南极岩石样品中稀土元素的中子活化分析

用仪器中子活化分析技术,测定了南极岩石中8种稀土元素含量,讨论了不同岩石的稀土模式特点。     

Cr/MgO催化剂上乙腈和甲醇选择性合成丙烯腈的研究

用浸渍法制备了系列MgO负载过渡金属氧化物催化剂，比较了这些催化剂的催化性能，详细考察了Cr／MgO催化剂的活性组份含量、焙烧温度及反应温度等因素对乙腈和甲醇选择性合成丙烯腈的影响。结果表明，对于Cr／MgO催化剂，当负载量3％时催化性能最佳，过高的负载量对生成丙烯腈的选择性影响不大，但乙腈转化率呈下降趋势，焙烧温度对生成丙烯腈选择性的影响不大，但经600℃焙烧的催化剂乙腈转化率最高，随着反应温度提高，乙腈转化率提高，而生成丙烯腈选择性400℃左右出现最高值，CO2-TPD表明，催化剂强吸附碱中心越多，越有利于乙腈和甲醇选择性合成丙烯腈反应，Cr／MgO催化剂中引入Na2O后，提高了乙腈的转化率，而生成丙烯腈的选择性降低。     

具有不同柱状结构的苯并菲盘状液晶化合物的合成及自组装

合成了3种含有不同长度烷基链的苯并菲盘状液晶化合物; 通过1H NMR 和 MALDI-TOF MS对其结构进行了表征; 利用差示扫描量热法(DSC)、热台偏光显微镜(POM)和小角X射线散射实验(SAXS)对3种液晶化合物的自组装行为进行了研究. 结果表明, 烷基链的长度对苯并菲盘状液晶化合物自组装结构的影响显著. 柔性链为辛基的苯并菲盘状液晶化合物自组装成六方柱状液晶相; 柔性链为十二烷基的化合物自组装成倾斜柱状液晶相; 而柔性链为十六烷基的化合物则未形成液晶相.     

纳米金属氧化物：复合分散法制备及分散性

通过采用水热晶化与荷电复合分散法制备γ-AlOOH、R-TiO₂和α-Al₂O₃纳米晶体粉末,利用TEM和激光粒度分析仪等手段研究了纳米颗粒水热晶化与荷电复合分散的分散效果及其工艺条件,并探讨了金属氧化物纳米颗粒水热晶化与荷电复合分散机理。结果表明,晶化与荷电复合分散可明显改善金属氧化物纳米颗粒在液相中的分散稳定性,所制得的AlOOH、TiO₂和Al₂O₃纳米颗粒在水中分散放置24 h后的透光率的变化率D₂₄还可分别保持为94.1%、87.7%和82.2%;在水中分散后的粒径分布统计的平均粒径分别为67、70和143 nm。     

超耐候乳胶漆的研究

以常用工艺制备乳胶漆,严格按照国标GB／T9755～2001《合成树脂乳液外墙涂料》,测试了乳胶漆的耐水性、耐碱性、耐擦洗性和耐候性,研究了不同类型乳液、不同颜料体积分数（PVC）、不同粉体对乳胶漆的影响。结果表明,使用硅丙乳液、PVC为0．49％且颜料为金红石型钛白粉时,乳胶漆的耐候性最好。     

碳纳米纤维负载钯催化剂的制备及其催化性能研究

通过静电纺丝和碳化技术,将聚丙烯腈制备成碳纳米纤维并用于负载钯催化剂.扫描电镜(SEM)表征结果显示,碳化过程虽使部分纤维融合,但纤维结构保持良好;透射电镜(TEM)图显示,碳化过程中Pd原子有一定程度地聚集,形成了直径约为15nm的颗粒.催化结果表明,该催化剂对碘代芳烃和丙烯酸酯的Heck偶联反应具有良好的催化活性,生成物反式肉硅酸酯的产率较高;该催化剂至少可以重复使用5次（保持催化活性不变）,显示出良好的稳定性.     

土壤和沉积物石油污染现状

针对全球石油污染的现状从原油的组成、分类与对环境的潜在影响、原油中有毒有害物质的成分、石油的工业工艺流程等方面进行了论述,并着重分析了中国土壤和沉积物原油污染,对松辽盆地、济阳坳陷、塔里木盆地、渤海油区等区域污染现状作了详细介绍,对石油勘探开发中重要污染源之一——化学助剂造成的污染也作了总括.     

声级计的工作原理

１声频与噪声的概念１．１声频声音是由物体（固体、液体和气体）的振动产生的，当一个物体振动时，就会激励周围的弹性介质随之运动，以疏密交替形式并以一定的速度向外传播而形成疏密波，这种介质的疏密波即为声波。当声波作用于人耳时，就会产生声音的感觉。引起周围弹性介质振动的物体称为声源。从一个声源发出的声波其相位相同的相邻两点间的距离称为波长，用λ表示，单位为m。声波在介质中传播的速度称为声速，用c表示，单位为m／s，声速的大小取决于介质的弹性和密度而与声源无关，在常温（即２０°C）和标准大气压下，空气中的声速…     

采用PLL技术的合成频率源设计

介绍分频锁相频率合成技术.通过对锁相环工作过程及相位噪声等的基本原理的分析,采用PLL技术成功设计了1.8 GHz锁相频率源.在该锁相源中分频鉴相器采用ADI公司的ADF4118,VCO采用M/A-COM公司的ML081100-01850,低通环路采用三阶RC低通滤波器.其相位噪声为-75dBc/kHz、杂散抑制为-85dBc.实验测试获得了较好的技术指标,能满足现代移动通信C网和G网射频子系统对本振源的要求.     

磁控溅射AIN介质MIS栅结构的AlGaN/GaN HEMT

报道了一种X波段输出功率密度达10.4 W/mm的SiC衬底AIGaN/GaN MIS-HEMT,器件研制中采用了MIS结构、凹槽栅以及场板,其中MIS结构中采用了磁控溅射的A1N介质作为绝缘层.采用MIS结构后,器件击穿电压由80 V提高到了180 V以上,保证了器件能够实现更高的工作电压.在8 GHz、55 V的工作电压下,研制的1 mm栅宽AlGaN/GaN MIS-HEMT输出功率达到了10.4 W,此时器件的功率增益和功率附加效率分别达到了6.56 dB和39.2%.