的瞬间电流来研究荷电粒子和纳米晶粒的电流响应.实验结果表明烧蚀产物中的正离子在气压为5 Pa时到达极板上数量最多.纳米Si晶粒带正电并且随着气压的增加纳米Si晶粒下落到极板的数量呈现先增大后减小趋势,在气压为8 Pa时达到最大值,这与扫描电子显微镜的测量结果基本一致.所得结果为进一步研究烧蚀粒子在环境气体中的输运动力学过程提供了依据.     

SiO2阻挡层对电子束沉积法生长高迁移率IWO薄膜性能的影响

利用电子束沉积技术在玻璃衬底上制备了IWO( In2O3∶WO3)薄膜和SiO2缓冲层,并将SiO2缓冲层对IWO薄膜性能的影响作了探究.SiO2缓冲层在室温生长.SIMS测试表明:SiO2缓冲层能有效阻挡浮法玻璃中的杂质进入到IWO薄膜.实验获得的具有SiO2阻挡层的IWO薄膜的电子迁移率μ～54.5 cm2·V-1·s-1,电阻率p ～5.86×10-4Ω,cm,电子载流子浓度n～ 1.95×1020 cm-3,400～1600nm砌光谱区域内的平均透过率～76;.