介绍几种薄膜制备新技术

薄膜是半导体器件制造中常用的材料,它的制备方法有蒸发、溅射和CVD等.激光束和电子束制备薄膜,由于它具有反应时间短、加热温度低、加热范围小以及加热和冷却迅速等特点而逐步受到重视.本文着重介绍用激光束制备半导体膜、金属硅化物膜和介质膜.半导体膜的制备又可分为束辐照再结晶和激光诱导化学气相淀积(LCVD)两种方法.辐照再结晶是使绝缘衬底上的多晶,在激光束的辐照下发生熔化再结晶.形成单晶膜.LCVD是在超高真空系统中,通入SiH_4或GeH_4,在激光束的辐照下分解出硅或锗原子,并淀积于衬底上.如果在系统中加入笑气便形成氧化膜,并比较了用该方法制备的氧化膜与常规热氧化和LPCVD膜.     

SOI/SDB中一种减薄技术——电化学腐蚀自停止机理的研究与应用

<正> 一、引言 制备新型高质量SOI材料的直接键合法——SDB技术(Silicon-Wafers Direct Bonding Technique)正受到人们的密切注视。如何获得制作器件所需要的硅膜,这是SDB技术步入实用化,应用于超大规模集成电路领域的关键。SDB中的减薄技术不同于常规的腐蚀和抛光工艺,它是将已键合好的厚度为350μm Si片大面积均匀减薄至数微米甚至更薄的Si膜,本工作利用KOH水溶液电化学腐蚀自停止效应,成功地获得了由外延(或扩散)层控制的表面平整光洁、厚度为1μm的大面积整片SOI硅膜。     

半导体光电探测器

本文将介绍几种半导体光电探测器的研制工艺,器件特性及其应用举例.     

半导体太阳电池

本文介绍两种半导体太阳电池的研制工艺、器件特性及太阳电池的某些应用。     

热氮化二氧化硅对MOS特性的影响

人们发现,在高温下氨气中进行SiO_2的热氮化,可以形成有用的薄栅绝缘物,具有热氮化SiO_2膜的MOS二极管的界面特性明显地受氮化条件的影响。在900℃左右,由于氨气分介产生氢气使原来SiO_2膜的性质发生变化导致了平带电压有一个负的漂移,大于1100℃氮化时,得到一个极好的MOS二极管特性,避免了由原先介质击穿所产生的高电场不稳定性。在硅的间隙中央和绝缘物中的电荷可以忽略的情况下,获得了低于10~(10)cm~(-2)电子伏~(-1)的表面态密度。在SiO_2膜上形成一个防止沾污的高势垒。甚至于采用钠沾污栅,MOS二极管的可动离子密度     

簿栅介质膜的电特性研究

本文介绍在引进的CMOS生产线上,利用等温两步氯化氢氧化技术,研究工业化大生产中薄栅介质膜的电流-电压特性及其击穿特性,结果表明,合理的清洗方法是制备高质量氧化膜的前提,等温两步HCl氧化技术是工业化大生产中行之有效的方法.     

氧化新技术

在LSI和VLSI中都必须使用介质膜,其中使用最多的是氧化硅膜.制备氧化硅膜的方法很多,主要包括热氧化和淀积氧化.但它们的生长温度都比较高,会引起杂质再分布、晶片翘曲和二次缺陷等,降低氧化温度是减小这些影响的重要措施.在双层布线中更需要用低温方法制取绝缘膜.因此,低温快速氧化是目前国内外研究比较活跃的课题.激光诱导化学气相淀积(LCVD)和激光增强氧化是低温快速氧化的新技术.本文将浅谈该技术的氧化机理、实验设备和结果分析.     

激光诱导化学气相淀积SiO_2薄膜

已经证明,用气相施主分子,可以快速（3O00A/分）的进行光化学淀积二氧化硅。利用ArF激光器（193nm）来激励并离介硅烷（SiH_4）和笑气（M_2O）分子进行淀积,与早期的用汞灯不相干光进行辐照淀积氧化物相比,其淀积速度快,可达到汞灯的20倍的淀积速率,在特定范围内,受离介反应的限制。并受紫外光（UV）对衬底直接碰撞的影响。     

薄氧化膜特性研究

本文从氧化膜中电流输运机理出发,结合实验,讨论了影响氧化膜击穿特性的因素;介绍了能使薄膜击穿特性得到明显改善的合理的清洗方法和等温两步氧化新工艺;同时介绍了薄膜组份的俄歇能谱分析以及界面态密度的DLTS法测量等。