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81.
无线数据通信网发展趋势   总被引:1,自引:0,他引:1  
黄宇红  张必智 《世界电信》1996,9(1):32-34,37
无线数据通信具有两大发展趋势,即低速的广域移动数据网及高速的局域无线数据网。本文介绍了其技术特点、应用情况和市场前景,分析了无线数据通信传输技术、网络结构和媒质接入控制等问题。  相似文献   
82.
83.
关于设计性物理实验的几个问题   总被引:3,自引:1,他引:2  
对设计性物理实验的教育功能进行了探讨,并以“用电位差计校正毫安表”为例,介绍了如何对学生的动手能力进行评价.  相似文献   
84.
随着科技的进步和人们生活水平的提高.人们对电子产品,尤其是电子消费品的需求也越来越高。电子产品的小型化和集成化成了其发展的主流方向。产品的功能越来越多.而其体积越来越小,由此带来的元件的高密度也是必然的。如何在一定的空间内放置更多的元件呢?答案当然是减小元件的体积。这就是为什么0201元件在当前的产品中应用越来越广泛的原因。0201元件的广泛使用,其具体的驱动力来自于越来越多的功能.如GPS、蓝牙技术、80211无线技术、E911、3G,集成在移动电话、笔记本电脑等其他电子产品中。0201元件的出现,给当前的制造系统带来了较大的影响。由于0201元件的体积只是常见的0402元件的四分之一,重量也为其四分之一,在PCB上所占的空间比0402少67%。体积更小,重量更轻使其对整个的组装工艺(包括PCB设计、模板与开口设计、焊膏印刷参数、贴装设备、再流焊、检测等)都有很大的影响。这些影响是一系列的,其中.对组装工艺影响较大的是PCB设计:包括焊盘设计、元件间距、布线设计等)、模板设计和贴片设备的精度。本文将主要讨论这三个方面对0201组装工艺的影响,并对组装工艺过程中出现的缺陷进行分析并给出解决方法。  相似文献   
85.
珠算穿梭式加减法,是珠算界学者、专家在总结传统加减算法的基础上,根据珠算自身的性质,而改进推出的一种新的珠算加减打法,它不仅改进了传统加减法中手指逆向(自右向左)空回的缺陷,也大大地提高了珠算加减法的运算速度。但是,经过几年的实践,广大珠算爱好者们发现,珠算穿梭式加减法在进行逆向加减运算时,  相似文献   
86.
张学海 《微波学报》1992,8(1):55-59
本文主要介绍关于应用过极限圆波导作为医用连续波磁控管输出腔的设计思想,理论分析,设计方法和试验应用结果。  相似文献   
87.
88.
Schapery本构关系能够很好地描述材料的粘弹性变形,但其中存在着下面几个问题:(1)当材料的蠕变变形含有粘塑性变形时,直接引用Schapery本构方程是不准确的;(2)材料的蠕变一般有损伤产生,Scbapery本构方程不能体现损伤特征;(3)理论上讲,无论载荷的突变量多大,粘弹性变形总有一个时间过程,这一点与Schapery本构方程不一致;(4)Schapery本构方程的参数确定是由曲线来拟合,这种方法有很大的主观性,本文介绍了Schapery本构方程的推导过程,针对上述问题提出了一些修改意见。  相似文献   
89.
描述片式电磁干扰对策元件的基本原理和特性,以及在各种情况下应该如何选择适当的片式电磁干扰对策元件。  相似文献   
90.
Ni films are deposited by using ultra high vacuum dc magnetron sputtering onto silicon substrates at room temperature, and the high-quality and high-density films are prepared. The parameters, such as thickness, density and surface roughness, are obtained by using small-angle x-ray diffraction (XRD) analyses with the Marquardt gradient-expansion algorithm. The deposition rate is calculated and the Ni single layer can be fabricated precisely. Based on the fitting results, we can find that the surface roughness of the Ni films is about 0.7nm, the densities of Ni films are around 97% and the deposition rate is 0.26nm/s. The roughness of the surface is also characterized by using an atomic force microscope (AFM). The changing trend of the surface roughness in the simulation of XRD is in good agreement with the AFM measurement.  相似文献   
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