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ZnO的激子束缚能高达60meV,具有优良的光学性质。因此,Mn掺杂的ZnO材料研究在磁性半导体领域广泛开展起来。文章采用溶胶-凝胶法制备了Mn掺杂的ZnO纳米晶,讨论了在不同退火温度下纳米晶的结构和磁性。XRD结果显示,所有样品均为六角纤锌矿结构。退火后,Mn掺杂ZnO纳米晶的晶格常数均略大于纯净ZnO的晶格常数,表明Mn2 已经替代Zn2 进入ZnO晶格。500℃退火的样品在4~300K温度范围内表现为顺磁性。将退火温度提高到900℃后,有少量尖晶石结构的ZnMn2O4存在。室温磁滞回线表明样品具有室温铁磁性,磁性来源于ZnMn2O4。 相似文献
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通过对ZnxCd1-xTe-ZnTe多量子阱样品的光泵受激发射研究讨论了材料中激子局域态对受激发射激子过程以及受激发射特性的影响。两块不同组份和不同局域态密度的ZnCdTe-ZnTe多量子阱样品受激发射过程都是n=1重空穴激子参与的一系列过程,但在Zn0.67Cd0.33Te-ZnTe中发现了激子-激子散射的受激发射过程,而在Zn0.78Cd0.22Te-ZnTe中没有发现这一受激发射的激子过程。x=0.67的样品中具有较高的局域化激子密度,其受激发射具有较高的阈值。 相似文献
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Mg_xZn_(1-x)O单晶薄膜和MgZnO/ZnO异质结构的光学性质 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了利用等离子辅助分子束外延技术,在蓝宝石c平面上外延生长的Mgx Zn1 - x O单晶薄膜以及Mg Zn O/Zn O异质结构的光学性质.室温下随着Mg浓度增加,合金薄膜样品的发光峰与吸收边均向高能侧移动.研究了样品紫外发光的起因,将Mgx Zn1 - x O合金薄膜的发光归结为束缚激子的复合.在Mg0 .0 8Zn0 .92 O/ Zn O样品中,观察到了分别来自于Zn O层和Mg Zn O盖层的发光和吸收,并将其归因于来自Zn O层的自由激子和Mg Zn O盖层的束缚激子发射 相似文献
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热氧化制备纳米氧化锌薄膜的光致发光和室温紫外激光发射 总被引:8,自引:2,他引:6
利用低压 -金属有机汽相外延 (L P- MOCVD)工艺首先在二氧化硅衬底上生长硫化锌 (Zn S)薄膜 ,然后 ,将硫化锌薄膜在氧气中于不同温度下进行热氧化 ,制备出高质量的纳米氧化锌 (Zn O )薄膜 .X射线衍射 (XRD)结果表明 ,氧化锌具有六角纤锌矿晶体结构 .90 0℃氧化样品的光致发光 (PL )谱中 ,在波长为 3.3e V处观察到一束强紫外光致发光和相当弱的深能级发射 .紫外发光强度与深能级发射强度之比是 80 ,表明纳米 Zn O薄膜的高质量结晶 .在受激发射实验中观察到紫外激光发射 . 相似文献
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用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)的方法在GaAs(100)衬底上生长了(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱结构。测量了生长样品的光致发光(PL)谱,得到两个发光峰(记为Il,I2),分析认为高能侧的峰为Zn0.9Cd0.1Te浅阱峰,而低能侧的峰为ZnSe0.2Te0.8深阱层的发射。对样品进行了变激发强度的PL谱测量,当激发强度增加时,PL谱中两个发光峰的比值(I2/I1)开始时迅速增加,然后缓慢减小。这是由于浅阱中的电子和空穴隧穿入深阱中导致空间电荷的分离,从而在复合量子阱结构中产生了一个内建电场所引起的。 相似文献
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