语音合成片和MCU 的接口实现

通过介绍语音合成芯片MSP53C391的工作特性，讨论如何提高语音合成的质量，给出了MCU和语音合成芯片的接口形式、实现方法及接口程序的结构。     

与Si 工艺兼容的Si/ SiGe/ Si HBT 研究

我们对Si/SiGe/Si HBT及其Si兼容工艺进行了研究,在研究了一些关键的单项工艺的基础上,提出了五个高速Si/SiGe/Si HBT结构和一个低噪声Si/SiGe/Si HBT结构,并已研制成功台面结构Si/SiGe/Si HBT和低噪声Si/SiGe/Si HBT,为进一步高指标的Si/SiGe/Si HBT的研究建立了基础。     

一种安全的匿名代理数字签名方案

提出了具有新特点的代理签名方案:匿名性、可追踪性和不可伪造性,在该方案中,代理签名者身份对验证者来说是不可见的,签名出现争议时,验证者可以借助原始签名者确定代理签名者的身份;可以抵抗伪造攻击。分析结果表明,改进后的方案是安全的。     

RF螺旋电感参数的提取方法

射频集成电路（RFIC）中电感元件十分重要,其模型是RFIC模拟的关键．在确定电感的电路模型后,要进行正确的设计和优化,还必须知道模型中各元件的参数．文中首先给出了电感结构的嵌入式和非嵌入式电路模型,然后从已知的S参数通过三种途径提取了模型中集总元件参数,并对三种途径提取的元件参数进行了模拟,以便得到提取模型参数的最佳途径．     

微加工射频可变电容的研究与进展

我们给出并比较各种最新颖的可变电容,这些电容包括上极板水平移动的可变电容、梳状水平移动的可变电容、平行板上下移动的可变电容、平行板梳状上下移动的可变电容、改变介质的交叠面积的可变电容、使用水平执行器的可变电容、使用绝缘衬底实现的可变电容和使用MEMS开关调节电容阵列来实现的可变电容,比较了目前的可变电容的各种结构以得出目前工艺条件可以较容易实现的高Q值的可变电容。     

基于MMIC工艺的片上射频LC无源滤波器

设计、制作了几种基于MMIC工艺的片上LC低通/带通滤波器并进行了测试. 测试结果表明,一个3nH的MMIC电感在6.8GHz下品质因数达到13.8,自谐振频率达到15.5GHz;制作的LC低通/带通滤波器的截止频率或中心频率与设计偏差很小,分别为2%和3.3%;低通滤波器在各自通带内的插入损耗小于3dB,带通滤波器在中心频率的插入损耗为7.2dB.     

MEMS电容式并联开关充放电产生的电磁干扰分析

MEMS并联开关是MEMS（微机电系统）的最重要的器件之一,由于其在高频状态下表现出的高隔离度及低插入损耗,以及与半导体开关相比所具有的极低的直流功耗,故在微波领域的应用越来越受到关注。本文着重分析了开关在开关时对传播的电磁信号的影响。文中给出了MEMS电容式并联开关在充放电时的电磁模型,描述了开关在充放电时的电磁场,分析了开关在充放电时产生的变化电磁场对信号的干扰情况。     

X-波段MEMS单刀双掷开关的研究

利用X-波段MEMS单刀单掷膜开关和成熟的微带线技术设计了一种X-波段MEMS单刀双掷膜开关,其模拟结果为;阈值电压为19V左右,工作频率为8～12GHz,在中心频率（10GHz）处,导通开关的插入损耗为-0．2dB,截止开关的隔离度为-21dB,开关的回波损耗为-43dB。     

一种基于GaAs MMIC技术的X波段电容式膜桥MEMS微波功率传感器

This paper presents the modeling, fabrication, and measurement of a capacitive membrane MEMS microwave power sensor. The sensor measures microwave power coupled from coplanar waveguide （CPW） transmission lines by a MEMS membrane and then converts it into a DC voltage output by using thermopiles. Since the fabrication process is fully compatible with the GaAs monolithic microwave integrated circuit （MMIC） process, this sensor could be conveniently embedded into MMIC. From the measured DC voltage output and S-parameters, the average sensitivity in the X-band is 225.43μV/mW, while the reflection loss is below -14 dB. The MEMS microwave power sensor has good linearity with a voltage standing wave ration of less than 1.513 in the whole X-band. In addition, the measurements using amplitude modulation signals prove that the modulation index directly influences the output DC voltage.     

基于砷化镓衬底的RF MEMS膜开关

射频微机械开关由于其优越的高频特性在微波和毫米波电路中表现出巨大的应用前景。但是目前的微机械开关都是制作在硅基衬底上的，难于与后面的高频砷化镓处理电路相集成。本文介绍了基于砷化镓衬底的RFMEMS膜开关，着重介绍了开关的工作原理、制作过程和测试结果。