缩比模型的宽频时域太赫兹雷达散射截面(RCS)研究

本文首次以钛宝石飞秒激光振荡级为抽运源,搭建了国内首套宽频时域太赫兹雷达(带宽0.1—1.3 THz)并进行了基于标准球的系统校正验证.利用该雷达测量了太赫兹波段三种缩比模型的散射时域信号.通过改进后的后向投影算法对模型的轮廓外形进行了成像研究,验证了新型时域散射信号成像机理.太赫兹雷达更高的频率,宽谱的特征和高分辨率成像的能力有望用于隐形外形设计过程,成为新兴的太赫兹散射特征研究平台.     

基于PCM1716E的通用音频解码板的设计与实践(上)

DIY是什么?DIY就是自己动手,把设备性能发挥到极致的探索过程。这一次,广东的StanleyJing先生和山东的梁兴光先生携手为我们带来了一篇有关通用音频解码板DIY的大作,两位DIY高手的智慧在文章中水乳交融,碰撞出了耀眼的火化。其实,Jing先生与梁先生素未谋面,他们的所有联络都是通过互联网进行的。但是,距离的遥远却没有影响两位作者的交流热情,并最终诞生了这篇堪称佳作的结晶。这,不正是发烧精神的完美写照吗?我们衷心希望这种讨论互助的精神能够继续发扬光大,涌现出更多的类似作品,与广大读者共同分享DIY的激情与喜悦!     

校园网络数据资源分层访问策略

分析了校园ＭＩＳ及数据资源的特征,针对校园信息资源范围广、关联复杂的状况,提出了数据资源统一访问策略——分层访问．数据访问分为七层,各层完成数据访问独立性的特定功能,使不同的访问软件能透明访问全部数据资源．为保证传统应用能基于网络计算访问统一数据资源,又提出了“数据访问管道”和数据库访问服务器的技术．文章分析了以应用服务器为基础的Ｎ－Ｔｉｅｒｓ计算的弊端,设计了“虚拟应用服务器”ＷＵＶ－ＡＰＰＳ,将数据访问对象构造成数据对象组件．     

WCDMA和GSM1800宏蜂窝共基站干扰分析

当前3G移动通信产业已逐步走向商用化阶段，我国也为3G不同的技术体制（FDD与TDD）标准划分了2GHz附近的核心频段和补充频段，具体规划如图1所示。     

高增益硅超高频功率SIT

采用全自对准介质盖栅工艺，通过合理设计，研制成功一种高增益硅超高频功率ＳＩＴ。在４００ＭＨｚ工作频率、５０Ｖ工作电压下，其输出功率Ｐｏ为４０Ｗ，漏极效率η＿Ｄ接近６０％，功率增益Ｇｐ高达１６ｄＢ。Ｐｏ＝２５Ｗ时，三阶交调３ＩＭ为－１６ｄＢ；Ｐｏ＝２．５Ｗ时，３ＩＭ为－５０ｄＢ。     

一类二阶非线性微分方程解的渐近性状

引言本文研究二阶非线性方程的解之渐近性状——有界性、单调性、振动性和振动解振幅的性质.关于线性方程+p(t)x=0的上述性质之研究,已经有许多工作(见书[1,2]).关于非线性方程     

超导量子计算任意波形发生器输出一致性校准的设计与实现

超导量子计算中量子比特的控制是通过实验室自主研发的任意波形发生器(AWG)实现的。为实现高保真度量子门操控,需要对AWG参数进行标定使得各通道输出具有一致性。本文为超导量子计算集成测控系统设计了AWG输出一致性校准,包括增益校准和偏置校准。该校准采用LabRAD框架,满足了校准任务的并行和可扩展性要求;通过分析码值与电压的关系,实现了高效精确的校准,比如将所有AWG通道的增益参数误差校准到10^-3,偏置参数误差校准到10^-6,满足了高保真度量子操控对AWG的精度要求。校准后测得各通道的电压-码值曲线基本重合,误差在10^-4,能够满足超导量子计算中AWG的输出一致性要求。     

分子束外延高性能P型GaAs单晶薄膜

用国产分子束外延设备生长出性能优良、表面平整光洁的GaAs。不掺杂的P型GaAs空穴浓度为 2-8×10~(14)cm~(-3),室温迁移率为360-400cm~2/V·s.使用国产材料,纯度为 2N5并经我们“提纯”的 Be作为 P型掺杂剂.掺 Be的 P型GaAs空穴浓度范围从1.0 × 10~(15)至6×10~(15)cm~(-3).其室温迁移率与空穴浓度的关系曲线与国外文献的经验曲线相符.当空穴浓度为1—2 ×10~(15)cm~(-3)时,室温迁移率达 400cm~2/V·s.低温(77K)迁移率为 3500—7000cm~2/V·s.在4.2K下对不同空穴浓度的P型GaAs样品进行了光荣光测量和分析.     

超疏水薄膜表面结构及其制备工艺的研究进展

综述了可以用于低温下(<200℃)制备超疏水表面膜层的工艺方法,首先介绍了常见超疏水膜层的表面结构特征和物理特性,并对其表面特殊结构调控的必要性进行分析,接着从薄膜制备工艺的分类方法的角度论述了常用制备超疏水表面薄膜的工艺方法并对其进行优缺点分析总结,最后论述了超疏水表面薄膜在工业上的实用性.其中重点关注了可以用于在低...