碳纤维与热沉间接触热阻随温度变化的实验研究

由于微纳米材料特征尺寸小,难以测量其与热沉间的接触热阻。本文利用拉曼光谱测量不同温度下单根PAN基碳纤维的热导率及其与导电银胶、焊锡和硅油间的接触热阻。结果表明,在实验温度范围内其热导率随温度的降低而增大;接触热阻随温度的变化规律与接触物质有关。     

MySQL数据库在自动测试系统中的应用

随着我国经济建设水平的不断提高及其在信息技术领域的巨大进步,尤其是在世界范围内的虚拟仪器推广普及状态下,MySQL数据库技术对自动测试系统运行的巨大作用逐渐显现出来,MySQL数据库引入到自动测试系统后,很大程度上改善了自动测试技术的一些弊端,为自动测试系统带来了新的发展机遇,本文从MySQL数据库的本质出发,结合自动测试系统运行中的实际,对MySQL数据库在自动测试系统中的应用进行了深入的研究和探讨。     

Fabricating GeO2passivation layer by N2O plasma oxidation for Ge NMOSFETs application

In this paper, oxidation of Ge surface by N2O plasma is presented and experimentally demonstrated. Results show that1.0-nm GeO2is achieved after 120-s N2O plasma oxidation at 300?C. The GeO2/Ge interface is atomically smooth. The interface state density of Ge surface after N2O plasma passivation is about ～ 3 × 1011cm-2·eV-1. With GeO2passivation,the hysteresis of metal–oxide–semiconductor(MOS) capacitor with Al2O3serving as gate dielectric is reduced to ～ 50 mV,compared with ～ 130 mV of the untreated one. The Fermi-level at GeO2/Ge interface is unpinned, and the surface potential is effectively modulated by the gate voltage.     

“电力电子技术”课程的启发式教学

“电力电子技术”课程是现代电气工程与自动化专业不可或缺的一门专业基础课。如何通过有限的课时让学生理解并熟练掌握课程内容，从而能举一反三、灵活应用，是授课老师所面临的难题。本文提出将启发式教学应用于“电力电子技术”课程，并阐述了该教学方式的概念、实施方式、优点以及实施过程中的技巧，最后通过一个教学案例介绍了启发式教学如何应用到“电力电子技术”课程中去。     

Heavy ion induced electrical property degradation in sub-100 nm bulk silicon MOS devices

The radiation response of 90 nm bulk silicon MOS devices after heavy ion irradiation is experimentally investigated. Due to the random strike of the incident particle, different degradation behaviors of bulk silicon MOS devices are observed. The drain current and maximum transconductance degrade as a result of the displacement damage in the channel induced by heavy ion strike. The off-state leakage current degradation and threshold voltage shift are also observed after heavy ion irradiation. The results suggest that the radiation induced damage of sub-100 nm MOS devices caused by heavy ion irradiation should be paid attention.     

高速移动OFDM系统信干比的低复杂差分计算

针对高速移动正交频分复用系统,提出了迭代消除子载波干扰的信干比差分计算方法.该方法把前后两次迭代的子载波干扰进行差分运算,差分运算值的加权作为干扰,每次迭代消除子载波干扰后的信号作为有用信号,实现信干比的计算.误差分析和仿真数据表明:采用这种方法计算信干比可以有效估算出系统信干比,同时算法复杂度较低.     

短沟道CMOS／SOI器件加固技术研究

通过大量辐照实验分析了采用不同工艺和不同器件结构的薄膜短沟道ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件的抗辐照特性，重点分析了Ｈ２－Ｏ２合成氧化和低温干氧氧化形成的薄栅氧化层、ＣｏＳｉ２／多晶硅复合栅和多晶硅栅以及环形栅和条形栅对ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件辐照特性的影响，最后得到了薄膜短沟道ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件的抗核加固方案．     

SIMOX材料的TEM研究

在注入能量为１７０ｋｅＶ，注入剂量从０．６×１０１８／ｃｍ２到１．８×１０１８／ｃｍ２范围，改变注入方式，利用ＴＥＭ技术观察了形成ＳＩＭＯＸ的结构．注入剂量为０．６×１０１８／ｃｍ２时，可以获得连续的ＳｉＯ２埋层且顶部硅层基本上无穿通位错产生；注入剂量为１．５×１０１８／ｃｍ２时，采用双重注入可以获得质量很好的ＳＩＭＯＸ结构，顶部硅层仅有较少的穿通位错；注入剂量为１．８×１０１８／ｃｍ２时，三重注入可以获得质量好的ＳＩＭＯＸ结构，顶部硅层穿通位错稍多．     

CoxTi1-xO2-δ体材中氢退火引起的铁磁性及结构相变

利用固相反应法在700℃-1000℃不同的温度下、空气中烧结Co3O4和TiO2混合物,制备了(Co3O4)x/3(TiO2)1-x(0相似文献   

适用于数模混合集成的SOI MOSFET的失真分析

本文较为详细地分析了SOIMOSFET的失真行为 .利用幂级数方法对不同结构包括部分耗尽PD、全耗尽FD和体接触BC的SOI器件的谐波失真进行了对比性的实验研究 .同时 ,在实验分析的基础上提出了描述失真行为的连续的SOIMOSFET失真模型 .该模型通过引入平滑函数和主要的影响失真的物理机制 ,使得模拟计算结果能够与实验结果较好的吻合 .本文所得到的结果可用于低失真的数模混合电路的设计 ,并对低失真电路的优化提供指导方向 .