磁性随机存储器中的电流磁场分布模型

根据磁性随机存储器(MRAM)设计的实际需要,建立了MRAM中相互垂直的字线和位线电流所产生的磁场的解析分布模型。利用该模型讨论了存储单元与位线间距离(d1),字、位线宽度(w)及字、位线厚度(t)对存储单元自由层表面磁场分布的影响。结果表明,d1或w增大时,自由层表面磁场的强度及非均匀程度都减小。t增大时,自由层表面磁场的强度及非均匀程度都增大。其中d1对磁场分布的影响程序是最大的。该模型为MRAM更精确的器件模拟及器件结构的优化设计工作提供了必要的基础。     

薄膜磁致伸缩系数测试系统的研究

根据激光光杠杆放大原理设计实现了薄膜磁致伸缩系数的计算机辅助测试系统。根据激光光杠杆的放大作用,利用位置敏感传感器(PSD)探测激光光点的位移,将激光点位移信号转换成电信号,利用KEITHLY2182电压表测量电信号,在Testpoint测试软件平台上开发了磁致伸缩系数测试程序,通过计算机对KEITHLY2182电压表的控制,实时读出KEITHLY2182电压表所测到的电压并进行数据处理。通过标定,该测试系统能较好地对薄膜磁致伸缩系数进行测量。     

电子书与数字化图书馆的融合研究

论述了信息载体的变革对人类的重要意义,揭示了电子书和信息化图书馆的发展趋势和特点,指出了电子书与数字化图书馆结合的必然性和诸多优点.     

Characterization of vertical Au/β-Ga_2O_3 single-crystal Schottky photodiodes with MBE-grown high-resistivity epitaxial layer

High-resistivity β-Ga_2O_3 thin films were grown on Si-doped n-type conductive β-Ga_2O_3 single crystals by molecular beam epitaxy(MBE).Vertical-type Schottky diodes were fabricated,and the electrical properties of the Schottky diodes were studied in this letter.The ideality factor and the series resistance of the Schottky diodes were estimated to be about1.4 and 4.6×10~6 Ω.The ionized donor concentration and the spreading voltage in the Schottky diodes region are about4×10~(18)cm~(-3) and 7.6 V,respectively.The ultra-violet(UV) photo-sensitivity of the Schottky diodes was demonstrated by a low-pressure mercury lamp illumination.A photoresponsivity of 1.8 A/W and an external quantum efficiency of8.7 ×10~2%were observed at forward bias voltage of 3.8 V,the proper driving voltage of read-out integrated circuit for UV camera.The gain of the Schottky diode was attributed to the existence of a potential barrier in the i-n junction between the MBE-grown highly resistive β-Ga_2O_3 thin films and the n-type conductive β-Ga_2O_3 single-crystal substrate.     

钛酸锶钡热释电薄膜及其非制冷红外探测器研究

开展了钛酸锶钡(BST)热释电薄膜材料制备工艺研究,及其在单元器件和焦平面器件中的应用研究.在删Pt/Ti/SiO2/Si衬底上,用倒筒靶射频溅射方法制备了BST热释电薄膜.通过低温缓冲层技术和调控自偏压的方法,降低了BST薄膜的生长温度,提高了BST薄膜的c轴取向度和耐压特性,解决了薄膜制备的均匀性和一致性问题,使薄膜热释电系数达到6.7×10-7Ccm-2K-1.利用微细加工的方法,制备出全集成的BST薄膜单元红外探测器,抗过载能力强,探测器达到8×107cmHz1/2W-1,可以满足"灵巧弹药"的使用要求.实验表明,制备BST热释电薄膜的工艺不会对新型的耐高温读出电路造成破坏,为研制高性能的BST薄膜型焦平面探测器奠定了基础.     

丝网印刷制备大面积多孔PZT热释电厚膜与器件

采用丝网印刷法在氧化铝基片上制备了大面积多孔PbZr0.3Ti0.7O3热释电厚膜与单元红外探测器。通过掺入Li2CO3与Bi2O3作为助烧剂,实现了厚膜在850℃下的低温烧结。通过保持合适的孔隙率,将厚膜的相对介电常数降低至原值的1/5以提高材料优值与探测率。厚膜在1 kHz、25℃下的相对介电常数与损耗角正切分别为94与0.017。测试了厚膜相对介电常数与损耗随温度的变化规律,测得其居里温度为425℃。通过动态法测试得到厚膜的热释电系数为0.9×10-8 Ccm-2K-1。使用由斩波器调制的黑体辐射,测得单元器件在8.5~2 217 Hz的电压响应与噪声,计算出器件的探测率为3.4×107~1.7×108cmHz1/2W-1。     

Nd-Fe-B永磁材料氢脆过程及Al+Al2O3阻氢涂层研究

从材料保护的角度出发，在分析了Nd-Fe-B永磁材料的氢脆过程及氢脆的特点后，用RF磁控溅射制备一定厚度的Al薄膜并在一定条件下进行氧化处理，得到了Al A12O3复合涂层。用SEM和XBD分析了涂层形貌和组成，并用高压气相充氢的方式测试了涂层的阻氢性能。研究表明，厚度为8．0μm复合涂层的阻氢性能为：在10MPa的H2环境中(25℃)，阻氢时间达65min，且对磁体的磁性能无不良影响。     

振动与波中的两个问题讨论

一、如何唯一决定简谐振动中的初相在普通物理课本中,一般都说根据下式可以决定初相: tgφ=-v_0/(ωX_0) (1)φ——初相;v_0——初始速度;X_0——初始位置;ω——圆频率。但是,对于每一个正切值,φ都有两个解φ_1,φ_2。故由(1)式便不能唯一地决定初相了。我们又知道,初相也可以由X_0=Acosφ(2)即cosφ=X_0/A (2′)来决定。但这样决定的φ也有两个解φ_1~′,φ_2~′。我们注意到φ_1,φ_2中和φ_1~′,φ_2~′中只有一个是共同的,另一个是不同的。真正的初相应同时满足(1)和(2′)。所以,要想唯一地决定初相,应由(1)和(2′)联合起来解,同时满足(1)和(2′)的φ便是真正的初相,它也是唯一的。     

近似邻近点算法收敛性的一个注记

近似邻近点算法在最优化理论与方法研究中具有重要作用.在不同误差准则下,近似邻近点算法具有不同的收敛性.利用极大单调算子等工具给出了一个具体的例子,解释了在一些误差准则下近似邻近点算法的收敛性.