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应变Si1—xGex层材料和Si/Si1—xGex器件物理参数模型 总被引:4,自引:0,他引:4
Si/Si1-xGex异质结系统已成功地应用于高速数字、高频微波和光电器件中。对这些器件进行理解和分析时,往往受到应变Si1-xGex材料参数缺乏的制约。本文建立和给出了常温和低温下重要应变Si1-xGex层材料和Si/Si1-xGex器件物理参数模型,对Si/Si1-xGex异质结器件的理解、研究和设计有重要的实际意义。 相似文献
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提出了一种Q-频率特性增强的低噪声压控有源电感(VCAI),电路主要由双反馈回路、前馈支路及两个电流镜共四个模块构成。其中,双反馈回路一方面用于构成回转器以实现电感特性,另一方面用于产生负阻以提高Q值,并为其配置两个调控端以实现对Q值和电感值的调节;而两个电流镜也配置了两个外部调控端,用来改变电路直流偏置以进一步对Q值和电感值进行调节;前馈支路与回转器的正跨导器相连,以改善VCAI的噪声。最终,通过四个模块相互配合以及四个调控端的协同调控,使得VCAI的Q-频率特性得到增强,即不但在同一频率下Q峰值可以相对于电感值独立调节,而且在不同频率下Q峰值可以基本保持不变,还具有低的噪声。验证结果表明,在3 GHz频率下,Q峰值可从135大范围调节到1 132,而电感值仅从43.50 nH到43.89 nH范围内微弱变化;在2 GHz、3.4 GHz和5 GHz不同频率下,Q峰值分别为682、659和635,变化率仅为6.8%;在1 GHz下,VCAI的输入参考噪声电压为3.2 nV/Hz,相比于未加入前馈支路的9.2 nV/Hz降低了6 nV/Hz。 相似文献
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提出了一款新型的双频段可变增益放大器(DBVGA),分别工作在3G-WCDMA的2.2GHz和WLAN的5.2GHz两个频段。放大器分为增益控制级、输入输出级和放大级。其中,增益控制级采用电流驱动技术和发射极串联电感来减小噪声和输入阻抗的影响,进而实现大动态的增益变化。输入级通过电容电感串并联方法实现双频段的输入匹配。放大级使用Cascode结构和电流复用技术来提高增益和减小功耗。采用Jazz 0.35μm SiGe BiCMOS工艺设计芯片版图,版图面积为0.5mm2。仿真结果表明,当控制电压从0V到1.4V变化时,DBVGA在2.2GHz和5.2GHz下的增益可变范围分别达到30dB和16dB,最大增益处的噪声分别为2.3dB和3.2dB,输入和输出驻波比约1.5。 相似文献
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An improved inductor layout with non-uniform metal width and non-uniform spacing is proposed to increase the quality factor(Q factor).For this inductor layout,from outer coil to inner coil,the metal width is reduced by an arithmetic-progression step,while the metal spacing is increased by a geometric-progression step. An improved layout with variable width and changed spacing is of benefit to the Q factor of RF spiral inductor improvement(approximately 42.86%),mainly due to the suppression of eddy-current loss by weakening the current crowding effect in the center of the spiral inductor.In order to increase the Q factor further,for the novel inductor, a patterned ground shield is used with optimized layout together.The results indicate that,in the range of 0.5 to 16 GHz,the Q factor of the novel inductor is at an optimum,which improves by 67%more than conventional inductors with uniform geometry dimensions(equal width and equal spacing),is enhanced by nearly 23%more than a PGS inductor with uniform geometry dimensions,and improves by almost 20%more than an inductor with an improved layout. 相似文献
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基于有源电感的全集成超宽带低噪声放大器 总被引:1,自引:0,他引:1
利用有源电感来实现超宽带低噪声放大器(UWB LNA),不但可以减小芯片面积、改善增益平坦度,而且可通过外部调节偏置电压来调谐有源电感的电感值,进而调整设计中没有考虑到的由工艺变化及封装寄生带来的增益退化.采用TSMC 0.35 μm SiGe BiCMOS工艺,利用Cadence设计工具完成了放大器电路及版图的设计.在3.1~10.6 GHz工作频率范围内,通过外部调节电压来调谐有源电感,可使LNA的增益S21在16~19 dB范围内变化,输入输出回波损耗S11,S22均小于-10 dB,噪声为2.4~3.7 dB,输入3阶截点IIP3为-4 dBm.整个电路芯片面积仅为0.11 mm2. 相似文献
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提出一种以SiGe HBT为有源器件的超宽带有源可调衰减器。在超宽频带内实现了宽增益调节范围和高线性度。详细分析了有源衰减器的最小插入损耗及最大衰减量,基于Jazz 0.35μm SiGe HBT工艺,通过选择合适的SiGe HBT有源器件,完成了超宽带有源可调衰减器的设计。利用安捷伦公司的ADS仿真软件,对设计的有源可调衰减器进行仿真验证。结果表明,在3.1~10.6GHz的超宽带内,当电压在0.4~1.8V的范围内变化时,该有源可调衰减器的增益动态范围大于50dB,S11在整个电压变化范围内均低于-10dB,且输入3阶交调点(IIP3)为13dBm。 相似文献
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