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61.
为了改进0.02Pb(Y1/2Nb1/2 )O3-yPbTiO3-(1- 0.02- y)PbZrO3 系压电陶瓷的电学性能和力学性能,作者研究了多种常用添加物对0.02Pb (Y1/2Nb1/2 )O3 -yPbTiO3 -(1- y- 0.02)PbZrO3 三元系压电陶瓷性能的作用, 探讨了不同烧结温度对材料性能的影响。实验结果表明, Sr2+ 和Ba2+ 作为同价取代元素能够提高0.02Pb(Y1/2Nb1/2 ) O3 -yPbTiO3 -(1- 0.02- y) PbZrO3 系材料的机电耦合系数(kp、k33 、kt)、介电常数和压电系数, 降低机械品质因数Qm ; Li+ 、Cr3+ 、Mn2+ 、Ni3+ 、Fe3+ 等金属离子加入0.02Pb (Y1/2Nb1/2) O3-yPbTiO3-(1- 0.02- y) PbZrO3 会提高材料的机械品质因数, 同时也会损害介电、压电性能, 降低弹性柔顺系数, 体现了硬性添加物的一般特性; 退火对0.02Pb (Y1/2Nb1/2) O3 -yPbTiO3- (1- 0.02- y) PbZrO3 压电材料性能有促进作用。  相似文献   
62.
分析了Si1-x-yGexCy三元系材料外延生长的特点,指出原子性质上的巨大差异使Si1-x-yGexCy材料的制备比较困难.固相外延生长是制备Si1-x-y的有效方法,但必须对制备过程各环节的条件进行优化选择.通过实验系统地研究了离子注入过程中温度条件的控制对外延层质量的影响以及外延退火条件的选择与外延层结晶质量的关系.指出在液氮温度下进行离子注入能够提高晶体质量,而注入过程中靶温过高会导致动态退火效应,影响以后的再结晶过程.采用两步退火方法有利于消除注入引入的点缺陷,而二次外延退火存在着一个最佳退火温区.在此基础上优化得出了固相外延方法制备Si1-x-yGexCy/Si材料的最佳条件.  相似文献   
63.
利用光栅投影法进行三维测量有良好的发展前景,但仍未能很好地解决高精度测量问题。提出结合相位高度映射关系和棋盘标定法的三维测量方法,该方法基于数字光栅相移技术,减少了对数字光栅和CCD几何约束要求,操作简单,实现对被测物三维信息的测量与重构。对已知高度为20 mm的参考物体进行测量,高度相对误差为0.727 5%。实验结...  相似文献   
64.
对于单相交流电源供电的大功率家用变频空调、通讯电源等用电设备,需要采用大功率单相功率因数校正器,如多级交错APFC或在单级APFC中采取多个功率器件并联。本文提出和理论分析了一种M级交错、N重开关并联且所有功率器件移相驱动的APFc(MXNAPFC),分析了其电路结构和工作原理.包括电压变比、纹波电流、驱动方法和控制方...  相似文献   
65.
要打造一个扎实的“按需”供应链.企业的运营及IT部门必须掌握一个完整的发展蓝图.然后循序渐进地向每个阶段推进.其中提高供应链、甚至整个企业的“可视性”至关重要  相似文献   
66.
提出了一种基于图像先验和图像结构特征的盲图像复原算法,在模糊核未知的情况下,采用一系列离散化的模糊核参数对模糊图像进行非盲去卷积,得到一系列对应的复原图像。同时提出一种复原图像判决准则,对这一系列复原图像进行质量判决,从中得到最优的复原图像。最后在实验部分,通过对图像的测试表明,提出的盲图像复原算法能较准确的得到最优复原图像,复原效果在主观和客观标准上均有良好表现。  相似文献   
67.
X射线相衬成像   总被引:14,自引:0,他引:14  
本文介绍了近年来X射线位相衬度成像技术的发展状况,详细论述了X射线干涉相衬、衍射增强相衬,类同轴相衬和数字位相重构等几种典型的成像原理,讨论了影响成像衬度与分辨率的若干因素,并对位相成像的发展趋势作了展望。  相似文献   
68.
Ir是一种重要的真空紫外反射材料,在太阳物理、宇宙物理、生命科学、大气物理、同步辐射等方面有着十分重要的应用.对电子束蒸发沉积Ir膜在真空紫外波段的反射特性进行了系统的理论和实验研究.根据吸收材料基底上单层金属膜数学计算模型,对不同基片上各种厚度的Ir膜真空紫外反射率进行了优化计算.根据计算和前期实验结果,采用电子束蒸发方法,在石英、K9玻璃基片上沉积了不同厚度的Ir膜,在入射波长120 nm处获得了近30%正入射反射率,对应的Ir膜厚度为12 nm.过厚或过薄均不利于Ir膜反射率的提高.经退火处理后,Ir膜中张应力有所释放但并未消除,同时晶粒平均尺寸显著增大,反射率下降.  相似文献   
69.
为了解决变厚度多边形蜂窝结构超声波检测难和检测效率低的问题,采用了灵敏度补偿和多边形扫查路径规划相结合的超声C扫描方法进行检测。在扫查检测过程中,一是根据构件厚度变化进行灵敏度补偿,消除因厚度变化而引起的超声信号衰减对检测结果的影响;二是根据构件几何形状对此类构件进行多边形扫查路径规划,减少探头的空扫描范围,提高检测效率。试验结果表明:该检测方法能准确、高效地检出变厚度多边形蜂窝结构中的缺陷。  相似文献   
70.
对0.5 μm SOI CMOS工艺进行了开发,得到一套完整良好的工艺流程参数.根据流片测试结果,进行SOI CMOS器件的建模;利用BSIMproPlus软件中的BSIMSOI MOS模型,根据MOS管宽长比进行器件分类和建模,得到模型参数.对于部分耗尽SOI器件的固有浮体效应和kink效应,采用体接触方法来缓解其负...  相似文献   
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