一种基于服务网格的微服务项目改造方案

随着微服务技术的飞速发展,微服务开发技术变得日益复杂.目前微服务项目服务划分粒度粗,业务逻辑与服务管理紧密结合,服务管理功能迭代影响整个项目的推进,故改造原微服务项目十分必要.文章以改造微服务项目为目标,利用容器编排技术和服务网格,对现有微服务项目进行改造,实现应用底层容器自动化编排,项目服务管理功能与业务逻辑分离.改...     

数控多线切割技术及发展趋势

数控多线切割技术实现了集成电路制造技术的跨越式发展,已成为数控机床制造技术及集成电路制造技术的重要标志,引起了发达国家的广泛重视。论述了数控多线切割技术的特征;介绍了我国自行研制的XQ120和XQ300系列数控多线切割机床并与国外产品进行比较;指出了开发大型数控多线切割机床的技术难点;阐述了我国研发具有自主知识产权的大型数控多线切割机床设备的必要性。     

基于混频DSGE模型的石油价格波动及石油消费偏好动态效应研究

本文将石油作为生产原料和消费品分别引入生产和消费过程,构建了包含石油的动态随机一般均衡模型,并基于混频数据对模型参数进行贝叶斯估计,进而考察石油价格冲击和石油消费偏好冲击对中国宏观经济的影响机制。理论分析表明,石油价格上涨推动生产边际成本上升,短期内会引发成本推动型通货膨胀,中期内会导致产出下降,对中国宏观经济具有负向影响。为增强中国宏观经济抵御国际原油市场风险的能力,应当不断增强生产要素间的替代弹性,降低中国经济对石油的依赖度。此外,正向的家庭石油消费需求冲击,不仅对家庭的消费、投资决策产生影响,还通过扩大总需求拉动经济增长。考虑到现阶段石油消费偏好冲击对经济增长仍存在积极效应,在推进中国经济绿色发展的进程中,应妥善处理能源、环境与经济三者间关系。     

带直流负载的快堆控制棒电源系统设计

该文首先根据直流负载的特点和功能要求,提出了快堆核电厂控制棒驱动机构电源系统的总体架构。其次,在主要设备设计方面,通过对不同类型整流器的对比分析,选取了高频开关整流器作为发电机输出整流设备,并给出发电机、飞轮、电动机选型依据和计算方法。最后,该文描述了棒电源控制系统的控制方案和具体设备配置,并通过与压水堆交流并列方案的对比,提出了棒电源系统在整流器直流侧并列的优势。     

H2S和H2S+的振动光谱和电子能谱计算

本文基于MOLPRO软件包使用从头算方法计算了星际分子H₂S及其阳离子H₂S⁺的势能面及光电子能谱.首先,在(U)CCSD/cc-pVQZ理论水平下获取了H₂S沿法线坐标展开的势能面,势能面直观描述了不同振动模式耦合对分子能量变化的影响,S-H键的非对称伸缩振动和面内弯曲振动共同作用使得系统势能变化范围明显变大.振动多组态相互作用方法被用来计算非谐振动频率和振动光谱,计算结果显示,倍频和组合频之间出现了强烈的费米共振,使得相应波段处的红外强度显著增强.最后,使用拉曼波函数和收缩不变Krylov子空间方法首次计算了H₂SΧ¹A₁→H₂S⁺ X²B₁的光电子能谱.此项研究有助于进一步理解星际分子的内部结构,并为实验研究及星际观测提供参考.     

城市高架道路声屏障顶部形式优化设计与实验

声屏障是防治城市高架道路噪声的重要手段,在实践中存在设计形式单一、低频降噪不足等问题。声屏障顶部设计改良已被证明是一种提高屏障整体插入损失值的有效手段。聚焦声屏障顶部设计前沿研究进展,在最优衍射边界Y型顶部的基础上合理布置腔室,利用腔室的干涉相消效应扩大屏障的低频降噪量,设计出Y-3l,Y-3x及树型结构三款屏障顶部衍生型,并将设计结果应用1∶10缩尺模型进行实验验证。结果表明,树型结构的总体降噪提升最为显著,Y-3x型在中频降噪更具优势,而在其余频带不如树型结构,而Y-3l型降噪频谱较为均衡。三种Y型顶部衍生型相较于基础Y型、T型、吸声圆柱型均有宽频降噪提升,在工程上具有一定的参考意义。     

H2S、HCN、PH3在FeO（100）表面吸附的密度泛函理论研究

基于密度泛函理论研究了H2S、HCN、PH3 在FeO(100)表面的吸附行为,其吸附位点主要考虑四个：Fe-top(铁顶位)、O-top(氧顶位)、Hollow(空位)、Bridge(桥位)。结果表明H2S吸附在O-top吸附位点的吸附能最小,为-1.02ev,即在该位点的吸附体系最稳定。当HCN吸附在FeO(100)表面时,各吸附位点的稳定顺序为Hollow>Fe-top>Bridge>O-top。PH3 的最稳定的吸附位点与H2S的一致,为O-top吸附位点,其吸附能为-1.11ev。当H2S吸附在O-top吸附位点时,H2S与FeO（100）表面的电荷转移量最多,说明该吸附构型最稳定,而HCN吸附在FeO(100)表面,在Hollow吸附位点的电荷转移量最多,也即该吸附位点属于最稳定吸附位点。PH3与FeO（100）表面之间的电荷转移量最多的吸附位点与H2S的相同。当H2S和PH3吸附在O-top吸附位点时,吸附后的态密度曲线整体向低能级移动,峰值降低,其吸附结构变得更加稳定。而HCN吸附在Hollow位点时,吸附后的HCN态密度曲线向能量更低的区域移动,吸附体系变得更稳定。     

TiO2-WO3负载硅钨酸盐聚苯胺膜电极的电化学行为及电催化性能研究

用循环伏安法制备了金属氧化物(TiO2-WO3)负载硅钨酸盐聚苯胺膜修饰玻碳电极(PAn/SiW12/TiO2-WO3/GC),优化了聚合条件,并对该化学修饰电极的电化学行为,包括溶液pH值的影响和电极的稳定性等进行了研究。研究结果表明,此修饰电极聚合物膜不但保持了该杂多酸的电化学活性和电催化性能,又具有良好的稳定性。在0.5 mol/LH2SO4溶液中,该膜电极中的SiW12的第2个还原峰对BrO3-有很好电催化活性,催化过程符合EC平行催化机理。     

全氟二异丙基膦酸锂的合成及其电化学性能研究

以合成的氯代二异丙基膦为原料, 利用电化学全氟化方法, 得到全氟二异丙基膦酸锂(Li[(C3F7)2PF4]), 并对其物理和电化学性能进行了研究.     

一种开关电容带隙基准电压源

设计了一款高精度、低线性调整率的开关电容带隙基准电压源。分析了NMOS开关高温漏电流对基准输出电压精度的影响,提出了一种高温漏电补偿电路。偏置电路采用多个共源共栅结构的电流镜,增大了从电源到输出的阻抗,降低了基准电压的线性调整率。利用虚拟管抵消了开关关断时带来的沟道电荷注入效应和时钟馈通效应,提高了基准输出电压的精度。该电路基于0.35μm CMOS工艺设计,仿真结果表明,基准源能稳定输出1.1 V电压,建立时间为5.9μs;在-55～125℃,温度系数为1.38×10^-5/℃;27℃下,在2.7～5 V电源电压范围内,线性调整率为0.9 mV/V;电路总静态电流为35.1μA。