静电纺丝工艺制备纳米抗菌敷料的研究与应用进展

与传统敷料相比,静电纺丝纳米抗菌敷料具有极大的比表面积和孔隙率,既有益于细胞呼吸,又可阻止细菌感染伤口,并能有效增大抗菌药物与伤口中细菌的作用面积而高效杀菌。此外,纳米敷料还能最大程度仿生细胞外基质的结构,有利于加快细胞和组织的生长,促进受损皮肤的恢复,因而非常适合用做皮肤敷料。本文对静电纺丝纳米抗菌敷料的特点,各类基体材料、抗菌药物在静纺抗菌敷料制备中的应用,以及静纺敷料的抑菌效果做了介绍,并对静电纺丝纳米抗菌敷料的应用前景做了展望。     

环状二苯基碘盐的合成、表征与应用——综合性多步有机合成实验*

介绍了以2-碘苯胺和苯硼酸为原料,通过Suzuki偶联反应、重氮化反应、氧化反应等3步合成环状二苯基碘盐,并进一步应用于二苯并噻吩的合成。本实验涉及有机化合物的合成、结构表征以及应用,将有机化学基础理论知识、基本实验技能与学科研究热点相结合,能够有效培养学生的科学研究素养。该实验牵涉到气相质谱、核磁及熔点仪等仪器的使用,锻炼学生动手操作仪器的能力及综合实验技能,适合作为高年级学生的综合实验。     

采用干法刻蚀进行微通道板扩口理论模型研究

开口面积比是微通道板（MCP）重要的性能指标,在MCP输入面进行扩口,对于MCP的探测效率、噪声因子等参数有显著的提升作用,在微光夜视仪、粒子探测器等军用、民用领域具有巨大的应用潜力。采用湿法腐蚀进行微通道板扩口,面临工艺一致性差、选择性腐蚀造成锥度尺寸难以达标等难题,实质性批量应用非常困难。针对扩口MCP难以制作和应用的问题,提出一种采用干法刻蚀进行MCP扩口的方法,阐述了干法刻蚀进行MCP扩口原理及可行性。通过建立理论模型研究干法刻蚀工艺参数如刻蚀角度、刻蚀时间等对于MCP开口面积比、通道内刻蚀深度、通道内壁刻蚀锥度等性能参数的影响,计算出合适的工艺参数范围,为开展实验研究奠定了基础。     

深空探测天线自抗扰控制技术研究

随着深空探测技术的不断发展,深空探测设备天线口径的不断增大,观测频率越来越高,波束宽度越来越窄,这对天线伺服系统控制精度提出了很高的要求.深空探测天线伺服系统采用的PID控制是典型的被动抗扰设计,虽具有控制器结构简单、参数易于调整的优点,但抗扰能力不足的缺点,使其难以满足高精度指向和跟踪的需要.针对此问题,提出了基于自...     

罗丹明B的飞秒双光子荧光显微成像研究

利用宽带飞秒振荡器作为激发光源搭建了双光子荧光显微成像系统,在飞秒脉冲的宽带激发下,测量了罗丹明B溶液的双光子荧光光谱,开展了罗丹明B固体样品的双光子荧光显微成像研究。在双光子荧光显微成像研究中,通过调节激发脉冲的功率,分析了双光子荧光强度和激发脉冲功率之间的关系,并且利用半波片改变线偏振激发光场的偏振方向,研究了双光子荧光强度随激发脉冲偏振方向的变化趋势,实现了双光子荧光强度的类正弦调制。     

基于雷达的嵌入式车载辅助驾驶系统的设计

提高车辆驾驶的安全性和舒适性是智能交通系统(ITS)的主要研究内容之一.介绍了自行研制的车载辅助驾驶系统,论述了其基本设计思想和总体方案.对系统的硬件实现、基于模糊推理的辅助驾驶系统的控制算法和雷达信号的Kalman滤波等技术进行了研究.经过现场试验证明该系统是切实可行的,在汽车行进过程中具有安全距离保持的功能,并且较好地体现了驾驶员的驾驶特征.     

甲胺磷离子选择性电极的研制及其应用

以四苯硼钠与甲胺磷在盐酸介质中生成的离子缔合物为电活性物质,首次研制出一种甲胺磷PVC涂层玻璃电极。并对该电极的响应机理及性能进行了研究。实验表明,该电极的Nernst响应范围为1×10-2~1×10-4(φ),斜率为50.28 mV/pφ。该电极响应迅速,重复性好,用于蔬菜中残留甲胺磷的测定,方法快速、准确,结果满意。     

湍动雾化射流液雾粒径分布的数值模拟

对水在空气中湍动雾化射流的气液两相流场进行了数值模拟.其中,气体流场采用k-ε湍流模型进行模拟,给出了载气轴向速度的分布情况.对喷雾粒子的运动采用颗粒轨道法,建立粒子破碎和碰撞的数值模型,研究了液雾粒径在不同工况下沿轴向的变化趋势.数值模拟结果与实验结果在多种气液比下进行了比较,两者吻合较好.同时,分析了初始粒径和粒子总数及喷嘴尺寸对液雾粒径变化趋势的影响,讨论了有助于粒径均匀分布的条件.     

一种新型毫米波微带均衡器的设计与实现

分析了平面回音壁模介质谐振器的特点及其与微带线耦合产生均衡的原理,并在此基础上给出了一种新型的毫米波均衡器子结构.仿真分析证明,这种结构具有良好的Q值和耦合度可调性.最后,用此子结构级联设计出新型毫米波均衡器,并且呈现良好的特性.     

无铅无铋高性能压电陶瓷

本文分析了铌酸盐作为无铅无铋压电陶瓷的原因,采用适合工业生产的传统电子陶瓷工艺,制备出压电性能和居里温度都高的(Na0.5K0.5)1-x(LiSb)xNb1-xO3.其中(Na0.5K0.5)1-x(LiSb)0.052Nb0.948O3压电常数d33=286pC/N,平面机电耦合系数kp＞=0.51,损耗tan居里温度c=385℃.这些参数表明,该压电陶瓷具有很好的应用前景.