应用增益杠杆效应提高分布反馈激光器的波长可调谐范围

在三段电注入应变多量子阱分布反馈激光器中，应用增益杠杆效应扩大了波长的可调谐范围。对其中两段加固定偏置直流电流，另一段作为控制段（其长度为总腔长的０．３３）。随着对控制段注入电流的增加，发射波长会往长波方向移动。其波长连续可调谐范围（不含跳模）在１．５３８μｍ波段可达０．８２ｎｍ。经过跳模后尚可连续调谐。     

MOCVD生长的硅衬底上GaAlAs/GaAs单量子阱和多量子阱激光器深能级研究

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究经MOCVD生长的硅衬底上GaAlAs/GaAs 单量子阱和多量子阱激光器深能级.样品的 DLTS谱表明,在激光器的量子阱和 n-GaAlAs 限制层里均存在着一个浓度和俘获截面较大的高温电子陷阱,该陷阱可能与MOCVD生长工艺和质子轰击引进的损伤有关,它直接影响激光器的性能.DX中心和高温电子陷阱在量子阱里可能局域在GaAlAs/GaAs层的界面附近.     

GaAs/GaAlAs反应离子刻蚀腔面激光器

采用反应离子刻蚀GaAs/GaAlAs双异质结构激光器的一个腔面,已经获得室温下连续激射的效果,其阈电流比解理腔面高18％左右,量子效率低14％左右.     

双异质结激光器退化特性的初步观察

双异质结激光器是光纤通讯较理想的光源,只有寿命达到百万小时以上,才能保证通讯的稳定可靠。目前,国际上已有寿命达到100万小时的报导,而国内研制的器件寿命一般只有百小时,个别好的器件可达千小时,我们制备的激光器有一个达到2500小     

AlGaAs-GaAs DH激光器退化特性及P-I特性

研究了质子轰击条形双异质结构(DH)激光器的退化特性及P-I 特性,发现一般快退化器件 CW工作寿命小于 200小时.损坏后用 EBIC方法观察到有源区中增殖着暗线缺陷. DH激光器CW工作寿命超过200小时,而且每千小时的退化率小于4％的器件,一般cw工作寿命都能超过5000小时,有的器件已超过8000小时***仍在继续工作. 大部分器件具有良好的线性P-I特性,也有的观察到出现扭折“Kink”,结合近场观测和发射光谱的研究,判定这是由于激光器有源区中Al含量(即x值)的不均匀分布所致.     

单片集成式反应离子刻蚀沟槽耦合腔AlGaAs/GaAs激光器

利用反应离子刻蚀(RIE)技术刻蚀激光器腔面,获得集成式沟槽耦合腔AlGaAs/GaAs激光器,在室温下实现CW稳定单模运转。单模半宽约为0.23nm,边模抑制比达19dB,模间距约2.5nm,单模运转双腔阈值电流为52mA。     

GaAs微微秒光导开关的研究

采用离子注入高纯ＬＥＣＧａＡｓ材料，设计研制了共面线和微带线两种结构微微秒（ｐｓ）光导开关．其输出电脉冲响应时ＩＮＦＷＨＭ为８—１０ｐｓ，当光强为１ｍＷ时，电脉冲幅度为０．２Ｖ     

硅衬底上GaAlAs/GaAs单量子阱激光器

采用MOCVD方法在硅衬底上生长了带应力超晶格的GaAlAs/GaAs单量子阱外延片,并用质子轰击隔离法制成10微米条形单量子阱激光器.在室温下加脉冲电流(重复频率26KHz,脉宽1μs)观察到受激发射.最低阈电流92mA、激射波长849.2nm,外微分量子效率11％.     

GaAs/GaAlAs集成外腔激光器的模式谱分析

本文利用单 FP(Fabry—Perot)腔激光器的理论,并用有效反射率方法,通过计算机数值计算和作图,简单、清晰、明了地解决了集成外腔结构的 GaAs/GaAlAs激光器的模式谱问题,并给出了实验设计方案。与众多的理论分析方法相比,这种方法具有简明、精确、直观的优点。     

载流子注入全内反射型GaAs／GaAIAs光波导开关

研制出利用载流子注入能带填充效应制成的全内反射型（CI－TIR）GaAs/GaAIAs光波导开关。开关工作波长为0．87μm，工作电流70mA，消光比14dB，串话－13dB，该开关具有尺寸小，与偏振无关，无阻塞，易集成的优点。