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51.
52.
事实上,很难用一两句话来对Wilson Audio的声音风格做出具体描述,因为它的内涵太过丰富。 以笔者对音响价值的判断,Wilson Audio早已经不是一个单独的音响品牌。而已是一个奢侈品级的牌子了。就像一般人普遍拥有名牌崇拜心理一样,对于发烧友而言,  相似文献   
53.
步入初秋的上海是惬意的。走在周末夜晚的汾阳路上,丝丝微风伴随着恰到好处的凉意弥散在幽静的空间中,给人一种宁静的感受。人行道两旁,带着淡淡暖色调黄晕的灯光柔和地洒在路面上,眼睛所及之处,树影摇曳、枝蔓婆娑。可以想见,这样的氛围更给整条不长的汾阳路添上文艺的味道——尽管近年来白天的这条路市俗气渐多。一切,到了夜晚就不同了。夜是白天的妆容。在秋天的滋润下。汾阳路上洋溢着音乐的味道。  相似文献   
54.
最近有机会连续听了两套高级音响系统,一套是德国“柏林之声”非常传统单纯的两声道纯音乐系统,另一套,则是美国“麦景图”集家庭影音娱乐为一身的多声道高级影院/Hi—End音乐系统,两者都是作为单一品牌的套装面目出现,虽则功能有所差异,但带给我的体验,都达到了至高的水准。  相似文献   
55.
<正>面对目前传统化石能源的消耗及其引起的环境污染问题,新型可再生能源愈发受到关注。氢能源作为一类新型清洁能源,在解决人类面临的能源与环境问题领域中具有巨大优势。电解水作为氢气来源的有效途径,其反应进程主要受制于阳极水电解析氧反应较高的过电势。为降低反应壁垒,各类催化剂被用于析氧反应进程中。虽然  相似文献   
56.
设计了一款800 V VDMOS终端结构,采用场限环(FLR)与场板(FP)相结合的方式,在场限环上添加多晶硅场板与金属场板,有效地降低了表面电场峰值。通过调整终端结构,在135μm的有效终端长度上实现了848 V的击穿电压,最大表面电场为2.34×105 V/cm,小于工业界判断器件击穿场强标准(2.5×105 V/cm),且电场分布比较均匀,终端结构的稳定性和可靠性高。  相似文献   
57.
应用于手机等通信电子产品电源系统的DC-DC开关电源变换器芯片,要求具有高性能的振荡器。鉴于此要求,设计了一款具有充放电电容的高性能振荡器。该振荡器基于0.5μm BCD工艺库,利用Cadence和Hspice软件,在芯片系统典型应用环境下仿真,得到的内同步振荡频率为794 k Hz,外部EN同步振荡频率为1 MHz到2MHz;在VCC=5.5 V,0~125℃温度范围内振荡器的频率偏移在6%以内。仿真结果显示,该振荡器性能良好,适用于DC-DC开关电源。  相似文献   
58.
现有的焦距检测方法通常由于检测仪器光源波长与光学系统不完全匹配从而产生纵向色差影响检测结果。针对这一问题,研究光学系统纵向色差的变化规律,并确定在400 nm~1 000 nm波段用于表示其函数关系的Conrady公式和复消色差特性公式。根据光学系统近焦位置的离焦量与位置呈线性关系的特性, 提出使用菲索干涉仪测量5种不同波长的焦距位置,获得单透镜和双胶合镜头的纵向色差曲线。实验结果表明: 在400 nm~1 000 nm波段单色系统和消色差系统的纵向色差的函数关系分别符合Conrady公式和复消色差特性公式,研究结果为焦距的理论计算和精确检测提供了新的思路和参考。  相似文献   
59.
对盐碱法提取酵母核酸进行了研究。结果表明,最佳提取条件为提取温度85℃,提取pH为7.5,NaCl的含量为6.5%,提取时间180 min,对酵母核酸的平均提取率达到5.70%。  相似文献   
60.
在砷化镓(GaAs)集成无源器件(Integrated Passive Device, IPD)的制作工艺中,通孔刻蚀是一道重要环节。蚀刻孔边缘的GaAs会被蚀刻,由此引发崩边并对器件性能及可靠性造成不利影响。本文中,用于通孔蚀刻的GaAs厚度不小于200 μm,通孔边缘没有被蚀刻的痕迹,以实现金属导线的平滑连接。采用光阻和金属来充当掩膜,有效解决了单一光阻因厚度过高而变形或者厚度薄导致GaAs衬底被蚀刻的问题。通过优化工艺,在光阻厚度为32 μm、金属掩膜厚度为0.5 μm、金属蚀刻时间为60 s以及感应耦合等离子体(Inductively Couple Plasma, ICP)蚀刻4000 s的条件下,得到了孔深为200 μm且通孔边缘平整的形貌。分析了 GaAs 崩边形成的主要原因与机理,并通过优化工艺解决了200 μm通孔的崩边问题,从而提高了器件性能及可靠性。  相似文献   
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