Vertical assembly of carbon nanotubes for via interconnects

The via interconnects are key components in ultra-large scale integrated circuits(ULSI).This paper deals with a new method to create single-walled carbon nanotubes(SWNTs) via interconnects using alternating dielectrophoresis(DEP).Carbon nanotubes are vertically assembled in the microscale via-holes successfully at room temperature under ambient condition.The electrical evaluation of the SWNT vias reveals that our DEP assembly technique is highly reliable and the success rate of assembly can be as high as 90%.We also propose and test possible approaches to reducing the contact resistance between CNT vias and metal electrodes.     

微细管碳纳米管悬浮液强制对流换热实验研究

测量了水平微细圆管内蒸馏水和不同质量浓度的水基多壁碳纳米管纳米流体在低雷诺数下的强制对流换热特性。实验结果表明,与蒸馏水相比,纳米流体的对流换热系数显著提高,且随质量浓度和管内雷诺数的增大而增大;并且研究了流体管内流动阻力特性,得到的泊肃叶数f·Re值随着雷诺数的变化不明显,但纳米流体的f·Re值要明显小于纯水。     

三电极共面介质阻挡放电的放电特性及诱导气流实验研究

等离子体流动控制激励器由于其响应速度快、激励频带宽、能量损耗低、可靠性强的优势,在航空航天领域的主动流动控制等方面得到了广泛应用.文章提出了一种新型的等离子体气动激励器——三电极共面介质阻挡放电激励器,研究了该激励器电极结构对放电特性和诱导气流速度的影响,并与传统共面介质阻挡放电和沿面介质阻挡放电激励器进行了比较.结果表明:（1）随着激励电压的提高,高压电极和地电极之间先出现了丝状放电并逐渐延伸到第三电极;（2）随着第三电极与高压电极之间的距离增大,诱导气流速率从2.4 m/s下降到0 m/s,而第三电极宽度的变动对诱导气流速度影响可忽略不计;（3）相同外部条件下,该激励器诱导的气流速度小于沿面介质阻挡放电激励器,但高于共面介质阻挡放电激励器.      

空天地一体化网络基于服务功能链的资源分配

空天地一体化网络是6G通信愿景的重要组成部分,该网络借助广域覆盖优势,通过对网络中异构多级资源进行统一管理和综合处理,实现通信服务的全球无缝覆盖.但空天地一体化网络结构复杂且空时大尺度变化,异构网络节点时空跨度大,易引发高时延、动态路由等问题,难以保障不同业务的服务等级.同时,网络拓扑具有高度动态性,因而无法保障适配资...     

一种基于融合计费的动态月租业务出账解决方案

近年来,随着电信运营商互联网业务的发展,客户对于产品订购出账的个性化、场景化的需求不断趋于多样化,作为支撑业务运营发展的融合计费系统,如何设计更加贴近客户需求的业务流程将是融合计费系统^[1]迭代优化的一个重要方向,动态月租的出账解决方案便是其中之一。     

ZnCoO稀磁半导体的室温磁性

采用固相反应法，将ZnO和Co₂O₃粉末按不同的成分配比混合，制备了稀磁半导体Zn_1-xCo_xO (x=0.02,0.06,0.10)材料.并使用H₂气氛退火技术对样品进行了处理，得到了具有室温铁磁性的掺Co氧化锌稀磁半导体.利用全自动X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪、高分辨透射电子显微镜和超导量子干涉器件磁强计对样品的结构、晶粒的尺寸、微观形貌以及磁性等进行了测量和标度. 关键词： 稀磁半导体 氧化锌 掺杂 固相反应法     

Numerical Study on a Lateral Double-Gate Tunnelling Field Effect Transistor

A novel lateral double-gate tunnelling field effect transistor （DG-TFET） is studied and its performance is presented by a two-dimensional device simulation with code ISE. The result demonstrates that this new tunnelling transistor allows for the steeper sub-threshold swing below 60mV/dec, the super low supply voltage （operable at VDD 〈 0.3 V） and the rail-to-rail logic （significant on-state current at the drain-source voltage VDS = 50mV） for the aggressive technology assumptions of the availability of high-k/metal stack with equivalent gate oxide thickness EOT =0.24 nm and the work function difference 4.5 eV of materials.     

GPS弹载转发器应用设想

本文简要地介绍了将ＧＰＳ技术应用于导弹外弹道测量系统之中的可行性，文中针对一实际用途。提出了其弹载转发器的设计思想，并进行了一些实用数据的计算。     

1．5μm全耗尽CMOS／SIMOX门阵列的研制

本文介绍了可用于高速、高性能抗辐照专用集成电路设计的１．５μｍ薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ门阵列母版的研制．较为详细地讨论了ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ门阵列基本阵列单元、输入／输出单元、单元库的设计技术以及１．５μｍＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ门阵列工艺开发过程．该门阵列在５Ｖ电源电压时的单级门延迟时间仅为４３０ｐｓ．