硅基MEMS制造技术检测方法国际提案介绍

介绍了由我国提出的国际标准提案IEC?62047-25《硅基MEMS制造技术?微键合区剪切和拉压强度检测方法》的重要意义和主要技术内容。该标准对于微米级微小键合区的键合强度测量提供了通用、有效的方法。标准提出了拉压法和剪切法两种测试方法的测试流程。此外还介绍了MEMS理论基础、技术研究基础和国际上MEMS标准化的相关情况。     

基于横向扼流法的宽带带状线小室设计

为扩展带状线小室工作带宽,基于标准IEC61967-8对EM601-6型带状线小室进行改进,提出芯板开缝的方法扼止横向电流,在三维电磁仿真软件CST中建立了带状线小室的三维仿真模型,并计算出改进后带状线小室的S参数和电压驻波比（voltage standing wave ratio, VSWR）.计算结果表明,芯板开缝的带状线小室的上限可用频率由6 GHz提高到了7 GHz.根据仿真结果加工制作的实物,虽然S21和S11比仿真结果差,但是在标准要求的范围内工作频段可由0～6 GHz扩展到0～7 GHz.     

用电子束曝光方法在优化设计的绝缘体上硅脊状波导上实现布拉格光栅的制作和评价

报道了一种用电子束曝光的方法在绝缘体上硅的脊状光波导上制做布拉格光栅的技术.考虑到实际的光子学集成的应用,讨论了这个带有布拉格光栅的脊状光波导的优化设计,给出了该布拉格光栅的测试和理论模拟结果.通过薄化绝缘体上硅的波导层的厚度和光栅的深腐蚀加工,获得了高达30cm-1的光栅耦合系数.     

基于用户相似度的协同过滤推荐算法简

协同过滤推荐算法通过研究用户的喜好,实现从海量数据资源中为用户推荐其感兴趣的内容,在电子商务中得到了广泛的应用。然而,当此类算法应用到社交网络时,传统的评价指标与相似度计算的重点发生了变化,从而出现推荐算法效率偏低,推荐准确度下降问题,导致社交网络中用户交友推荐满意度偏低。针对这一问题,引入用户相似度概念,定义社交网络中属性相似度,相似度构成与计算方法,提出一种改进的协同过滤推荐算法,并给出推荐质量与用户满意度评价方法。实验结果表明：改进算法能有效改善社交网络中的推荐准确性并提高推荐效率,全面提高用户满意度。     

叠层光刻胶牺牲层工艺研究

通过溅射电镀种子层前预烘胶与严格控制烘胶温度变化速率、用KOH稀溶液去胶、再用稀腐蚀体系加以轻度超声干涉去除电镀种子层和使用丙酮与F117进行应力释放等方法改进工艺后,解决了在叠层光刻胶牺牲层工艺中极易出现的烘胶龟裂、光刻胶不容易去除干净、去除电镀种子层时产生絮状物和悬空结构释放时易黏附等问题.运用叠层光刻胶牺牲层改进工艺可以制备出长4 mm,悬空高度20 μm,平面误差不超过3 μm的悬空结构.     

一种新型VLSI电路外部电光探测器

采用极化聚合物电光材料,设计制作出一种结构新颖的亚微米VLSI电路正面入射式外部电光探测器.通过在探测器中引入参考电极,实现了电压的标定测量;利用1 μm线宽指状电极的电场分布,验证了触立式极化聚合物电光探测器对电场具有较高的空间分辨率.实验证明,该新型外部电光探测器的空间分辨率可达0.5 μm,完全满足亚微米电路无损...     

基于光纤光敏性的双波长光纤光栅及其应用

提出了一种基于光纤光敏性制作双波长布喇格光栅的新方法.采用移动曝光技术,通过调节光栅长度及曝光次数可以控制两个布喇格波长的间隔和反射率;写制了一个双波长光栅,两个透射峰均为20.25 dB,两个布喇格波长的间隔为0.8 nm;利用这个光栅制作了一个双通道的光分插复用器(OADM).     

基于MMSE准则的自适应脉冲压缩

传统的匹配滤波器只能将距离旁瓣压缩到一定的程度,因此可能出现强目标掩盖弱目标的情况。基于最小均方误差准则（MMSE）的自适应脉冲压缩（APC）是一种有效的抑制距离旁瓣方法,由于APC方法在计算时不具有重复迭代性,给出了改进的算法步骤。仿真比较了该算法和失配滤波器算法的脉冲压缩性能,仿真结果表明,自适应脉冲压缩算法可以很好地提取在强目标附近的弱目标。最后分析了该算法的性能,结果表明,该算法在动目标的情况下仍然能够很好地实现脉冲压缩。     

一种Au-Si键合强度检测结构与试验

设计了一种Au-Si键合强度检测结构.通过对一组不同尺寸压臂式测试结构的检测,可以由结构尺寸半定量地折算出键合面的键合强度;采用同一结构尺寸,可以比较不同条件下键合强度的相对大小;此结构还可用于其它类型键合强度的比较和测试.通过压臂法检测了Au-Si键合强度,其数值高于硅片基体本身的强度.     

赝形InGaAs/InAlAs渐变异质结中的零磁场自旋分裂

在赝形渐变InGaAs/In_0.52Al_0.48As异质结的二维电子气中,发现了自旋方向向上的电子和自旋向下的电子在零磁场下存在着自旋分裂.利用Shubnikov-de Haas振荡研究了异质结中的自旋分裂行为,通过振荡中的拍频现象,发现了零磁场下的自旋分裂量为8.76meV. 关键词：