基于小波分析的光栅信号质量评估方法

依据谐波分析法给出的评定信号质量指标的准则，提出了基于小波分析的光栅信号质量评估方法，并讨论了此方法的特征与优点。与谐波分析法相比较，小波分析在时域和频域同时具有良好的局部化性质，每次小波变换所取的都是原信号的最大可能近似值，信号的失真度小，通过变更尺度，可以对信号更细微的瞬态特征进行研究，并最大可能地除去噪声，较快地得到理想的质量评定效果(通常只需3至5次变换即可)。在此基础上，给出了相应的小波分析评定光栅信号质量的实验方法。     

Characteristics of Sn-Doped Ge2Sb2Te5 Films Used for Phase-Change Memory

Sn-doped Ge2Sb2Te5 thin films deposited on Si（100）/SiO2 substrates by rf magnetron sputtering are investigated by a differential scanning calorimeter, x-ray diffraction and sheet resistance measurement. The crystallization temperatures of the 3.58 at.%, 6.92 at.% and 10.04 at.% Sn-doped Ge2Sb2Te5 thin films have decreases of 5.3, 6.1 and 0.9℃, respectively, which is beneficial to reduce the switching current for the amorphous-to-crystalline phase transition. Due to Sn-doping, the sheet resistance of crystalline Ge2Sb2Te5 thin films increases about 2-10 times, which may be useful to reduce the switching current for the amorphous-to-crystalline phase change. In addition, an obvious decreasing dispersibility for the sheet resistance of Sn-doped Ge2Sb2Te5 thin films in the crystalline state has been observed, which can play an important role in minimizing resistance difference for the phase-change memory cell element arrays.     

第三十八届世界电信日暨首届世界信息社会日致辞 让全球网络更安全

世界电信日是历史最悠久的国际组织的诞生纪念日。2006 年5月17日,在国际电联成立 141周年之际,国际电联将迈入一个新纪元。近七年来,在国际电联的引导下,具有划时代意义的信息社会世界峰会进程完成了历史使命。2003年在日内瓦、2005年在突尼斯,各国领导人汇聚一堂,对开发、利用信息通信技术造福人类的未来发展计划给予了政治支持。在这一进程中,国际电联不但确立了自己作为世界电信和信息通信技术领域主导机构的地位,还壮大了成员基础,首次吸纳所有攸关者参加这一进程, 使政府、技术专家、社会科学家、商界和民间团体领导人都投身     

Al-C-Ni组分的变化对Al-C-Ni与ITO层接触电阻的影响

为克服大尺寸显示面板中反应时间的延迟问题,采用低阻栅线是十分有益的,同样在小尺寸面板上也存在这种相互匹配的过程。然而,由于Al较高的氧化速度,铝合金和ITO材料接触性能并不太好。文章介绍了在室温ITO沉积过程中,通过增加ACX(Al-C-Ni)中Ni含量来减少ACX-ITO接触电阻。经室温ITO沉积后,接触电阻成功地减少到300Ω,而且没有ACX引起的问题出现。     

防火墙和AAA协议在报业网络中的联合应用

本文介绍了防火墙的相关概念和技术，分析了AAA协议原理，提出了防火墙和AAA协议联合应用的网络模型。本文的研究和实践对大中型企业的网络安全建设具有一定的参考价值和实践意义。     

电磁导弹在任意二维金属目标上的后向散射

研究任意二维金属目标对二维电磁导弹的散射规律。研究结果表明,当一个能量衰减速率为r^-ε(0<ε<1)的电磁导弹投射到金属目标后其后向散射场能量衰减速率将正比于r^-εR/(2r+R),其中R为目标镜像点处的曲率半径。     

Single Cell Element of Chalcogenide Randoul Access Memory Fabricated with the Focused Ion Beam Method

A singie cell element of chalcogenide random access memory was fabricated by using the focused ion beam method.The contact size between the Ge2Sb2Te5 Phase change film and the top electrode film is about 600nm (diameter) and the contact area is caiculated to be 0.28μm^2.The thickness of the phase change film is 83nm.The current-voltage characteristics of the cell element are studied using the home-made current-voltage tester in our laboratory.The minimum threshold current of about 0.6mA is obtained.     

晶体管收音机功率放大级的原理与故障检修

<正> 晶体管收音机的功率放大级的主要任务,是把由前置放大级送来的低频信号进一步加以放大,并以足够的功率推动扬声器发声。常用的功率放大电路有甲类功率放大、乙类推挽功率放大、无输出变压器和无变压器的OTL电路等几种类型,尤以乙类推挽功率放大电路和无变压器的OTL电路应用最为广泛。本文叙述它们的电路结构、基本原理与故障检修。     

应用ART网络的成组技术实现方法研究

文章提出了一种成组技术的实现方法－基于ＡＲＴ神经网络实现方法，此法运算效率高，成组效果明显，同时能直接给出瓶颈机床（零件）。     

人工神经网络的发展、研究内容及应用综述

本文对人工神经网络的发展、研究内容及应用进行了综述。