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建立了高电子迁移晶体管(HEMT)的二维数值模型,并用二维数值模拟的方法讨论了AlGaAs/GaAsHEMT中的GaAs沟道层量子阱中二维电子气的物理性质.通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程获得了沟道中的电子浓度和横向电场.模拟结果表明栅电压的改变对HEMT器件跨导产生很大的影响. 相似文献
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Reactive—HALSⅢ:ATMP光聚合动力学研究 总被引:4,自引:0,他引:4
以受阻胺哌啶醇衍生物4-(丙烯酰氧基)-2,2,6,6-四甲基哌啶醇酯(ATMP)作为聚合单体,利用光差动热分析法(DPC)系统地研究了ATMP的光聚合反应活性和反应动力学规律.结果表明:反应体系的组成和聚合条件对ATMP光聚合动力学有显著的影响;在聚合初期,ATMP光聚合速率同引发剂浓度和辐照光强的平方根呈线性关系;利用DPC测定了ATMP光聚合过程的动力学参数(kp和kt),链终止速率常数kt远大于链增长速率常数kp, kt/kp= 100.01~394.78;kt和kp均随着转化率的增大而减小,但kt的减小幅度大于kp;电子顺磁共振谱(EPR)定量结果表明:原位生成的微量[(2~6)×10-7mol/L]稳定氮氧自由基对ATMP的溶液光聚合过程的阻聚效应不明显. 相似文献
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合成了一种含氮固化剂2,4,6-三(羟基苯基亚甲基胺)-均三嗪(MFP)和两种结构不同的含磷环氧树脂(FD、ED),经红外光谱、核磁共振和元素分析等表征,证实了其化学结构.用MFP固化FD和ED制得了新型无卤阻燃的环氧树脂.用DSC测定了固化物玻璃化转变温度(L),用TGA表征了其热性能,UL-94垂直燃烧试验表征了其阻燃性能.结果表明,所得含磷氮的无卤阻燃环氧树脂具有较高的玻璃化转变温度,优良的热稳定性,初始分解温度高达300℃以上,在850℃下的残炭率达到了27%以上,阻燃性能均达到了UL-94 V-0级. 相似文献
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高温Al_(0.3)Ga_(0.22)In_(0.48)P/GaAsHBT电流增益的计算分析 总被引:3,自引:1,他引:2
建立了Al0.3Ga0.22In0.48P/GaAs异质结双极型晶极管(HBT)中电流输运过程的模型,利用实验得到的材料特性参数进行了HBT电流增益随温度变化的模拟.随着温度上升,小电流时电流增益下降较多,而大电流时电流增益基本保持不变.模拟表明,小电流下电流增益的下降主要是由eb结空间电荷区的复合电流随温度增加而造成的;而大电流下电流增益直至723K下降仍小于10%.最高工作温度可达848K.由于采用的计算方法充分考虑了空间电荷区复合电流的影响,模拟结果较为符合实际情况,可为研制高性能HBT器件所需材料 相似文献
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氧硫化碳作为单体可与环氧化物交替共聚,是合成含硫高分子的新途径.将廉价的环氧氯丙烷与氧硫化碳共聚可以得到含硫和氯原子的高分子,本文报道了无金属催化2种单体的全交替共聚反应.采用三乙基硼和Lewis碱按2/1的摩尔比组成催化剂,可以获得全交替、高区域规整性的聚单硫代碳酸酯.研究了不同实验条件包括有机Lewis酸碱对类型、反应温度、物料配比等因素对共聚反应的影响.结果表明:无金属催化剂能获得与金属催化剂相媲美的效果,能高效催化并得到分子量低于1000 g/mol的全交替低聚物,为氧硫化碳和环氧氯丙烷的高值化利用提供了新的选项. 相似文献