一种电路设计的辅助方法

利用ＰＳＰＩＣＥ对电路进行辅助设计是电路设计的方法之一，本文介绍了对电路设计的理论计算和估算的验证以及修正量的提取、电路特性的分析。     

Si/ SiGe/ Si HBT 的直流特性和低频噪声

在对Si/SiGe/Si HBT及其Si兼容工艺的研究基础上，研制成功低噪声Si/SiGe/Si HBT，测试和分析了它的直流特性和低频噪声特性，为具有更好的低噪声性能的Si/SiGe/Si HBT的研究建立了基础。     

X波段交直流分离的MEMS开关的设计与研究

介绍了一种带直流驱动电极交直流分离的MEMS开关,研究了影响开关阈值电压的因素,运用缩腰设计、尺寸优化等方法降低开关的阈值电压;运用阻抗匹配方法降低开关的反射损耗;利用等效电感的设计提高所需频段的隔离度。使用Coventor和HFSS软件模拟,设计的开关阈值电压小于20V,在X波段插入损耗低于0.1dB,反射损耗低于-25dB,谐振点处隔离度高于40dB。     

梳状微谐振器的简单器件综合。

介绍了MEMS器件中微谐振器的简单综合方法:在给出一要求的频率值和明确设计变量与设计约束的条件下,提出一组规范尺寸,并用一种有效面积的综合方法,得到相应的微谐振器器件拓扑结构图,以及一组优化且实际有效的拓扑参数,实现微谐振器的简单器件综合。并用ANSYS软件进行了返回验证,结果误差均很小,符合设计要求。     

A hybrid model for the charging process of the amorphous SiO2 film in radio frequency microelectromechanical system capacitive switches

Charging is one of the most important reliability issues in radio frequency microelectro-mechanical systems(RF MEMS) capacitive switches since it makes the actuation voltage unstable.This paper proposes a hybrid model to describe the transient dielectric charging and discharging process in the defect-rich amorphous SiO 2 RF MEMS capacitive switches and verifies experimentally.The hybrid model contains two parts according to two different charging mechanisms of the amorphous SiO 2,which are the polarisation and charge injection.The models for polarisation and for charge injection are established,respectively.Analysis and experimental results show that polarisation is always effective,while the charge injection has a threshold electric field to the amorphous SiO 2 film.Under different control voltage conditions,the hybrid model can accurately describe the experimental data.     

节目编辑线管理系统的设计与实现

介绍一个基于电源智能监控的节目编辑线管理系统的设计方案。采用三个独立的应用程序完成,它包含实时监控、员工管理、时间规划、部门管理、统计分析五大功能模块,实现了实时监控、信息管理、规划调度、统计决策等功能。阐述了系统设计结构和功能特点,介绍了系统所采用的智能控制机通信协议和数据处理等关键技术,描述了可视化界面实例。     

硅基铝T形梁MEMS可变电容的设计与模拟

提出了一种新颖的运用于射频通信系统VCO中的RFMEMS可变电容。该电容使用平行板和T形梁结构,使用硅衬底,整个结构由铝材料组成,结构简单,与集成电路工艺兼容,从而能够实现片上可变电容。通过静电力驱动上极板向下运动,电容值相应地发生改变,当上极板加电压从2.4V变化到4.3V时,电容值从0.25pF变化到0.33pF,变化率为中心电容的27%。使用Coventor软件对该器件进行了模拟,给出的模拟结果包括容量、调节范围、瞬时响应、Pullin电压和运用该可变电容的VCO的电路模拟。     

高隔离度宽频带MEMS双膜桥开关

利用一种新型双边加直流驱动电极的电容耦合式MEMS并联膜开关与直接接触式并联膜开关进行级联,形成MEMS双膜开关.通过对其尺寸和结构的优化,降低开关阈值电压,Coventor软件模拟表明,开关的阈值电压小于20V;通过对其匹配设计改善开关的高频性能,HFSS软件模拟的结果表明,在DC～20GHz整个频带内,开关的插入损耗优于-0.1dB,反射损耗低于-30dB,隔离度低于-20dB,在 谐振点处隔离度能达到-40dB.     

RF MEMS开关吸合电压的分析

吸合电压是MEMS静电执行器的重要参数,针对RF MEMS开关,详细分析了开关在不同执行方式下的吸合电压.对于执行电压是脉冲方式而言,开关梁受迫振动,不同于准静态方式,此时使开关发生吸合的执行电压为动态吸合电压,计算表明比准静态吸合电压小8%.通过简化的弹性系数和精确的电容计算公式,详细分析了基于CPW的双端固支梁开关的准静态和动态吸合电压.分析了环境阻尼对动态吸合电压的影响,阻尼使得开关的两种吸合电压差别变小.最后分析了射频输入功率对开关吸合电压的影响,射频输入功率会降低吸合电压,如果输入功率足够大,吸合电压将会降为零,此时MEMS开关会发生自执行失效.     

双层螺旋RF MEMS电感的模拟与设计

分析了双层螺旋电感的等效电路模型,研究了一种与传统CMOS工艺兼容的MEMS工艺,通过腐蚀电感结构下的硅衬底使电感悬空.利用HFSS软件对一些双层螺旋微电感进行了模拟,模拟结果表明,相比传统单层电感,双层电感可以减少60%的芯片面积,10nH的电感也只需要很小的面积,经过MEMS后处理的双层螺旋电感的最大Q值都超过了20.