偶氮掺杂光学薄膜非线性光学特性研究

为探索温度不同及掺杂浓度不同对极化聚合物二次谐波产生（SHG）的影响,用实时电晕极化装置对一种偶氮主客体掺杂薄膜进行了研究,结果显示,对于这种主客体掺杂体系,二次谐波产生强度随温度先增大后减小,存在一个最佳值;在最佳极化温度下,随着偶氮材料掺杂浓度的提高,二次谐波产生强度,先增大后减小。结合紫外-可见吸收谱对结果进行分析,对产生这种现象的物理机制提出一种新的解释：随着掺杂浓度的提高分子间作用不可忽略,使得偶氮材料的一阶超极化率的大小发生变化,导致二次谐波强度发生变化。     

飞秒激光加工过程中光学参数对加工的影响

分析了国际上飞秒激光同材料相互作用的实验研究,介绍了飞秒激光加工过程中,各个光参数对加工质量和加工尺寸的影响,针对光参数在飞秒激光加工过程中产生的影响做出了分析。     

表面态型半导体可饱和吸收镜实现Nd:YAG激光器被动锁模

砷化镓半导体材料与空气接触的表面存在密度很高的电子表面态，砷化镓材料内部的电子可以通过这种表面进行驰豫，驰豫时间估计在ps量级。依此原理，制作了一种新型的表面态型半导体可饱和吸收镜，用其作为被动锁模吸收体．实现了半导体端面泵浦Nd：YAG激光器被动连续锁模。在泵浦功率为4W的情况下．获得了连续锁模脉冲序列，重复频率150MHz，锁模脉冲平均输出功率为300mW，脉冲宽度为10ps。     

磁聚焦法测电子比荷实验中电场对电子束螺旋线起点的影响

利用2种磁聚焦方法,测量了e/m误差与加速电压和聚焦电压的关系.结果表明2种方法中,e/m误差对加速电压和聚焦电压的依赖关系不同.误差的根源可能是由螺距的不确定性引起,而螺距的变化是由螺旋线起点的变化引起的.讨论了螺旋线起点对加速电压和聚焦电压的依赖关系.     

螺芴氧杂蒽LB膜的制备及光谱特性研究

为了研究聚芴材料DSFX-SFX分子在气液两相表面的行为,分子处于溶液、LB膜及粉末状态的光学特性,以及分子有序排列对其发光特性的影响,制备了聚芴材料DSFX-SFX的X型LB膜,研究了π-A等温曲线,测量了其紫外-可见吸收谱和稳态荧光光谱。结果表明,分子以face-on形式平躺在亚相表面,单分子面积为4.78 nm2。在氯仿溶液中吸收峰位在354 nm,归属于分子中三聚氧杂蒽部分与芴环间π-π*电子跃迁;荧光发射峰位在396,419,445 nm(肩峰),归属于发色团三聚氧杂蒽,是芴环与氧杂蒽环之间的电荷转移。在LB膜中,吸收谱和荧光光谱与其溶液光谱相比,整体红移6 nm。结果表明:在LB膜中,两个分子形成激基缔合物,与单分子状态相比,激基缔合物的HOMO升高而LUMO降低。与粉末状态相比,该材料在LB膜中有很强的荧光发射,表明该材料形成有序排列超薄膜有利于荧光发射。     

石墨烯锁模掺铒光纤脉冲激光器的实验研究

利用高分子聚合物聚乙烯醇(PVA)易成膜且机械性能优良的特点,将微米尺寸的石墨烯薄片制成大尺寸的石墨烯-PVA薄膜.分别测量了石墨烯-PVA薄膜与石墨烯片的拉曼光谱,发现二者具有同样的特征.研制了用该石墨烯-PVA薄膜作为饱和吸收体,具有环形腔结构的被动锁模掺铒光纤激光器,获得了峰值波长1532.75 nm,重复频率8...     

电光腔倒空激光二极管抽运Nd:YAG锁模激光器

设计了一个简单的直腔。将电光腔倒空与激光二极管端面抽运Nd：YAG半导体可饱和吸收镜锁模激光器结合，实现了锁模脉冲的产生、放大和输出。在连续抽运功率5W的条件下。获得了脉冲宽度为11ps的锁模单脉冲输出和脉冲宽度为200ns的调Q脉冲输出，腔倒空单脉冲能量为30nJ，重复频率为10Hz。连续锁模运转时单个锁模脉冲的能量约为2nJ。利用腔倒空将单脉冲的能量提高了15倍左右。文章详细讨论了腔倒空脉冲及调Q脉冲的产生机理，并分析了加在电光晶体上的高压电脉冲以及偏振片的偏振度对腔倒空脉冲及调Q脉冲的影响。     

银铝共掺ZnS高效电子传输层的制备与特性

从量子力学角度分析银铝共掺硫化锌可以作为高效电子传输层材料,从理论上计算出杂质原子的波尔半径,对于银铝共掺硫化锌作为高效的电子传输层的最佳厚度给出了理论参考值。利用银铝共掺硫化锌作为电子传输层,制备了结构为ITO/NPB/Alq3/ZnS∶Ag-Al(x)/PBD/Al的有机电致发光器件,分析了不同厚度的银铝共掺硫化锌电子传输层对器件发光强度的影响,并对共掺硫化锌中载流子传输机制进行了分析。实验发现共掺硫化锌具有良好的空穴阻挡和电子传输性能。当银铝共掺硫化锌电子传输层厚度为8 nm时,器件的相对发光强度和电致发光强度相对于没有电子传输层的器件分别增加了430倍和130倍,器件的阈值电压也降低了4 V。与纯硫化锌作为电子传输层器件相比,相对发光强度提高3倍。     

A Passively Mode－Locked Diode－End－Pumped Nd：YAG Laser with a Semiconductor Saturable Absorber Mirror Grown by Metal Organic Chemical Vapour Deposition

We report the experimentM results of a mode-locked diode-end-pumped Nd:YAG laser with a semiconductorsaturable absorber mirror (SESAM) from which we achieved a lOps pulse duration at 150MHz repetition rate.The SESAM was grown by metal organic chemical vapour deposition at low temperature. The recovery time wasmeasured to be 0.5 ps, indicating the potential pulse compression to sub-picoseconds.     

自聚焦透镜耦合激光二极管抽运Nd:YVO4锁模激光器的研究

设计了一种简单有效的折叠腔,采用具有部分透过率的平面反射镜作为谐振腔的腔镜,实现了激光的单路输出,提高了激光器输出的利用率,增强了激光器的实用性.利用计算机编程分析了谐振腔内元件的参数对腔内光斑分布的影响.利用自聚焦透镜对激光二极管(LD)进行整形,实现了端面抽运Nd:YVO4半导体可饱和吸收镜(SESAM)连续波锁模...