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提出一种单光子探测器量子效率的绝对自身标定方案,利用光参量下转换过程中产生的光子对在时间上的相关性,先将参量光束分为两路,然后引入相对延时,使同时产生的孪生光子先后进入单光子探测器,然后将探测器之后的电路分为三路,其中一路直接进入计数器得到探测器所探测到的光子的总计数率,另两路用电路方法引入和光路相当的相对延时,经符合电路后进入计数器,得到前后到达探测器的光子对之间的符合计数率.这样,从符合计数率与总光子计数率之比即可在不需要任何其他探测器或者参照标准的情况下获得探测器的量子效率.文中给出两种方案,分别适 相似文献
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本文以高分辨电子显微镜为手段对锰酸钙晶体缺氧空位排列形式和大颗粒样品解体过程进行了初步的研究。观察到了非化学剂量化合物锰酸钙晶体结构,通过观察还发现了锰酸钙晶体中缺氧墙和反相畴界伴生存在的现象。进一步理论分析发现无论是晶体中缺氧空位,非化学剂量化合物中缺氧空位串,还是晶体间缺氧墙,这些结构和完整锰酸钙曹体结构相比较都是缺氧的。这样我们对锰酸钙晶体缺氧过程描述为:完整晶体失氧,首先以点缺陷形式存在,随着失氧量的增大在晶体中开始出现缺氧线缺陷和缺氧面缺陷,当晶体继续失氧时,缺氧墙位置通过移动产生反相畴界,从而导致了晶体的部分解体。 相似文献
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本文描述了用膜吸收法测量激光等离子体辐射温度空间分布的原理和方法给出了柱形缝靶轴向辐射温度随空间位置变化的特征,对测量结果进行了分析讨论。 相似文献
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文章报道了用分子束外延(MBE)法在600℃和650℃下,在Si掺杂的GaAs衬底的(311)A和(311)B面上成功地生长了高质量的AlxGa1-As/GaAs单量子阱材料。计算了光荧光(PL)峰值能量,并与实验作了比较。讨论了(311)A和(311)B面上的不同生长特性。 相似文献
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<正> 6.硅桥式整流器性能鉴别 硅桥式整流器具有体积小,使用方便等特点,在家用电器和工业电子技术中应用广泛。常用的小功率硅桥有全桥和半桥之分。全桥是将四只硅整流二极管接成桥路的形式(见图3),如QL52~QL61系列、PM104M、BR300系列等。半桥有三种结构:一种是将两只二极管顺向串联,在结点处引出一极(如2CQ1型),见图4;另一种是将两只二极管背靠背式反极性联接(称共阴式,如2CQ2型),见图5;第三种是将两只二极管头碰头式反极性联接(称共阳 相似文献
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设F=aP+a_1P_1+……+a_mP_m是非冗余析取范式,本文获得了当a>0.5时,aP可消当且仅当aP是冗余项,当a≤0.5时,给出了aP可消的一个判别准则,然后归纳出短语可消性的判定法则。 相似文献
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