TbFex薄膜的成分控制及其对磁结构的影响

利用直流磁控溅射工艺制备了TBFex薄膜，通过改变溅射气压调节薄膜的成分，利用磁力显微镜研究了薄膜成分对畴结构的影响，最后从理论上讨论Ar气压对磁致伸缩薄膜TBFex成分的影响，并建立了理论模型。结果表明：Ar气压在相当大的范围内影响着TBFex膜的成分，当气压从0．2Pa增加到0．6Pa时，Tb原子数百分比从30％增加到45％，磁力显微镜（MFM）观察到当TB含量减少时，在零场下的磁化强度由与膜面垂直方向变为平行于薄膜平面方向。     

基于晶圆减薄工艺的LT减薄片制备

声表面波(SAW)滤波器因其小型化、低插损及高品质因数(Q)值等性能,已广泛应用于移动通信系统中。钽酸锂(LT)/SiO₂/Si结构克服了传统温度补偿型声表面波(TC-SAW)器件制备工艺难的问题,但需减薄该结构上的LT厚度,而减薄过程会导致晶圆表面有损伤残留,影响器件性能。针对这个问题,该文开展了基于减薄与抛光制备LT减薄片的工艺研究,分析了砂轮目数、砂轮与工作台转速、砂轮进给率等减薄参数对LT晶圆表面损伤的影响,以及抛光压力对损伤的去除效果。研究结果表明,在优化的工艺参数下,减薄抛光后晶圆表面粗糙度为0.187 nm,损伤深度小于1 nm,减薄片制备的TC-SAW谐振器的阻抗图和Smith圆图表明晶圆性能和一致性良好。     

纳米晶交换耦合稀土永磁体α－Fe／Nd_2Fe_(14)B的居里温度及磁性能随温度变化关系研究

从铁磁体材料原子中电子间静电交换相互作用出发,结合Ｈｅｉｓｅｎｂｅｒｇ铁磁性理论,从原子分子设计的角度,针对ＮｄＦｅＢ基稀土永磁材料的晶体结构及原子占位特征,提出了提高居里温度ＴＣ的三条途径,在此基础上,利用熔体快淬工艺合成了具有高ＴＣ和磁性能的高温度稳定性的纳米晶稀土永磁体材料,并对其微结构及磁性能分别进行了表征和振动样品磁强计（ＶＳＭ）的测试与讨论。     

低温固相反应挤出PET/PC合金中的多重网络增韧结构

以聚对苯二甲酸乙二酯(PET)瓶片为主要原料, 加入聚碳酸酯(PC)、热塑性弹性体及扩链剂, 采用低温固相反应挤出制备了具有良好强度与韧性的新型合金. 在加工过程中产生PET相和PC相互穿的网络结构的同时, 反应性扩链剂在PET相中发生交联反应, 形成了次级网络结构. 由于这些网络结构的存在, 使合金材料的力学性能得到明显提高, 特别是缺口冲击性能有了明显的改善.     

热释电薄膜在红外探测器中的应用

介绍了热释电效应及热释电薄膜红外探测器的工作模式,特别是探测器单元对热释电薄膜的材料与低温生长要求。为了克服薄膜生长过程中较高的基片温度对读出集成电路(ROIC)的破坏性影响,一方面发展了离子束辅助沉积、外延缓冲层等多种低温生长技术,另一方面发展了复合探测器结构设计。已研制出了性能良好的铁电薄膜非制冷红外焦平面阵列,其噪声等效温差(NEDT)可达20mK。     

基于LabVIEW的虚拟频率补偿仪的设计

虚拟仪器是计算机技术和传统仪器仪表技术相结合的产物,是仪器发展的一个重要方向。LabVIEW是一个基于图形化编程语言的虚拟仪器软件开发工具。文中基于Lab-VIEW图形化编程语言,针对实际测量中测量系统的工作频带不能满足测量允许误差的问题,采用数字滤波的方法设计了虚拟频率补偿仪,较好地改善了系统的动态特性。该仪器灵活性强,用户可以根据自己的需要任意设置补偿参数,具有硬件方法不可比拟的优越性。     

热释电红外探测阵列的工作原理、性能指标及应用

介绍了热释电效应和热释电红外探测阵列的工作原理及工作模式,分析了几个重要和常用热释电探测阵列的性能参数,并简述了此阵列的发展情况及其在军、民领域的应用.     

嵌埋于沸石分子筛中的Fe_n团簇的磁性能研究

运用RKKY理论 ,推导了金属球形团簇间交换作用 ,并利用蒙特卡罗 (MC)方法模拟了嵌埋于沸石分子筛中的Fen 团簇体系的磁性能与团簇尺寸的关联效应。结果表明 :嵌埋式团簇体系的磁性能随团簇间距离呈震荡型 ,体系磁化强度随团簇分布密度及填充率的增大而增大 ,这对新型复合磁性材料的制备提供了参考。     

Single event effect in a ferroelectric-gate field-effect transistor under heavy-ion irradiation

The single event effect in ferroelectric-gate field-effect transistor （FeFET） under heavy ion irradiation is investigated in this paper. The simulation results show that the transient responses are much lower in a FeFET than in a conventional metal-oxide-semiconductor field-effect transistor （MOSFET） when the ion strikes the channel. The main reason is that the polarization-induced charges （the polarization direction here is away from the silicon surface） bring a negative surface po- tential which will affect the distribution of carders and charge collection in different electrodes significantly. The simulation results are expected to explain that the FeFET has a relatively good immunity to single event effect.     

硅基PZT 热释电厚膜红外探测器的研制

在(100)单晶Si 衬底上,采用MEMS 工艺和丝网印刷方法制作了锆钛酸铅(PZT)厚膜热释电红外探测器,深入研究了PZT 厚膜材料的制备方法与器件加工工艺。采用四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液腐蚀Si 衬底制备硅杯结构。为防止Pb 和Si 相互扩散,在Pt 底电极与SiO2/ Si 衬底之间通过射频反应溅射制备了Al2O3 薄膜阻挡层。采用丝网印刷在硅杯中制备了30 m 厚的PZT 材料,并用冷等静压技术提高厚膜的致密度,实现了PZT 厚膜在850℃的低温烧结。PZT 厚膜在1 kHz、25℃下的相对介电常数与损耗角正切分别为210 和0.017,动态法测得热释电系数为1.510-8Ccm-2K-1。最后制备了敏感元为3 mm3 mm 的单元红外探测器,使用由斩波器调制的黑体辐射,在调制频率为112.9 Hz 时测得器件的探测率达到最大值7.4107 cmHz1/2W-1。