有机太阳能电池的研究进展

作为一种成本低廉、工艺简单、可柔性加工的储能器件技术,有机太阳能电池已经成为新型太阳能电池领域的重要发展方向。解决活性层材料的设计、入射光调控结构的应用及传输层界面的修饰问题,提升光电转化效率是目前有机太阳能电池的研究热点。综述了有机太阳能电池的研究进展,包括有机太阳能电池的设计与制备、界面缓冲材料设计及给体/受体材料改性研究,并展望了有机太阳能电池未来的发展方向。     

半导体材料加工过程的化学方法应用

在半导体材料的加工过程中,很多重要步骤都涉及到了化学作用,讨论了半导体材料加工过程中化学缓蚀、化学机械抛光和清洗步骤的化学作用原理,介绍了从化学角度分析和优化半导体加工工艺的观点。     

抛光片IPA干燥技术研究

以Marangoni效应为基础的IPA干燥技术在衬底抛光片的干燥中遇到了瓶颈,即干燥后出现水痕缺陷。Marangoni干燥过程中,抛光片表面的水符合重力场下的杨方程模型,其脱离效果与晶片提拉速率和IPA流量密切相关。研究中发现,IPA流量在20L／min、提拉速率在lmm／s时干燥效果最佳;另外,Marangoni干燥过程不能完全去除晶片底部的残水．需要营造合适的蒸发环境,减压排风下供给适量的IPA蒸汽有助于底部残水的去除。晶片与花篮在干燥过程中有相互影响,完全分离的模式可以消除这种影响,但同时会使干燥时间增长。     

抛光工艺对GaAs抛光片粗糙度的影响

研究了化学机械抛光过程中抛光布、抛光液中SiO2溶胶粒径、pH值以及清洗工艺对GaAs抛光片表面粗糙度的影响,为降低粗糙度而保持一定的抛光速率,应尽量采用多步抛光的方式,逐步降低抛光布的硬度和SiO2溶胶粒径,抛光液的pH值也要在合适的范围。因臭氧水的清洗工艺不会增加粗糙度,不失为一种控制GaAs抛光片表面粗糙度的有效方法。     

硅抛光片表面质量测试技术综述

随着硅抛光片尺寸逐渐增大,硅抛光片表面质量测试逐步被人们所关注。表面金属离子含量以及表面颗粒度成为衡量硅抛光片表面质量的重要指标,对表面金属离子含量以及表面颗粒度的测试原理以及设备进展进行了介绍。     

MnO_2掺杂的M_mNi_(3.2)Al_(0.2)Mn_(0.6)Co_(1.0)对NaBH_4氧化的电催化性能

通过测试线性扫描伏安曲线研究了MmNi3.2Al0.2Mn0.6Co1.0(Mm为混合稀土)经KOH处理和MnO2掺杂对催化NaBH4电氧化性能的影响.发现NaBH4在经KOH处理后的合金上峰电流达到50mA/cm2.若再进行MnO2掺杂,其电催化活性会进一步提高,当掺杂MnO2的质量分数为10%时,MmNi3.2Al0.2Mn0.6Co1.0对NaBH4电氧化的峰电位和峰电流密度分别为-0.45V和126mA/cm2,峰电流密度为只经过KOH处理的合金的2.5倍,是未经过任何处理的合金的9倍.     

卡塞格伦天线的二次赋形设计

本文利用栅格相位的优化对传统的赋形天线进行二次设计,把这两种方法很好的结合在一起,给出一种改进的设计方法.本方法主要利用传统的赋形方法为相位优化提供更简单的方式,提出利用"最优波程"来实现.最优波程的提出使得两种方法结合更加严密,形成一个整体.     

硅单晶抛光片边缘亮线研究

随着集成电路用晶圆向大尺寸化方向发展,国内10~15 cm硅抛光片市场竞争日益激烈,外延及器件厂家对抛光片的表面质量和可利用率要求越来越高。边缘亮线是一种存在于硅片抛光面边缘的腐蚀缺陷,对抛光片的成品率及后续工艺质量有重要影响。通过对硅片边缘表面形貌进行微观分析,揭示了"边缘亮线"产生的机理,分别研究了抛光工艺条件和倒角工艺条件对边缘缺陷的影响,通过优化抛光工艺条件,消除了抛光片表面"边缘亮线"缺陷。     

星载单馈偏置抛物面天线的赋形设计

采用物理光学的分析方法,对抛物面天线的赋形特性进行分析,并给出了一种新的赋形方法。在该方法中,将天线的反射器的表面划分成多个网格,通过优化反射面上各个网格在抛物面焦轴方向上的变形量以得到给定版图上的赋形波束。在网格变形的优化过程中,提出相位影响因子的概念,同时附加了变形限制条件,保证了成形面表面连续。最后通过算例来验证这个方法的可行性,证明该方法能够得到期望的赋形波束,在实际中是可行的。     

超薄Ge单晶抛光片机械强度控制技术

Ge单晶衬底上制成的化合物太阳能电池,被越来越广泛地应用于空间太阳能领域,超薄Ge抛光的机械强度也越来越受到人们的关注.介绍了一种测试超薄Ge单晶抛光片机械强度的方法.研究了加工工艺对超薄Ge单晶抛光片机械强度的影响,同时指出在太阳电池用超薄Ge单晶抛光片的加工过程中,切割、研磨、磨削、化学腐蚀、抛光等工序对超薄Ge单晶抛光片的机械强度均有着不同程度的影响.研究表明,通过调整磨削砂轮砂粒粒径、化学腐蚀去除厚度和抛光速率等工艺参数,能够有效控制超薄Ge单晶抛光片的机械强度.