高剂量离子注入直接形成Ge纳米晶的物理机理

研究了单束双能高剂量Ge离子注入、不经过退火在非晶态SiO2薄膜中直接形成镶嵌结构Ge纳米晶的物理机制．实验中利用不加磁分析器的离子注入机，采用Ge弧光放电离化自动形成的Ge+和Ge2+双电荷离子并存的单束双能离子注入方法，制备了1e16～1e18cm－2多种剂量Ge离子注入的Si基SiO2薄膜样品．用GIXRD表征了Ge纳米晶的存在，并仔细分析得到了纳米晶形成的阈值剂量．通过TEM分析了Ge纳米晶的深度分布和晶粒尺寸．用SRIM程序分别计算了双能离子在SiO2非晶层的射程和深度分布，与实验结合，得到纳米晶形成的物理机制，即纳米晶的形成与单束双能离子注入时Ge＋和Ge2＋相互碰撞产生的能量沉积在SiO2中形成的局域高温有关．     

通用帐务处理应用系统

本系统严格贯彻了市财政局的有关规定和要求,各种帐册的式样均得到市财政局会计处的认可。 (一)软件主要功能该应用系统包括帐务处理子系统、报表生成和输出子系统两大部分,能实现从记帐凭证登入至各种帐册和会计报表输出的全部帐务处理过程。 1.帐务处理子系统的功能科目编码定义和科目编号设置科目级数最高为五级,每级科目位数1至8位,各级科目位数之和不得     

不对称数字用户线上的多播视频传送

集中讨论了基于不对称数字用户线上多播视频业务的特性、体系结构及开发多播业务的几种关键技术，对目前用于传送的几种接入体系结构进行了分析比较。     

控制电位滴定法的误差分析

研究了影响控制电位滴定法测定结果准确度的因素,得到的结论是:第一,电位的控制误差及滴定剂体积的测定误差是影响控制电位滴定法测定结果准确度的主要因素.计算模型中的比例系数越大,滴定曲线的变化率越大,这种影响越小.第二,多组分体系的测定误差,与组分在计算模型中比例系数的相对大小有关.比例系数越大,测定误差越小.第三,不同浓度(或不同浓度比)待测溶液滴定曲线的差异越大,对控制电位滴定法的测定越有利.     

开放式线切割数控系统关键技术研究

线切割数控系统采用开放体系结构能显著提升其性能，比较分析了开放式线切割数控系统的体系结构模式和系统平台，并结合实际研究工作对开放式线切割数控系统开发过程中的多线程编程、加工轨迹三维图形构建、实时控制等关键技术进行了深入的研究。     

基于分区编码坐标的目标物体6D位姿检测网络

<正>基于建立2D-3D坐标密集对应的两阶段方法是对目标物体进行6D位姿检测的一类解决方案。本文在前人的基础上改进，提出了ZC-Pose，一种基于分区编码坐标的目标物体6D位姿检测网络框架，其仅使用RGB数据和模型信息对目标位姿进行预测。本文在Linemod数据集上测试其表现，相较于该领域的一项经典工作——CDPN中的旋转分支部分有了可观的提升，并且与其他相关工作进行比较，也表现出了具有竞争力的结果。     

利用压电薄膜设计体积位移传感器

以不同边界条件的振动板为例,提出利用模态方法和分部积分方法设计PVDF传感器测量体积位移。模态正交性设计方法只能满足单一边界条件振动板结构体积位移的测量,而根据分部积分方法设计得到的PVDF传感器,适合一定边界范围的振动板的体积位移测量,并且所设计的PVDF传感器形状与激励力性质(类型、位置和频率范围)以及振动板本身的材料特性无关。     

电信级多业务IP承载网需求及关键技术

文章对电信级多业务IP承载网需求、标准化现状进行了介绍,分析了组网原则和关键技术。     

聚合物点:合成方法、性能及光学应用进展EI北大核心CSCD

聚合物点由于具有易调控的光电特性一直备受相关领域研究者们的关注。作为一种新型碳基纳米材料,聚合物点的分类、合成方法及性能仍缺乏较为系统的总结。本篇综述根据聚合物点的结构,将其分为共轭聚合物点和碳化聚合物点,主要围绕两种聚合物点的定义、合成方法及发光机理进行了讨论。此外,本文还对聚合物点近年来的光学应用进行了总结,包括生物成像和荧光标记、药物和基因传递、传感、光电器件、光催化和防伪等。