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基于器件工作机理,提出了一种新型的4H-SiC MESFET经验大信号电容模型。模型参数提取采用Lev-enberg-Marquardt优化算法,提取的模型主要参数具有一定物理意义。C-V特性的模型模拟结果与实验数据的比较表明两者符合良好。该模型还与CAD工具的通用电容模型进行了比较,结果表明新模型具有更高的精度。 相似文献
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针对目前主流的JDBC开发技术,大量程序开发人员仍然停留在"一表一增删改查"的技术水平阶段,本文提出了一种基于反射思想对数据库进行DDL操作的通用DAO。其中,先介绍了通用DAO的优越性和基本原理;再进行对比分析,阐述它对于数据库操作的优越性:对比操作主要围绕数据库的四大操作中的查询操作;最后,本文预测了这种编程思想的发展方向以及应用领域。 相似文献
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色散因素是制约1550nm模拟CATV系统无电中继传输距离的主要因素,本文提出利用已经商用化的色散补偿器件对长距离普通光纤CATV模拟传输系统中的色散进行补偿,并对比了色散补偿光纤和啁啾光纤光栅进行色散补偿的优缺点,同时文章给出了光纤光栅进行色散补偿的最佳位置。模拟系统采用皮长传输,采用啁啾光纤光栅实现对模拟信号的色散补偿可以充分发挥啁啾光纤光栅的低损耗的特性和对单波长进行补偿的特性,本文在国内首次提出采用啁啾光纤光栅(CFG)对1550nmCATV模拟系统长距离光纤传输进行了散补偿,并引用试验证明采用光纤光栅在保证较好载噪比(C/N)和三阶差拍失真(CTB)指标的情况下,能够大幅度地补偿二阶组合失真(CSO)的恶化。 相似文献
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本文通过对目前广泛使用的三电平及多电平级联高压变频控制方案技术特点的对比论述,介绍了一种新型高压大容量变频器控制方案,并对该方案的优越性作了介绍。 相似文献
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以Zn(NO3)2· 6H2O和C6H12N4为原材料,采用二步水热法在碳纤维布上合成了形貌尺寸均匀的ZnO超细纳米线阵列。用 X 射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对其晶体结构和形貌进行了表征,利用恒流充放电测试等手段对其进行电化学性能测试。测试结果表明,材料表现出优异的电化学性能。在200 mA/g的电流密度下循环150次后,ZnO超细纳米线阵列仍然约有730 mAh/g的充放电比容量,库伦效率保持在95%以上。在1 200 mA/g的大倍率条件下,材料的充放电比容量依旧可达481 mAh/g左右,表现出十分良好的循环稳定性和可逆性能,是一种较为理想的锂离子电池负极复合材料。 相似文献
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