反熔丝FPGA配置电路的研究

反熔丝FPGA的编程过程是对可编程逻辑模块进行配置的过程,具体过程是利用配置电路对连接在逻辑模块输入、输出端口的反熔丝单元施加高压,将其击穿形成连接通路,从而使得逻辑模块连接在信号线上.位流数据控制配置电路完成反熔丝单元的预充电、寻址、加压以及编程过程.通过控制晶体管的打开和关断及复用编程通道,可以实现不同类型反熔丝的编程,并简化配置电路的设计规模.测试结果表明,配置电路可靠地完成了反熔丝的编程功能.     

Properties of p-type ZnO thin films with different orientations

The stable properties of N-doped p-type ZnO thin films with preferential nonpolar （100） plane orientation relative to polar （002） plane orientation are investigated. The two kinds of oriented thin films are fabricated by the methods of post heat treatment and double sources in situ, respectively. The Hall investigations demonstrate that N-doped p-type ZnO thin films with preferential nonpolar （100） plane orientation are more stable, and the results are also proved by build-in electric field model and electronic structure calculations of the films based on the first orinciple.     

一种新型平均电流模式单周期PFC电流环补偿方案

针对平均电流模式单周期PFC(功率因数校正器)电流环的设计要求,提出了一种基于高跨导OTA的电流环补偿方案.该方案可在保证频率特性精度的同时,将传统方案中所需高精度外置电阻改为内置电阻,降低了芯片的使用成本,提高了集成度.通过仿真验证了方案的可行性.     

国家自然科学基金材料化学学科规划和布局概况

国家自然科学基金委员会正积极深化科学基金改革,其中优化学科布局是重要任务之一.作为一门新兴的交叉学科,材料化学是发展变革性和战略性功能材料体系的基础科学.2019～2020年期间,化学科学部开展了材料化学"十四五"及中长期发展规划及申请代码调整,本文概述了"材料化学"(申请代码:B05)在优化学科布局方面的工作,供从事...     

一种带过温过流过压保护的LDO设计

本文设计了一种带过温、过流和过压保护的低压差线性调整器,并采用增加零点方式进行补偿.电路设计采用2μm Bipolar工艺,用Hspice进行仿真验证.仿真结果表明,过温保护电路可以实现对电路的保护.当温度高于140℃时,过温保护电路将调整管关断,温度下降到105℃时,LDO恢复正常工作.最大输出电流为5A,超过最大输出电流时,过流保护电路将调整管关断.负载调整率不超过1％;电源调整率不超过0.1％..     

一种适用于无线网络的倒F天线设计

设计了一种用于无线传感器网络的结构紧凑的倒F天线，该天线能够满足无线传感器网络尺寸小、价格低廉、功耗低的要求。通过有限元法进行数值仿真和设计，该天线可达到较好的效果。设计制作的天线经测试，在2．45GHz的中心工作频率下，回波损耗为。25dB，带宽为120MHz，满足了IEEES02．15．4协议的要求。     

非晶硅薄膜的LF-PECVD制备及椭偏表征

以SiH4为先驱气体,采用低频等离子体增强化学气相沉积（LF-PECVD）方法在Si衬底上制备了氢化非晶硅（a-Si∶H）薄膜。在薄膜沉积过程中,工艺参数将会影响非晶硅薄膜的沉积速率和光学性能。通过反射式椭圆偏振光谱仪（SE）研究了SiH4气体流量、工作压强和衬底温度等条件对氢化非晶硅沉积速率和光学性质的影响。实验结果表明,氢化非晶硅沉积速率随着SiH4流量、工作压强和衬底温度的改变而规律地变化。相比于SiH4流量和工作压强,衬底温度对折射率、吸收系数和折射率的影响更大。各工艺条件下所制备的非晶硅薄膜光学禁带宽度在1.61～1.77eV。     

基于曲率补偿的高精度基准电流源的设计

集成电路对基准电流源的精度和功耗要求越来越高.本文在求和型基准电流源的基础上通过一个简单易行的结构对基准电流进行高阶曲率补偿,然后再进行分段曲率补偿,得到一种高精度、低功耗、高电源抑制比的基准电流源.在TSMC_0.5μm BCD工艺下,经Spectre仿真实验表明,在-45~150℃的温度范围内,电流变化仅为0.032μA,温度系数为25×10-6/℃;在6V工作电压下,电源抑制比为142dB,电路的静态电流为115.4μA,功耗约为0.69mW.     

不同退火温度对4H SiC 金半接触的影响

采用高真空电子束蒸发法制作了基于4H SiC外延材料的肖特基二极管,其中欧姆接触材料为Ti/Ni,肖特基接触材料为Ni。常温下,电流-电压(I-V)测试表明Ni/4H SiC肖特基二极管具有良好的整流特性,热电子发射是其主要输运机理。对比分析不同快速退火温度下器件的I-V特性,实验结果表明875 ℃退火温度下欧姆接触特性最好,400 ℃退火温度下器件肖特基接触I-V特性最好,理想因子为1.447,肖特基势垒高度为1.029 eV。     

内外流场耦合法数值研究Rijke管声学特性

基于流体力学、传热学和声学研究成果,采用内外流场耦合建模的方法研究Rijke管脉动内流场,解决了大振幅驻波热声场管口边界条件的处理和出现数值发散的问题。从能量平衡的角度出发,提出非定常的热流量与声压、质点振速之间关系的假设。依靠自身参量,如气体的脉动压力、脉动流速和温度波动,来激发Rijke管振荡.模拟了Rijke管的声学特性,分析了Rijke管自激励振荡的机理。运用该模拟方法对不同尺寸、不同管口形状的Rijke管进行了数值实验,模拟结果与实验结果较好吻合,能捕捉Rijke管的管口声学特征量。