晶片表面Haze值研究

介绍了晶片表面Haze值的定义和理论依据,通过对SSIS系统的原理分析,揭示了Haze是一种间接反映晶片表面状态的光学信号。通过对不同表面状态抛光片的光学扫描,研究了晶片表面粗糙度与Haze值的关系;通过对Si抛光片和砷化镓抛光片的扫描对比,研究了晶片本体反射系数对Haze值的影响。研究结果表明,同种材料的Haze值随着表面粗糙度的增大而增大,而不同的材料即使拥有相似的表面粗糙度,Haze值也会因本体反射系数的不同而呈现很大差异。通过对Haze扫描图的特征分析,研究了Haze值分布与晶片表面均匀性的关系,成功地利用Haze值分布将表面性状化,为化学机械抛光和湿法清洗工艺提供了一个新的反馈手段。     

氧化态对锗衬底表面质量的影响

锗衬底主要用于制备砷化镓太阳电池,在航天器电源及地面聚光太阳电池系统中有着广泛的应用。为进一步提高电池转换效率,对锗衬底的表面质量提出了更高的要求。研究了HF/H₂O₂/H₂O清洗液体系中氧化剂H₂O₂体积分数对锗衬底及外延片表面质量的影响。随着氧化反应的不断进行,在锗衬底表面形成一层非晶态不溶性GeO_x薄膜,从而实现了锗衬底较好的钝化和更加稳定的表面终结,并通过外延生长进行了工艺验证。通过高分辨率X射线光电子能谱(XPS)对锗衬底表面氧化态进行测试及分峰拟合并模拟计算,当1.22O₂/H₂O清洗液钝化效果较好。     

多结太阳电池用P型锗单晶片去蜡技术研究

在多结太阳电池结构中,P型锗单晶片不仅作为衬底,也是整体电池结构中的一个结。在外延生长过程中,需要进行多次异质外延生长,因此,对P型锗单晶片的表面质量提出了更高的要求。通过对P型锗片去蜡技术的研究,提高了锗片表面质量,降低了外延生长过程中雾缺陷的比例。     

SDB-SOI晶片减薄技术综述

阐述了SDB-SOI晶片的减薄技术的特点和要求,依次介绍了化学机械抛光、电化学自停止腐蚀、等离子抛光技术和智能剥离技术的原理和特点,并指出了SDB-SOI晶片减薄的发展趋势。     

硅抛光片表面颗粒度控制

硅片表面的颗粒、有机物、金属、吸附分子、微粗糙度、自然氧化层等会严重影响器件性能,其中表面颗粒度会引起图形缺陷、外延缺陷、影响布线的完整性,是高成品率的最大障碍。探讨了如何减少硅表面颗粒度的方法。第一部分从兆声波清洗的机理出发,研究了清洗温度及清洗时间对硅抛光片表面颗粒度的影响;第二部分通过实验对比了增加多片盒清洗工艺对硅抛光片表面颗粒度的影响。     

晶片干燥技术综述

在各类晶片中,尤以衬底抛光片的干燥最为困难,容易出现颗粒和水痕等缺陷。以设备为依托的干燥技术发展迅速,离心甩干技术,IPA Vapor干燥,Marangoni干燥和HF/O3干燥是其中较为成功的。     

圆片级封装用玻璃通孔晶片的减薄工艺北大核心

对圆片级封装用玻璃通孔（TGV）晶片的减薄加工工艺进行了研究并最终确定出工艺路线。该减薄加工工艺主要包括机械研磨及化学机械抛光（CMP）过程。通过机械研磨,玻璃通孔晶片的残余玻璃层及硅层得到有效去除,整个晶片的平整度显著提高,用平面度测量仪测试该晶片研磨后的翘曲度与总厚度变化（TTV）值分别为7.149μm与3.706μm。CMP过程使得TGV晶片的表面粗糙度大幅度降低,经白光干涉仪测试抛光后TGV晶片的表面粗糙度为4.275 nm。通过该减薄工艺加工的TGV晶片能够较好满足圆片级封装时的气密性要求。     

锗片表面钝化探究进展

从锗片实际应用中存在的表面均匀性差、表面质量不稳定问题出发,对影响锗片表面质量的因素进行了分析.研究结果表明,对锗片表面进行钝化后,能够改变锗抛光片表面的悬挂键状态、降低界面态密度,最终提高锗片的实际应用效果.并重点对氢钝化、氯钝化、氮钝化、硫钝化、硅钝化、氟钝化、烷烃钝化等主流钝化方式的适用性及优劣性进行了对比分析,...