激光束的相干合成技术

本文可实现激光束相干合成的一些有用的技术作了总结，对由Ｓｃｈｕｓｔｅｒ等人 掾联ＭＯＰＡ系统进行成对共线光束合成的功率定标模型作了分析，最后，对与位相控制概念有关的作了讨论。     

腔长失调对光腔衰荡法测量精度的影响

 只考虑腔长失调因素下建立了反射率模拟测量的理论模型。根据高斯光束传输规律分析了腔长失调对衰荡腔模式耦合的影响，推导了腔长失调与谐振腔输出脉冲信号、衰荡信号与反射率之间的关系，模拟了腔长失调在±10mm范围内的光脉冲衰荡现象。结果表明：对于光敏面直径为0.2mm的高速探测器，为了保证10^-6的测量精度，腔长的失调量应控制在±1mm之间。在光路调节中采用具有对数变换功能的示波器和动态范围较大的探测器，可以提高测量精度。     

PCI总线的热插拔技术及实现

具有热插拔PCI槽现已成为许多需要长时间不间断工作和能够在线维修的计算机系统的必备功能。文中介绍了热插拔的基本技术问题,给出了利用Linear Technology公司的热插拔电源控制芯片LTC1421来实现PCI总线热插拔的具体电路以及工作过程。     

基于非凸l_p范数和G-范数的图像去模糊模型

图像去模糊一直是图像修复中的重要问题,针对经典的去模糊方法,提出一种耦合非凸lp(0≤p<1)范数和G范数的图像去模糊方法。该方法利用lp(0≤p<1)范数作为正则项约束,保证了图像的稀疏性要求;利用G范数作为保真项,保证在去模糊的同时有效抑制噪声并保持图像的细小特征,同时也给出新方法基于交替最小化的有效算法。实验结果表明新模型是可行的。     

一种毫米波BGA封装低成本测试方法

提出一种可应用于毫米波BGA(Ball Grid Array)封装器件的低成本无损测试方法.该测试方案主要由毛纽扣及两块单层基板组成.其中,毛纽扣作为封装焊球与基板之间的垂直互联媒介,实现信号传输.同时,毛纽扣具有较小的弹性接触力,在测试过程中能够保护焊球不受损伤.毛纽扣与基板形成的介质填充类同轴结构和基板上的高低阻抗...     

双谱段共孔径光学镜头设计与验证

为实现自主制导、目标定位、跟踪搜索等复合制导功能,提出了一种可实现红外与激光双谱段共孔径一体化的小型光学镜头设计方案,采用透射式光学系统,光路中设置了一个楔角分光片,既实现了双谱段分光,又有效矫正了45°倾斜放置的平板带来的系统像差。设计结果如下：红外通道全视场平均调制传递函数(MTF)优于0.45(30 lp/mm)、激光通道±1.5°线性区弥散斑直径4.88～5.03 mm,能量分布均匀,满足指标要求。最终采用高精度光学定心调整与三坐标精确测量相结合的方法完成了该镜头的装调,红外通道全视场平均MTF优于0.38,激光通道弥散斑形状对称、线性区内能量分布均匀,满足使用要求,镜头效果良好。     

协调控制技术在化产回收系统中的研究与应用

本文主要介绍了协调控制技术在化产回收系统中的研究与应用,解决焦炉集气管压力稳定的问题,保护环境,安全生产,延长焦炉寿命,并且提高了化产回收率。     

基于嵌入式ARM下的视频监控系统的实现

介绍了一种应用于智能家居视频监控系统的实现方案。通过对嵌入式技术的分析和理解,将无线局域网的特点和优势与嵌入式系统相结合,提出并实现了一种无线视频监控的解决方案。该系统以ARMS3C2440为硬件平台,利用Video4Linux2获得USB摄像头采集到的视频图像数据,将其通过UDP协议进行网络传输,最终在PC端的一个基于SDL库设计的程序上进行实时接收并显示。     

红外双幅度脉冲间隔调制通信系统性能分析

提出一种新的调制方法——双幅度脉冲间隔调制(DAPIM)．研究了采用该调制方法的红外通信系统在加性高斯白噪声情况下的性能，对DAPIM的符号结构、带宽、功率谱和误码率特性等方面进行了分析，并与开关键控(OOK)、脉冲位置调制(PPM)和脉冲间隔调制(PIM)等调制方式做了比较．DAPIM具有较好的带宽和功率综合特性．对于：DAPIM，符号位数M=5或6是较好的选择。     

Interface states in Al_2O_3/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor structure by frequency dependent conductance technique

Frequency dependent conductance measurements are implemented to investigate the interface states in Al2O3/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor(MOS) structures. Two types of device structures, namely, the recessed gate structure(RGS) and the normal gate structure(NGS), are studied in the experiment. Interface trap parameters including trap density Dit, trap time constant τit, and trap state energy ETin both devices have been determined. Furthermore,the obtained results demonstrate that the gate recess process can induce extra traps with shallower energy levels at the Al2O3/AlGaN interface due to the damage on the surface of the AlGaN barrier layer resulting from reactive ion etching(RIE).