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71.
采用热压烧结的方法制备了添加WS2质量百分数为10%、20%和30%的Fe-28Al-5Cr基复合材料,通过XRD和SEM等手段分析了样品的相组成和组织结构.利用自制的真空摩擦试验机测试了样品在4×10-4Pa真空下的摩擦学性能.研究结果显示:通过与WS2的复合能够显著降低Fe3Al基金属间化合物在真空条件下的摩擦系数,但三种不同WS2含量复合材料的摩擦系数差别不大.随着WS2含量增加,复合材料的磨损率逐渐降低,特别是30%复合材料的磨损率较纯Fe-28Al-5Cr的磨损率低约1个数量级.滑动速度和载荷对三种材料的摩擦系数和磨损率均有一定的影响.纯Fe3Al的磨损表面较为粗糙,出现严重的剥落坑和剥落痕迹,磨损机理为严重的疲劳磨损.添加质量百分数为10%WS2的复合材料的磨损机理为磨粒磨损和疲劳磨损;添加WS2质量百分数为20%和30%的复合材料,其磨损表面相对较为光滑平整,磨损机理为轻微剥落.因此,在复合材料制备中添加WS2能够显著提高Fe3Al金属间化合物的真空摩擦学性能. 相似文献
72.
有机玻璃属于易燃材料,存在严重的火灾隐患,其阻燃配方设计需要同时对聚甲基丙烯酸甲酯进行耐热改性和阻燃设计,并兼顾热变形性和机械性能等方面.改善耐热性主要通过在聚甲基丙烯酸甲酯上增加链段刚性、主价交联和副价交联,从而减缓甲基丙烯酸甲酯的分解,减少阻燃配方设计时阻燃剂用量.为了设计高玻璃化转变温度的材料,提高阻燃有机玻璃的力学性能,应尽可能降低添加型和可聚合型磷酸酯类阻燃剂的用量,其中可聚合磷酸酯类阻燃剂是今后阻燃有机玻璃技术发展的重要方向.在透明度要求不高的领域,采用二氧化硅纳米粉、氧化锌纳米棒、磷酸铝和石墨烯片状纳米材料与阻燃剂复配也可以得到良好的阻燃效果. 相似文献
73.
平板式与槽式聚光太阳能电池组件性能分析 总被引:4,自引:2,他引:2
对平板单晶硅太阳能电池板和槽式聚光太阳能热电联供(PV/T)系统进行实验对比,从系统热、电性能方面进行比较,并用"净现值"法对两套系统经济性进行分析.结果表明,槽式聚光PV/T系统的最大输出电功率是传统平板式PV系统的7~10倍,且通过回收电池的余热,全年可产热2929.433 MJ.在20年的寿命周期中,槽式聚光PV/T系统可获得更多盈余,能较早收回投资成本.用聚光装置进行太阳能发电,可有效提高太阳能的综合利用率,减少投资成本. 相似文献
74.
改进了单分子横向磁镊装置,可以直接用于观察单个DNA分子的伸长和扭转并随时更换样品池内的溶液,还可以同时操纵多个DNA分子,大大提高实验效率.此方法可以提供01到40pN范围的拉力,足以满足大部分单分子DNA实验的要求.用该装置实时观测到了DNA分子在拉力作用下的伸长以及在旋转磁场作用下的扭转,并成功地观察到了分子马达拉动DNA的动力学过程,从而验证了该装置的实用性.
关键词:
横向磁镊
单分子操纵
DNA拉伸
DNA扭转 相似文献
75.
A new prototype of single photon imaging system based on wedge and strip anodes is developed. The prototype can directly measure the intensity and position information for an ultra-weak radiant source which takes on the character of single photons. The image of the ultra-weak radiant source can be reconstructed with a wedge and strip anodes detector and an electronic readout subsystem by photon counting and photon position sensitive detecting in a period of time. With proper evaluation, the prototype reveals a spatial resolution superior to 150μm, a 66-kHz maximal counting rate and a dark-count below 0.67 count /cm^2 s. 相似文献
77.
78.
79.
80.
结型场效应晶体管(J—FET)的传统生产工艺是:在P型硅单晶衬底上进行薄层外延后,再进入制管工艺而生产出管芯的.在外延工序中,由于P型单晶片在高温条件下,P型杂质向外溢出污染管道,使获得纯净的N型外延层产生了困难;其次在汉有3μm的外延层厚度的方向上,白于浓度梯度的存在,获得一致性较好的外延层也是困难的.外延管道中的气流是紊流,由此造成外延层厚度的不均匀.在目前的条件下,生长仅3μ的外延层也有0.5μ的不均习值.这就造成了J-FET产中普遍成品率较低,成不高的缺点. 相似文献